VPG 300 DI

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高精度和高分辨率微结构的无掩膜直接成像仪 VPG 300 DI

  • Product Description

  • VPG 300 DI 是一种体积图案发生器，专门设计用于在 i-line 树脂中直接写入高分辨率微结构。它源于掩膜制作工具，采用了所有先进的 VPG+系统组件，能够以最高的精度和准确度进行写入。最大写入区域覆盖 300 毫米的晶片。

    VPG 300 DI 系统的目标用途主要是学术和工业研发领域，这些领域需要高灵活性和小于 2 微米的特征。该系统可满足各种应用需求，包括产品原型设计、微机电系统、与其他工具的混合和匹配，以及写入无缝结构的无限芯片尺寸。VPG 300 DI 的性能可与传统上用于这些应用的基于掩膜的 i-line 步进器相媲美，同时还具有无掩膜图形技术的优势。

    与 VPG+ 类似，VPG 300 DI 也是基于经现场验证的超高速曝光光学引擎。不过，它更进一步，集成了更多先进的系统组件，如 Zerodur® 平台、差分干涉仪以及用于计量、校准和晶圆处理的各种选项。

    VPG 300 DI 集性能、技术优势和组件于一身，是寻求精确、高效微结构制造能力的研究人员和开发人员的理想选择。

    VPG 300 DI 是一种体积图案发生器，专门设计用于在 i-line 树脂中直接写入高分辨率微结构。它源于掩膜制作工具，采用了所有先进的 VPG+系统组件，能够以最高的精度和准确度进行写入。最大写入区域覆盖 300 毫米的晶片。

    VPG 300 DI 系统的目标用途主要是学术和工业研发领域，这些领域需要高灵活性和小于 2 微米的特征。该系统可满足各种应用需求，包括产品原型设计、微机电系统、与其他工具的混合和匹配，以及写入无缝结构的无限芯片尺寸。VPG 300 DI 的性能可与传统上用于这些应用的基于掩膜的 i-line 步进器相媲美，同时还具有无掩膜图形技术的优势。

    与 VPG+ 类似，VPG 300 DI 也是基于经现场验证的超高速曝光光学引擎。不过，它更进一步，集成了更多先进的系统组件，如 Zerodur® 平台、差分干涉仪以及用于计量、校准和晶圆处理的各种选项。

    VPG 300 DI 集性能、技术优势和组件于一身，是寻求精确、高效微结构制造能力的研究人员和开发人员的理想选择。

  • Product Highlights

  • 曝光速度

    可在 9 分钟内写入 100 x 100平方毫米的区域

    曝光质量

    边缘粗糙度 < 40 nm，CD 均匀度 < 60 nm，分辨率低至 500 nm

    校准精度

    第 2层对齐（顶部）低至 100 nm，背面 VIS / IR ±1 µm

    自动对齐

    自动全局和局部对准，并进行畸变校正；VIS 背面对准；埋入式结构的红外对准

    自动对焦

    光学或气动自动对焦，动态补偿可达 80 微米

    包括计量功能

    位置、CD 和边缘粗糙度

    写作的稳定性

    集成环境计量、流量箱和软件修正功能，以补偿环境变化

  • Available Modules

  • 自动处理选项

    采用 SEMI 标准载体的开放式框架处理，可对 100 至 200 毫米或 200 / 300 毫米标准晶圆进行预对准（其他可根据要求提供）

    两种写入模式可供选择

    高 NA 适用于最高分辨率，低 NA 则针对吞吐量或 DOF 关键应用进行了优化

    对齐选项

    VIS 和 IR 背面对齐

    服务合同

    全球服务水平协议，可提供更快的现场支持并获得备件

VPG 300 DI 是一种体积图案发生器，专门设计用于在 i-line 树脂中直接写入高分辨率微结构。它源于掩膜制作工具，采用了所有先进的 VPG+系统组件，能够以最高的精度和准确度进行写入。最大写入区域覆盖 300 毫米的晶片。

VPG 300 DI 系统的目标用途主要是学术和工业研发领域，这些领域需要高灵活性和小于 2 微米的特征。该系统可满足各种应用需求，包括产品原型设计、微机电系统、与其他工具的混合和匹配，以及写入无缝结构的无限芯片尺寸。VPG 300 DI 的性能可与传统上用于这些应用的基于掩膜的 i-line 步进器相媲美，同时还具有无掩膜图形技术的优势。

与 VPG+ 类似，VPG 300 DI 也是基于经现场验证的超高速曝光光学引擎。不过，它更进一步，集成了更多先进的系统组件，如 Zerodur® 平台、差分干涉仪以及用于计量、校准和晶圆处理的各种选项。

VPG 300 DI 集性能、技术优势和组件于一身，是寻求精确、高效微结构制造能力的研究人员和开发人员的理想选择。

VPG 300 DI 是一种体积图案发生器，专门设计用于在 i-line 树脂中直接写入高分辨率微结构。它源于掩膜制作工具，采用了所有先进的 VPG+系统组件，能够以最高的精度和准确度进行写入。最大写入区域覆盖 300 毫米的晶片。

VPG 300 DI 系统的目标用途主要是学术和工业研发领域，这些领域需要高灵活性和小于 2 微米的特征。该系统可满足各种应用需求，包括产品原型设计、微机电系统、与其他工具的混合和匹配，以及写入无缝结构的无限芯片尺寸。VPG 300 DI 的性能可与传统上用于这些应用的基于掩膜的 i-line 步进器相媲美，同时还具有无掩膜图形技术的优势。

