针对工业制造进行了优化,确保高产量和生产线的无缝集成
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Product Description
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无掩膜对准器 MLA 300 专为大批量生产而设计,在工业光刻领域具有无与伦比的灵活性和精确性。它支持最大 300 x 300 毫米的晶圆,能动态适应表面变化,无需昂贵而耗时的掩膜生产。通过用直接数据曝光取代传统掩膜,MLA 300 能够为先进封装、传感器校准和微机电系统制造等复杂光刻挑战提供创新解决方案。其高通量、1.5 μm 分辨率、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的无缝集成,使其成为包括微流控设备和其他先进技术在内的各种应用的理想选择。
主要功能
- 高通量生产:针对工业规模生产进行了优化,最小特征尺寸为 1.5 µm。对于更高的产量要求,我们还提供最小特征尺寸为 3 µm 的高通量写入模式。
- 先进的精度:该系统具有最高的光学质量,可确保在各种具有挑战性的基底上进行精确制图。
- 全自动化:MLA 300 具有全自动化功能,包括可定制的装载选项、专为生产环境设计的高级软件以及与 MES 系统的集成。
- 获得专利的基底跟踪技术:实时自动对焦可补偿基板翘曲或波纹,确保所有表面上的图案完美无瑕、均匀一致。
应用
- 先进的封装:能够进行扇出式晶圆级封装,并对芯片偏移和芯片高度变化进行补偿。
- 传感器和传感器集成电路:专为高精度传感器制造量身定制,确保精确和可定制的图案。
- MEMS 和微流控设备:非常适合 MEMS 和微流控应用中所需的复杂设计。
- 分立电子元件:支持高精度、高适应性的各种电子元件的生产。
- 集成电路和专用集成电路:针对模拟和数字集成电路以及 ASIC 的高效生产进行了优化。
- 探针卡:通过确保精确的图案化和对齐,实现高精度探针卡生产,从而提高测试和检验效率。
- 电力电子:针对陶瓷等基材进行了优化,可克服翘曲和厚度变化,提供稳定的质量。
- OLED 显示屏:高精度和灵活性使 MLA 300 成为 OLED 显示屏制造的绝佳选择。
工作流程和成本效益
- 无掩膜光刻技术克服了基于掩膜的系统的局限性,提供了一个灵活的框架,用于每个芯片的图案修正、质量控制的序列化或传感器应用中的校准跟踪。
- 由于无需进行掩膜采购、验证和管理,MLA 300 简化了生产流程,减少了时间和复杂性,因为设计直接从数据中暴露出来。
- MLA 300 凭借其先进的功能提高了产量,特别是在具有挑战性的基底应用中,如受热加工影响的应用。
- 实时自动对焦系统可对基板翘曲或波纹进行补偿,即使在不平整的表面上也能确保无瑕的图案。
- 该系统采用长寿命二极管激光器,在 24/7 全天候生产情况下估计可使用长达 10 年之久,而且耗材需求极低,从而最大限度地降低了运营成本。
- 模块化设计便于快速维护,将停机时间降至最低。
请联系我们,详细了解无掩膜对准器 MLA 300 及其如何优化您的高通量微细加工流程。
无掩膜对准器 MLA 300 专为大批量生产而设计,在工业光刻领域具有无与伦比的灵活性和精确性。它支持最大 300 x 300 毫米的晶圆,能动态适应表面变化,无需昂贵而耗时的掩膜生产。通过用直接数据曝光取代传统掩膜,MLA 300 能够为先进封装、传感器校准和微机电系统制造等复杂光刻挑战提供创新解决方案。其高通量、1.5 μm 分辨率、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的无缝集成,使其成为包括微流控设备和其他先进技术在内的各种应用的理想选择。
主要功能
- 高通量生产:针对工业规模生产进行了优化,最小特征尺寸为 1.5 µm。对于更高的产量要求,我们还提供最小特征尺寸为 3 µm 的高通量写入模式。
- 先进的精度:该系统具有最高的光学质量,可确保在各种具有挑战性的基底上进行精确制图。
