MLA 150无掩模光刻系统

您是否因光罩成本高、交货期长而感到迟缓？您是否希望无需对传统光罩校准器进行冗长的培训就能立即迭代设计？

探索MLA 150 和数字光刻世界。

这种现代化的无掩模对准器采用快速、灵活、易于使用的解决方案取代了传统技术，具有最高的性能。通过使用数字镜像设备（DMD）作为动态掩模，MLA 150 克服了物理光掩模的缺点。从数字设计到完美图案化的基底只需几分钟，使您的用户能够加速量子器件、微机电系统、微光学和生命科学等领域的研究。

为什么MLA 150 是实验室的理想选择？

MLA 150 从设计之初就旨在解决学术和工业研发机构面临的核心挑战。它直接解决了光掩膜前置时间长、经常性成本高以及传统系统学习曲线陡峭等问题。

专为多用户设施设计

减少培训开销，最大限度地延长工具的正常运行时间。MLA 150 非常直观，新用户只需不到一个小时就能完全胜任独立工作。其用户友好型软件和简化的工作流程非常适合共享实验室环境，这也是MLA 150 成为全球领先洁净室必备工具的原因所在。

为高级研究提供无与伦比的灵活性

您的研究不是标准的，您的光刻工具也不应该是标准的。MLA 150 ，而不是相反。

• 处理范围广泛的光刻胶：同时安装一个或两个不同的激光波长（375 nm 和/或 405 nm），无需更改硬件即可曝光所有宽带、g、h 和 i 线光刻胶。
• 处理具有挑战性的基底：专用真空吸盘可让您轻松处理难以处理的样品，包括小至 3×3 mm²的小基片、薄箔和翘曲晶片。
• 创建 2.5D 和高宽比结构：使用集成的灰度曝光模式可制造复杂的 2.5D 微结构，或使用高纵横比模式在厚光刻胶中形成陡直的侧壁图形，非常适用于 MEMS 和微流控应用。
• 交互式 “绘制模式”：直接在样品的实时摄像头图像上绘制和显示图案，非常适合快速制作原型或将电极精确放置到石墨烯薄片或纳米线等独特特征上。

高速度、高精度、不妥协

用户友好并不意味着性能低下。MLA 150 可提供突破制造极限所需的速度和精度。

• 亚微米分辨率：最小特征尺寸可达 0.45 μm，可制造复杂的高分辨率设备。
• 出色的生产能力：不到 16 分钟即可曝光整个 150 毫米晶片。
• 先进的自动对准：该系统可实现 250 nm 的对准精度，并对偏移、旋转、缩放和剪切进行数字补偿，这些调整是物理掩膜无法实现的。
• 完美对焦：动态自动对焦系统可确保清晰、均匀的特征，有效处理图案、翘曲或脆弱的基板。
• 终极稳定性：带有温控层流气流（±0.1°C）的集成环境室可最大限度地减少热膨胀效应，确保结果的稳定性和可重复性。

大幅降低运营成本

消除光刻技术中最大、最持久的开支：光掩膜。有了MLA 150 ，就没有光罩采购成本和相关的多周交货时间。此外，您还可以省去清洁和存储工作，并消除代价高昂的破损风险。MLA 150 的激光器使用寿命长达 10-20 年，而且易于维护，因此总体拥有成本极低。

主要应用

从基础物理学到应用生物科学，MLA 150 都是值得信赖的工具：

• 纳米加工：量子设备、二维材料、半导体纳米线
• MEMS 和 MOEMS：传感器、致动器、微光元件、微流体
• 材料科学新型材料的图案化
• 生命科学：片上实验室设备、生物传感器

加入数百家领先机构的行列

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