现代平版印刷标准
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产品说明
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您是否因光罩成本高、交货期长而感到迟缓?您是否希望无需对传统光罩校准器进行冗长的培训就能立即迭代设计?
探索MLA 150 和数字光刻世界。
这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。
为什么MLA 150 是实验室的理想选择?
MLA 150 从设计之初就旨在解决学术和工业研发机构面临的核心挑战。它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统学习曲线陡峭等问题。
专为多用户设施设计
减少培训开销,最大限度地延长工具的正常运行时间。MLA 150 非常直观,新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其用户友好型软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境,这也是MLA 150 成为全球领先洁净室必备工具的原因所在。
无与伦比的灵活性,助力前沿研究及更多领域
您的工作非同寻常——您的光刻工具也应如此。无论您是在推进前沿研究、通过快速原型制作加速创新,还是生产高质量的小批量产品,MLA 150 都能适应您的需求,而非让您迁就设备。
- 处理范围广泛的光刻胶:同时安装一个或两个不同的激光波长(375 nm 和/或 405 nm),无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。
- 处理具有挑战性的基底:专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品,包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲晶片。
- 创建2.5D和高长宽比结构:利用集成的灰度曝光模式制造复杂的2.5D微结构,或采用高长宽比模式对具有陡峭侧壁的厚光刻胶进行图案化,特别适用于MEMS和微流体器件。
- 交互式 “绘制模式”:直接在样品的实时摄像头图像上绘制和显示图案,非常适合快速制作原型或将电极精确放置到石墨烯薄片或纳米线等独特特征上。
高速度、高精度、不妥协
用户友好并不意味着性能低下。MLA 150 可提供突破制造极限所需的速度和精度。
- 亚微米分辨率:最小特征尺寸可达 0.45 μm,可制造复杂的高分辨率设备。
- 出色的生产能力:不到 16 分钟即可曝光整个 150 毫米晶片。
- 先进的自动对准:该系统可实现 250 nm 的对准精度,并对偏移、旋转、缩放和剪切进行数字补偿,这些调整是物理掩膜无法实现的。
- 完美对焦:动态自动对焦系统可确保清晰、均匀的特征,有效处理图案、翘曲或脆弱的基板。
- 终极稳定性:带有温控层流气流(±0.1°C)的集成环境室可最大限度地减少热膨胀效应,确保结果的稳定性和可重复性。
大幅降低运营成本
消除光刻技术中最大、最持久的开支:光掩膜。有了MLA 150 ,就没有光罩采购成本和相关的多周交货时间。此外,您还可以省去清洁和存储工作,并消除代价高昂的破损风险。MLA 150 的激光器使用寿命长达 10-20 年,而且易于维护,因此总体拥有成本极低。
主要应用
从基础物理学到应用生物科学,MLA 150 都是值得信赖的工具:
- 纳米加工:量子设备、二维材料、半导体纳米线
- MEMS 和 MOEMS:传感器、致动器、微光元件、微流体
- 材料科学新型材料的图案化
- 生命科学:片上实验室设备、生物传感器
加入数百家领先机构的行列
了解全球顶尖大学和研究中心为何选择 MLA 150 来取代他们的掩模对准机。 联系我们,了解如何赋能您的用户并让您的实验室实现现代化。
2025年,我们迎来MLA 150成立十周年。欢迎访问我们的周年纪念专页,深入了解其发展历程及幕后人物。
您是否因光罩成本高、交货期长而感到迟缓?您是否希望无需对传统光罩校准器进行冗长的培训就能立即迭代设计?
探索MLA 150 和数字光刻世界。
这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。
为什么MLA 150 是实验室的理想选择?