- 全自动化:MLA 300 具有全自动化功能,包括可定制的装载选项、专为生产环境设计的高级软件以及与 MES 系统的集成。
- 获得专利的基底跟踪技术:实时自动对焦可补偿基板翘曲或波纹,确保所有表面上的图案完美无瑕、均匀一致。
应用
- 先进的封装:能够进行扇出式晶圆级封装,并对芯片偏移和芯片高度变化进行补偿。
- 传感器和传感器集成电路:专为高精度传感器制造量身定制,确保精确和可定制的图案。
- MEMS 和微流控设备:非常适合 MEMS 和微流控应用中所需的复杂设计。
- 分立电子元件:支持高精度、高适应性的各种电子元件的生产。
- 集成电路和专用集成电路:针对模拟和数字集成电路以及 ASIC 的高效生产进行了优化。
- 探针卡:通过确保精确的图案化和对齐,实现高精度探针卡生产,从而提高测试和检验效率。
- 电力电子:针对陶瓷等基材进行了优化,可克服翘曲和厚度变化,提供稳定的质量。
- OLED 显示屏:高精度和灵活性使 MLA 300 成为 OLED 显示屏制造的绝佳选择。
工作流程和成本效益
- 无掩膜光刻技术克服了基于掩膜的系统的局限性,提供了一个灵活的框架,用于每个芯片的图案修正、质量控制的序列化或传感器应用中的校准跟踪。
- 由于无需进行掩膜采购、验证和管理,MLA 300 简化了生产流程,减少了时间和复杂性,因为设计直接从数据中暴露出来。
- MLA 300 凭借其先进的功能提高了产量,特别是在具有挑战性的基底应用中,如受热加工影响的应用。
- 实时自动对焦系统可对基板翘曲或波纹进行补偿,即使在不平整的表面上也能确保无瑕的图案。
- 该系统采用长寿命二极管激光器,在 24/7 全天候生产情况下估计可使用长达 10 年之久,而且耗材需求极低,从而最大限度地降低了运营成本。
- 模块化设计便于快速维护,将停机时间降至最低。
请联系我们,详细了解无掩膜对准器 MLA 300 及其如何优化您的高通量微细加工流程。
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Product Highlights
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直接写入光刻技术
没有与面具相关的成本、工作量或安全风险灵活性
在工业生产中,直接写入技术允许对每个模具的图案进行修正,例如对变形或工艺变化和系列化做出反应节省时间
缩短从原型设计到生产的时间。数字设计管理取代传统的掩模库曝光质量
缩放、旋转光学补偿;获得专利的基板跟踪技术动态自动对焦
在翘曲或波纹基底上实现卓越的临界尺寸 (CD) 一致性曝光速度
5 分钟内 300 x 300平方毫米(写入模式 3,两个曝光模块)全面的设施集成
可定制的自动装载机、基质卡盘(包括翘曲基质)、定制工作流程 “向导 “以及与制造执行系统(MES)的接口方便用户
符合 SEMI 标准的用户界面;为系统操作员定制的工作流程 “向导 -
Available Modules
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自动装载模块
SEMI 标准 BOLTS 平面可配置为开放式盒式或 FOUP 的装载端口。端口的数量和配置可针对圆形或矩形基板进行选择和定制制造执行系统(MES)
集成 可定制的工作流程 “向导”,用于启动曝光作业,并通过 SECS/GEM 或 OPC-UA 协议与中央 MES 集成背面对齐
可进行目视或穿晶圆红外背面对准,定位精度为 1 微米曝光波长
可提供 375 纳米波长 7 W 或 405 纳米波长 20 W 的长寿命高功率二极管激光器多用途真空吸盘
可定制真空吸盘,用于特殊基板(如翘曲面板)的应用服务合同
服务合同等级可提供更快的现场支持并加入备件库