与 VPG+ 类似，VPG 300 DI 也是基于经现场验证的超高速曝光光学引擎。不过，它更进一步，集成了更多先进的系统组件，如 Zerodur® 平台、差分干涉仪以及用于计量、校准和晶圆处理的各种选项。

VPG 300 DI 集性能、技术优势和组件于一身，是寻求精确、高效微结构制造能力的研究人员和开发人员的理想选择。

曝光速度

可在 9 分钟内写入 100 x 100平方毫米的区域

曝光质量

边缘粗糙度 < 40 nm，CD 均匀度 < 60 nm，分辨率低至 500 nm

校准精度

第 2层对齐（顶部）低至 100 nm，背面 VIS / IR ±1 µm

自动对齐

自动全局和局部对准，并进行畸变校正；VIS 背面对准；埋入式结构的红外对准

自动对焦

光学或气动自动对焦，动态补偿可达 80 微米

包括计量功能

位置、CD 和边缘粗糙度

写作的稳定性

集成环境计量、流量箱和软件修正功能，以补偿环境变化

自动处理选项

采用 SEMI 标准载体的开放式框架处理，可对 100 至 200 毫米或 200 / 300 毫米标准晶圆进行预对准（其他可根据要求提供）

两种写入模式可供选择

高 NA 适用于最高分辨率，低 NA 则针对吞吐量或 DOF 关键应用进行了优化

对齐选项

VIS 和 IR 背面对齐

服务合同

全球服务水平协议，可提供更快的现场支持并获得备件

Customer applications

VPG 300 DI High NA mode: Grid of round 500 nm features with a high density in IP resist. Demonstration of resolution abilities.
VPG 300 DI High NA mode: Grid of round 500 nm features with a high density in IP resist. Demonstration of resolution abilities.
Photonic splitter pattern in positive resist. Reduced writing grid was applied for smooth interpolated roundings and sharp edges.
Photonic splitter pattern in positive resist. Reduced writing grid was applied for smooth interpolated roundings and sharp edges.
8-level quartz Diffractive Optical Element (DOE). The pixels are about 2 μm in size, the array of devices covers an area of about 20 mm. (Courtesy of IMS Chips)
8-level quartz Diffractive Optical Element (DOE). The pixels are about 2 μm in size, the array of devices covers an area of about 20 mm. (Courtesy of IMS Chips)
Fine line test structure down to 0.8 µm (Epoxy Mold Compound). (Courtesy of Fraunhofer IZM - Panel Level Consortium 2.0)
Fine line test structure down to 0.8 µm (Epoxy Mold Compound). (Courtesy of Fraunhofer IZM - Panel Level Consortium 2.0)
Fine pitch Cu pillars chiplet connection. (Courtesy of Fraunhofer IZM)
Fine pitch Cu pillars chiplet connection. (Courtesy of Fraunhofer IZM)
Personalized contacts layer and metalized lines on a prefabricated CMOS master. (Courtesy of IMS Chips)
Personalized contacts layer and metalized lines on a prefabricated CMOS master. (Courtesy of IMS Chips)

Why customers choose our systems

"VPG使我们能够实现尺寸小至1微米的铜线和芯片到芯片互连，这比使用传统光罩对准器工艺的特征尺寸小三倍"。

Markus Wöhrmann
用于晶圆级封装的光刻和薄膜聚合物组组长
德国柏林弗劳恩霍夫微集成与可靠性研究所

"在 TNO @ Holst 中心，海德堡仪器公司的 VPG 在我们的研发工作中发挥了重要作用，它提供了快速循环设计迭代以及开发和优化这些设计的制造工艺流程的能力"。

Auke Jisk Kronemeijer，研究经理，薄膜电子
TNO @ Holst Centre
Eindhoven，荷兰

Technical Data

写入模式III
写作表现
最小特征尺寸 [µm]0.50.8
最小线和间距 [µm]0.81.2
地址网格 [nm]48
边缘粗糙度 [3σ，纳米］3040
光密度均匀性[3σ，纳米］5060
第 2层对齐（全局）[纳米］100130
写入速度 [mm2/min］340*1020*
*快速模式：680 和 2056mm2/min，性能相似，但无规格说明
100 x 100平方毫米面积的曝光时间 [分钟]3917
系统功能
光源波长为 355 nm 的高功率 DPSS 激光器
最大基板尺寸和写入区域300 x 300平方毫米
基底厚度0 至 12 毫米（其他厚度可根据要求提供）
最大曝光面积300 x 300平方毫米
自动对焦实时自动对焦系统（光学和气动）
自动对焦补偿范围最高 80 微米
流箱(闭环）温控环境室
校准和计量用于计量和校准的摄像系统和软件包
其他功能和选项全自动处理和预对准 100、150、200 和 300 毫米晶圆。光学边缘检测、顶部对齐以及可选的红外和背面对齐。Zerodur® 平台和高分辨率差分干涉仪
系统尺寸
系统/电子机架
宽度[毫米］2605 / 800
深度[毫米］1652 / 650
高度[毫米］2102 / 1800
重量[千克］3550 / 180
安装要求
电气400 伏交流 ± 5 %，50/60 赫兹，16 A，3 相
压缩空气6 - 10 巴

请注意
规格取决于个别流程条件，并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。设计和规格如有变更，恕不另行通知。

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