MLA 150 从设计之初就旨在解决学术和工业研发机构面临的核心挑战。它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统学习曲线陡峭等问题。
专为多用户设施设计
减少培训开销,最大限度地延长工具的正常运行时间。MLA 150 非常直观,新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其用户友好型软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境,这也是MLA 150 成为全球领先洁净室必备工具的原因所在。
无与伦比的灵活性,助力前沿研究及更多领域
您的工作非同寻常——您的光刻工具也应如此。无论您是在推进前沿研究、通过快速原型制作加速创新,还是生产高质量的小批量产品,MLA 150 都能适应您的需求,而非让您迁就设备。
- 处理范围广泛的光刻胶:同时安装一个或两个不同的激光波长(375 nm 和/或 405 nm),无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。
- 处理具有挑战性的基底:专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品,包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲晶片。
- 创建2.5D和高长宽比结构:利用集成的灰度曝光模式制造复杂的2.5D微结构,或采用高长宽比模式对具有陡峭侧壁的厚光刻胶进行图案化,特别适用于MEMS和微流体器件。
- 交互式 “绘制模式”:直接在样品的实时摄像头图像上绘制和显示图案,非常适合快速制作原型或将电极精确放置到石墨烯薄片或纳米线等独特特征上。
高速度、高精度、不妥协
用户友好并不意味着性能低下。MLA 150 可提供突破制造极限所需的速度和精度。
- 亚微米分辨率:最小特征尺寸可达 0.45 μm,可制造复杂的高分辨率设备。
- 出色的生产能力:不到 16 分钟即可曝光整个 150 毫米晶片。
- 先进的自动对准:该系统可实现 250 nm 的对准精度,并对偏移、旋转、缩放和剪切进行数字补偿,这些调整是物理掩膜无法实现的。
- 完美对焦:动态自动对焦系统可确保清晰、均匀的特征,有效处理图案、翘曲或脆弱的基板。
- 终极稳定性:带有温控层流气流(±0.1°C)的集成环境室可最大限度地减少热膨胀效应,确保结果的稳定性和可重复性。
大幅降低运营成本
消除光刻技术中最大、最持久的开支:光掩膜。有了MLA 150 ,就没有光罩采购成本和相关的多周交货时间。此外,您还可以省去清洁和存储工作,并消除代价高昂的破损风险。MLA 150 的激光器使用寿命长达 10-20 年,而且易于维护,因此总体拥有成本极低。
主要应用
从基础物理学到应用生物科学,MLA 150 都是值得信赖的工具:
- 纳米加工:量子设备、二维材料、半导体纳米线
- MEMS 和 MOEMS:传感器、致动器、微光元件、微流体
- 材料科学新型材料的图案化
- 生命科学:片上实验室设备、生物传感器
加入数百家领先机构的行列
了解全球顶尖大学和研究中心为何选择 MLA 150 来取代他们的掩模对准机。 联系我们,了解如何赋能您的用户并让您的实验室实现现代化。
2025年,我们迎来MLA 150成立十周年。欢迎访问我们的周年纪念专页,深入了解其发展历程及幕后人物。
> 250 套已安装系统
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产品亮点
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非常适合多用户设施
不到 1 小时的培训即可完全获得用户资格快速准确的对准
250 纳米正面对准、背面对准、对准误差补偿灵活
可在同一系统上同时安装两台激光器,对整个光刻胶范围进行曝光
不同的曝光模式可用于快速或高质量的结构化
额外的真空吸盘可用于小基板、箔或翘曲基板等具有挑战性的样品运行成本低,易于维护
激光寿命为 10-20 年直写光刻技术
没有与面具相关的成本、工作量或安全风险灰度模式
对于简单的 2.5D 结构曝光质量
边缘粗糙度 60 nm;CD 均匀度 100 nm;翘曲/波纹衬底自动对焦补偿最小特征尺寸
提供两种不同的写入模式,最小特征尺寸可达 0.45 μm方便用户
专门设计的软件和工作流程使工具操作快速简便曝光速度
使用 405 纳米激光在 <16 分钟内完成 150 毫米晶片的切割 -
可用模块
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曝光波长
波长为 375 纳米和/或 405 纳米的二极管激光源可安装在一起,并可互换使用,以曝光不同的光刻胶可更换卡盘
附加真空吸盘,用于小基板、箔或翘曲基板等高难度样品
可根据要求定制真空吸盘布局绘制模式
在实时显微图像上导入和叠加 BMP 文件–如同虚拟掩膜对齐器;可在实时相机图像上绘制简单的线条和形状,以便立即曝光自动对焦
气压计或光学自动对焦,可对小样品(小于 10 毫米)进行完美曝光可变基底尺寸
From 3 mm to 9″高级字段对齐
对晶片上的单个晶粒进行自动逐个晶场对准,实现卓越的对准精度可选自动装载系统
可处理最大7英寸掩模和8英寸晶圆。可选配第二个盒式站、预对准器和晶圆扫描仪。
您是否因光罩成本高、交货期长而感到迟缓?您是否希望无需对传统光罩校准器进行冗长的培训就能立即迭代设计?