无掩膜对准器 MLA 300 专为大批量生产而设计,在工业光刻领域具有无与伦比的灵活性和精确性。它支持最大 300 x 300 毫米的晶圆,能动态适应表面变化,无需昂贵而耗时的掩膜生产。通过用直接数据曝光取代传统掩膜,MLA 300 能够为先进封装、传感器校准和微机电系统制造等复杂光刻挑战提供创新解决方案。其高通量、1.5 μm 分辨率、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的无缝集成,使其成为包括微流控设备和其他先进技术在内的各种应用的理想选择。
主要功能
- 高通量生产:针对工业规模生产进行了优化,最小特征尺寸为 1.5 µm。对于更高的产量要求,我们还提供最小特征尺寸为 3 µm 的高通量写入模式。
- 先进的精度:该系统具有最高的光学质量,可确保在各种具有挑战性的基底上进行精确制图。
- 全自动化:MLA 300 具有全自动化功能,包括可定制的装载选项、专为生产环境设计的高级软件以及与 MES 系统的集成。
- 获得专利的基底跟踪技术:实时自动对焦可补偿基板翘曲或波纹,确保所有表面上的图案完美无瑕、均匀一致。
应用
- 先进的封装:能够进行扇出式晶圆级封装,并对芯片偏移和芯片高度变化进行补偿。
- 传感器和传感器集成电路:专为高精度传感器制造量身定制,确保精确和可定制的图案。
- MEMS 和微流控设备:非常适合 MEMS 和微流控应用中所需的复杂设计。
- 分立电子元件:支持高精度、高适应性的各种电子元件的生产。
- 集成电路和专用集成电路:针对模拟和数字集成电路以及 ASIC 的高效生产进行了优化。
- 探针卡:通过确保精确的图案化和对齐,实现高精度探针卡生产,从而提高测试和检验效率。
- 电力电子:针对陶瓷等基材进行了优化,可克服翘曲和厚度变化,提供稳定的质量。
- OLED 显示屏:高精度和灵活性使 MLA 300 成为 OLED 显示屏制造的绝佳选择。
工作流程和成本效益
- 无掩膜光刻技术克服了基于掩膜的系统的局限性,提供了一个灵活的框架,用于每个芯片的图案修正、质量控制的序列化或传感器应用中的校准跟踪。
- 由于无需进行掩膜采购、验证和管理,MLA 300 简化了生产流程,减少了时间和复杂性,因为设计直接从数据中暴露出来。
- MLA 300 凭借其先进的功能提高了产量,特别是在具有挑战性的基底应用中,如受热加工影响的应用。
- 实时自动对焦系统可对基板翘曲或波纹进行补偿,即使在不平整的表面上也能确保无瑕的图案。
- 该系统采用长寿命二极管激光器,在 24/7 全天候生产情况下估计可使用长达 10 年之久,而且耗材需求极低,从而最大限度地降低了运营成本。
- 模块化设计便于快速维护,将停机时间降至最低。
请联系我们,详细了解无掩膜对准器 MLA 300 及其如何优化您的高通量微细加工流程。
无掩膜对准器 MLA 300 专为大批量生产而设计,在工业光刻领域具有无与伦比的灵活性和精确性。它支持最大 300 x 300 毫米的晶圆,能动态适应表面变化,无需昂贵而耗时的掩膜生产。通过用直接数据曝光取代传统掩膜,MLA 300 能够为先进封装、传感器校准和微机电系统制造等复杂光刻挑战提供创新解决方案。其高通量、1.5 μm 分辨率、简化的工作流程以及与制造执行系统 (MES) 的无缝集成,使其成为包括微流控设备和其他先进技术在内的各种应用的理想选择。
主要功能
- 高通量生产:针对工业规模生产进行了优化,最小特征尺寸为 1.5 µm。对于更高的产量要求,我们还提供最小特征尺寸为 3 µm 的高通量写入模式。
- 先进的精度:该系统具有最高的光学质量,可确保在各种具有挑战性的基底上进行精确制图。
- 全自动化:MLA 300 具有全自动化功能,包括可定制的装载选项、专为生产环境设计的高级软件以及与 MES 系统的集成。
- 获得专利的基底跟踪技术:实时自动对焦可补偿基板翘曲或波纹,确保所有表面上的图案完美无瑕、均匀一致。
应用
- 先进的封装:能够进行扇出式晶圆级封装,并对芯片偏移和芯片高度变化进行补偿。
- 传感器和传感器集成电路:专为高精度传感器制造量身定制,确保精确和可定制的图案。
- MEMS 和微流控设备:非常适合 MEMS 和微流控应用中所需的复杂设计。
- 分立电子元件:支持高精度、高适应性的各种电子元件的生产。
- 集成电路和专用集成电路:针对模拟和数字集成电路以及 ASIC 的高效生产进行了优化。
- 探针卡:通过确保精确的图案化和对齐,实现高精度探针卡生产,从而提高测试和检验效率。
- 电力电子:针对陶瓷等基材进行了优化,可克服翘曲和厚度变化,提供稳定的质量。
- OLED 显示屏:高精度和灵活性使 MLA 300 成为 OLED 显示屏制造的绝佳选择。
工作流程和成本效益
- 无掩膜光刻技术克服了基于掩膜的系统的局限性,提供了一个灵活的框架,用于每个芯片的图案修正、质量控制的序列化或传感器应用中的校准跟踪。
- 由于无需进行掩膜采购、验证和管理,MLA 300 简化了生产流程,减少了时间和复杂性,因为设计直接从数据中暴露出来。
- MLA 300 凭借其先进的功能提高了产量,特别是在具有挑战性的基底应用中,如受热加工影响的应用。
- 实时自动对焦系统可对基板翘曲或波纹进行补偿,即使在不平整的表面上也能确保无瑕的图案。
- 该系统采用长寿命二极管激光器,在 24/7 全天候生产情况下估计可使用长达 10 年之久,而且耗材需求极低,从而最大限度地降低了运营成本。
- 模块化设计便于快速维护,将停机时间降至最低。
请联系我们,详细了解无掩膜对准器 MLA 300 及其如何优化您的高通量微细加工流程。
直接写入光刻技术
灵活性
节省时间
曝光质量
动态自动对焦
曝光速度
全面的设施集成
方便用户
自动装载模块
制造执行系统(MES)
背面对齐
曝光波长
多用途真空吸盘
服务合同
Customer applications
Why customers choose our systems
Technical Data
写作表现 | 写入模式 2 | 写入模式 3 |
---|---|---|
最小线和间距 [µm] | 2 | 3 |
最小特征尺寸 [µm] | 1.5 | 3 |
光密度均匀性[3σ,纳米] | 200 | 300 |
边缘粗糙度 [3σ,纳米] | 80 | 100 |
第 2 层对齐 [3σ, nm] | 500 | 700 |
背面对齐 [3σ, nm] | 1000 | 1000 |
曝光时间(80 mJ/cm² 和 405 nm 激光),100 x 100 mm² | 2.75 分钟(安装一个曝光模块) | 1.5 分钟(安装一个曝光模块) |
200 x 200 mm² 的曝光时间(80 mJ/cm²,405 nm 激光器 | 9 分钟(安装一个曝光模块) 4.7 分钟(安装两个曝光模块) | 4.6 分钟(安装一个曝光模块) 2.5 分钟(安装两个曝光模块) |
曝光时间(80 mJ/cm² 和 405 nm 激光),300 x 300 mm² | 19.5 分钟(安装一个曝光模块) 10 分钟(安装两个曝光模块) | 9.6 分钟(安装一个曝光模块) 5 分钟(安装两个曝光模块) |
最大写入速度 (405 纳米激光)[毫米²/分钟] | 4615 (安装一个曝光模块) 9000 (安装两个曝光模块) | 9375 (安装一个曝光模块) 18000 (安装两个曝光模块) |
系统功能 | |
---|---|
光源 | 375 纳米和/或 405 纳米长寿命高功率二极管激光器 |
最大基板尺寸 | 300 x 300 平方毫米 |
最大曝光面积 | 300 x 300 平方毫米 |
基底厚度 | 0.1 - 10 毫米 |
内部温度稳定性 | ± 0.1°C |
实时自动对焦 | 光学和气动自动对焦 |
自动对焦动态范围 | 最大 150 微米 |
对齐 | 高级对齐;背面对齐可选 |
自动化 | 自动晶圆处理和预对准 |
系统尺寸(不包括装载机) | |
高 × 宽 × 深 | 1980 毫米 x 1200 毫米 x 2310 毫米 |
重量 | 2600 千克 |
安装要求 | |
电气 | 400 伏交流,50/60 赫兹,16 A |
压缩空气 | 7 - 10 巴 |
请注意
规格取决于个别流程条件,并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更,恕不另行通知。