探索MLA 150 和数字光刻世界。
这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。
为什么MLA 150 是实验室的理想选择?
MLA 150 从设计之初就旨在解决学术和工业研发机构面临的核心挑战。它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统学习曲线陡峭等问题。
专为多用户设施设计
减少培训开销,最大限度地延长工具的正常运行时间。MLA 150 非常直观,新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其用户友好型软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境,这也是MLA 150 成为全球领先洁净室必备工具的原因所在。
无与伦比的灵活性,助力前沿研究及更多领域
您的工作非同寻常——您的光刻工具也应如此。无论您是在推进前沿研究、通过快速原型制作加速创新,还是生产高质量的小批量产品,MLA 150 都能适应您的需求,而非让您迁就设备。
- 处理范围广泛的光刻胶:同时安装一个或两个不同的激光波长(375 nm 和/或 405 nm),无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。
- 处理具有挑战性的基底:专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品,包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲晶片。
- 创建2.5D和高长宽比结构:利用集成的灰度曝光模式制造复杂的2.5D微结构,或采用高长宽比模式对具有陡峭侧壁的厚光刻胶进行图案化,特别适用于MEMS和微流体器件。
- 交互式 “绘制模式”:直接在样品的实时摄像头图像上绘制和显示图案,非常适合快速制作原型或将电极精确放置到石墨烯薄片或纳米线等独特特征上。
高速度、高精度、不妥协
用户友好并不意味着性能低下。MLA 150 可提供突破制造极限所需的速度和精度。
- 亚微米分辨率:最小特征尺寸可达 0.45 μm,可制造复杂的高分辨率设备。
- 出色的生产能力:不到 16 分钟即可曝光整个 150 毫米晶片。
- 先进的自动对准:该系统可实现 250 nm 的对准精度,并对偏移、旋转、缩放和剪切进行数字补偿,这些调整是物理掩膜无法实现的。
- 完美对焦:动态自动对焦系统可确保清晰、均匀的特征,有效处理图案、翘曲或脆弱的基板。
- 终极稳定性:带有温控层流气流(±0.1°C)的集成环境室可最大限度地减少热膨胀效应,确保结果的稳定性和可重复性。
大幅降低运营成本
消除光刻技术中最大、最持久的开支:光掩膜。有了MLA 150 ,就没有光罩采购成本和相关的多周交货时间。此外,您还可以省去清洁和存储工作,并消除代价高昂的破损风险。MLA 150 的激光器使用寿命长达 10-20 年,而且易于维护,因此总体拥有成本极低。
主要应用
从基础物理学到应用生物科学,MLA 150 都是值得信赖的工具:
- 纳米加工:量子设备、二维材料、半导体纳米线
- MEMS 和 MOEMS:传感器、致动器、微光元件、微流体
- 材料科学新型材料的图案化
- 生命科学:片上实验室设备、生物传感器
加入数百家领先机构的行列
了解全球顶尖大学和研究中心为何选择 MLA 150 来取代他们的掩模对准机。 联系我们,了解如何赋能您的用户并让您的实验室实现现代化。
2025年,我们迎来MLA 150成立十周年。欢迎访问我们的周年纪念专页,深入了解其发展历程及幕后人物。
您是否因光罩成本高、交货期长而感到迟缓?您是否希望无需对传统光罩校准器进行冗长的培训就能立即迭代设计?
探索MLA 150 和数字光刻世界。
这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术,具有最高的性能。通过使用数字镜像设备(DMD)作为动态掩模,MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟,使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。
为什么MLA 150 是实验室的理想选择?
MLA 150 从设计之初就旨在解决学术和工业研发机构面临的核心挑战。它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统学习曲线陡峭等问题。
专为多用户设施设计
减少培训开销,最大限度地延长工具的正常运行时间。MLA 150 非常直观,新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其用户友好型软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境,这也是MLA 150 成为全球领先洁净室必备工具的原因所在。
无与伦比的灵活性,助力前沿研究及更多领域
您的工作非同寻常——您的光刻工具也应如此。无论您是在推进前沿研究、通过快速原型制作加速创新,还是生产高质量的小批量产品,MLA 150 都能适应您的需求,而非让您迁就设备。
- 处理范围广泛的光刻胶:同时安装一个或两个不同的激光波长(375 nm 和/或 405 nm),无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。
- 处理具有挑战性的基底:专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品,包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲晶片。
- 创建2.5D和高长宽比结构:利用集成的灰度曝光模式制造复杂的2.5D微结构,或采用高长宽比模式对具有陡峭侧壁的厚光刻胶进行图案化,特别适用于MEMS和微流体器件。
- 交互式 “绘制模式”:直接在样品的实时摄像头图像上绘制和显示图案,非常适合快速制作原型或将电极精确放置到石墨烯薄片或纳米线等独特特征上。
高速度、高精度、不妥协
用户友好并不意味着性能低下。MLA 150 可提供突破制造极限所需的速度和精度。
- 亚微米分辨率:最小特征尺寸可达 0.45 μm,可制造复杂的高分辨率设备。
- 出色的生产能力:不到 16 分钟即可曝光整个 150 毫米晶片。
- 先进的自动对准:该系统可实现 250 nm 的对准精度,并对偏移、旋转、缩放和剪切进行数字补偿,这些调整是物理掩膜无法实现的。
- 完美对焦:动态自动对焦系统可确保清晰、均匀的特征,有效处理图案、翘曲或脆弱的基板。
- 终极稳定性:带有温控层流气流(±0.1°C)的集成环境室可最大限度地减少热膨胀效应,确保结果的稳定性和可重复性。
大幅降低运营成本
消除光刻技术中最大、最持久的开支:光掩膜。有了MLA 150 ,就没有光罩采购成本和相关的多周交货时间。此外,您还可以省去清洁和存储工作,并消除代价高昂的破损风险。MLA 150 的激光器使用寿命长达 10-20 年,而且易于维护,因此总体拥有成本极低。
主要应用
从基础物理学到应用生物科学,MLA 150 都是值得信赖的工具:
- 纳米加工:量子设备、二维材料、半导体纳米线
- MEMS 和 MOEMS:传感器、致动器、微光元件、微流体
- 材料科学新型材料的图案化
- 生命科学:片上实验室设备、生物传感器
加入数百家领先机构的行列
了解全球顶尖大学和研究中心为何选择 MLA 150 来取代他们的掩模对准机。 联系我们,了解如何赋能您的用户并让您的实验室实现现代化。
2025年,我们迎来MLA 150成立十周年。欢迎访问我们的周年纪念专页,深入了解其发展历程及幕后人物。
> 250 套已安装系统
非常适合多用户设施
快速准确的对准
灵活
不同的曝光模式可用于快速或高质量的结构化
额外的真空吸盘可用于小基板、箔或翘曲基板等具有挑战性的样品
运行成本低,易于维护
直写光刻技术
灰度模式
曝光质量
最小特征尺寸
方便用户
曝光速度
曝光波长
可更换卡盘
可根据要求定制真空吸盘布局
绘制模式
自动对焦
可变基底尺寸
高级字段对齐
可选自动装载系统
客户应用









客户为何选择我们的系统
“MLA 150 在灵活性、产能和性能之间达到了非常好的平衡。在我们的多用户设施中,它因能够在各种尺寸和形状的基板上快速进行原型制作而备受赞赏。由于 MLA 150 的引入彻底改变了我们光刻部门的工作方式,我们决定再购入一台。”
菲利普·弗吕基格博士,运营总监
洛桑联邦理工学院(EPFL)微纳米技术中心(CMi)
瑞士,洛桑
“在丹麦技术大学的 DTU 纳米实验室,我们现在拥有多台海德堡仪器的无掩模对准机。这些设备非常适合我们的以研究为基础的工作,同时也为我们的许多工业客户提供了多功能工具。自从引入无掩模对准机后,我们观察到一个显著变化:传统掩模对准机的新掩模订单数量大幅下降,从每天约 1 块掩模降至每月约 1 块。总体而言,我们对无掩模对准机非常满意,无论是从工作人员还是用户的角度来看。”
延斯·H·亨米格森,工艺专家
丹麦技术大学 (DTU) 纳米实验室
丹麦,林比
“MLA 150 直接激光写入系统以其易用性和多功能性,是理想的光刻设备。由于不再需要光掩模来曝光晶圆,MLA 150 大幅降低了原型开发和研究过程中频繁更改布局所需的时间和成本。”
朱利安·多萨兹博士,高级光刻工程师
洛桑联邦理工学院(EPFL)微纳米技术中心(CMi)
瑞士,洛桑
“MLA 150 的速度、易用性和精度使我们选择它而非传统掩模对准机。
它是我们在 MCN 进行光刻工作的关键工具之一。用户可用它在各种样品类型(硅、玻璃、石英、金刚石、铌酸锂等)和尺寸(从 3 mm × 3 mm 到 7 英寸 × 7 英寸掩模板)上进行直接写入,也可用于光掩模制作。
如果没有它,我们无法在 6 英寸晶圆上实现直径 2 µm、间距 2 µm 的圆形图案曝光。”
杨春林博士,高级工艺工程团队负责人
墨尔本纳米制造中心 (MCN)
澳大利亚,墨尔本
“我们主要在试点线和研发环境中工作,发现 MLA 150 的灵活性对于测试新设计概念非常有用。对于我们在洁净室支持的众多研究用户来说尤其如此。我们还发现,MLA 150 对于晶圆放大工作具有极高价值,可以在进行大尺寸晶圆掩模工艺之前,先在较小的样片上测试不同的器件设计。
MLA 150 是我们洁净室中使用最频繁的设备之一。用户非常认可它能够直接将概念、设计和样品曝光无缝衔接的能力。”
汤姆·皮奇博士,高级工艺工程师
卡迪夫大学 化合物半导体研究所
英国,卡迪夫
“凭借其短波长光源,MLA 150 可实现亚 100 nm 分辨率和小于 20 nm 的叠加精度。这一高性能,加上其稳健的自动对焦功能,使其成为实验室在替换 i-line 步进机或考虑新购设备时,KrF 扫描机的极具吸引力的替代方案。”
有本浩史博士,研究员
日本产业技术综合研究所 (AIST) 纳米加工设施办公室
日本,筑波
技术数据
| 写入模式 I * | 写入模式 II * | |
|---|---|---|
| 写作表现 | ||
| 最小特征尺寸 [μm] | 0.6(0.45 可选) | 1 |
| 最小线段和空间 [μm] | 0.8(0.45 可选) | 1.2 |
| 全局第 2 层对齐 [nm] | 500 | 500 |
| 局部第 2 层排列[纳米] | 250 | 250 |
| 背面对齐[纳米] | 1000 | 1000 |
| 405 nm 激光最大写入速度 [mm²/min] (毫米/分钟 | 400 | 1400 |
| 最大写入速度 375 nm 激光器 [mm²/min] (毫米/分钟 | 400 | 600 |
| 系统功能 | |
|---|---|
| 光源 | 二极管激光器:405 纳米波长时 8 瓦,375 纳米波长时 2.8 瓦,或两者皆有 |
| 基底尺寸 | 可变:3 x 3 mm² 至 9″ x 9″ | 可根据要求定制 |
| 基底厚度 | 0 - 12 毫米 |
| 最大曝光面积 | 150 x 150 mm² | 可选:200 x 200 mm² |
| 温控流动箱 | 温度稳定性 ± 0.1 °C |
| 实时自动对焦 | 气压计或光学 |
| 自动对焦补偿范围 | 180 μm |
| 灰度 | 128 个灰度级 |
| 软件功能 | 曝光向导、光阻数据库、自动标签 和序列化、用于无 CAD 曝光的绘制模式、 基底跟踪/历史记录 |
| 系统尺寸(光刻单元) | |
| 高 × 宽 × 深 | 1950 毫米 × 1300 毫米 × 1300 毫米 |
| 重量 | 1100 千克 |
| 安装要求 | |
| 电气 | 230 伏交流 ± 5%,50/60 赫兹,16 A |
| 压缩空气 | 6 - 10 巴 |
| 经济方面的考虑 | |
| 节省光掩膜成本 | |
| 维护、能耗、备件等运行成本低 | |
| 使用寿命长达数年的固体激光光源 | |
| * 系统只能安装一种写入模式 |
请注意
规格取决于个别流程条件,并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更,恕不另行通知。
