DWL 66+

联系
下载

终极光刻研究工具

  • 产品说明

  • DWL 66+具有无与伦比的多功能性、专业级灰度功能以及市场上所有直写激光系统中最高的分辨率。

    作为一个高度通用的系统，DWL 66+专为微机电系统、微电子、微流体、传感器、光学、光子学、光伏、材料科学、量子设备等领域的研发和快速原型设计而设计，几乎适用于任何需要微结构制造的应用。

    主要功能

    • 200 纳米最小特征尺寸的高分辨率模式：我们的写入模式 XR 可提供无与伦比的分辨率、质量和速度组合。
    • 65,536 级灰度曝光：可在厚度达 150 µm 的抗蚀剂中进行灰度曝光，并具有出色的表面质量。
    • 完全可定制的系统配置：30 年的持续开发和 400 多台已安装设备使 DWL 66+成为市场上功能最全面、最成熟的系统。

    将光学平版印刷技术提升到新水平

    DWL 66+不仅仅是光罩校准器的替代品，它还是一种升级产品，能将精度、分辨率和结构保真度提高到一个新的水平。这种无掩模系统将大大缩短开发新设备所需的时间，并带来新的可能性。

    • 即时更改设计：修改 CAD 文件并立即开始曝光。没有与掩码相关的成本、工作量、等待时间或安全风险。
    • 多种基底兼容性：DWL 66+不仅能在标准芯片或晶圆上曝光，还能在任何材料、尺寸、厚度或形状的基底上曝光，包括曲面。
    • 减少电子束光刻系统的工作量：在许多情况下，DWL 66+可以执行以前需要电子束光刻系统才能完成的曝光，从而将电子束解放出来，用于要求更高的任务。

    毫不妥协的曝光质量

    DWL 66+是专为研发而设计的，但它采用了我们工业生产系统的核心技术，以确保最高水平的精度和可重复性。

    • 受控环境：DWL 66+系统包括一个层流箱，可最大限度地减少微粒污染，并确保暴露期间的热稳定性。
    • 干涉位置控制：高分辨率干涉仪与实时光束位置校正相结合，确保了图案放置的准确性和结构的真实性。
    • 实时自动对焦系统：DWL 66+包括常见的光学自动对焦系统，但通过专有的辅助自动对焦系统进行了增强，该系统的功能独立于光学反馈。这样，即使在透明或低反射率基底上也能实现精确对焦。

    质量与生产率的优化组合

    DWL 66+不会为了提高产量而降低曝光质量。写入速度为最高质量设置，写入时间不取决于曝光区域内的填充系数、形状或结构数量。

    • 可交换写入模式：轻松切换写入模式，优化分辨率和吞吐量，满足您的应用需求。
    • 专有软件和硬件：直观的用户界面，加上优化的设计准备和快速的数据转换，实现了从设置到曝光的快速工作流程。
    • 全自动化：DWL 66+的操作可通过自动正面或背面校准以及盒到盒处理系统实现全自动化。

    DWL 66+具有无与伦比的多功能性、专业级灰度功能以及市场上所有直写激光系统中最高的分辨率。

    作为一个高度通用的系统，DWL 66+专为微机电系统、微电子、微流体、传感器、光学、光子学、光伏、材料科学、量子设备等领域的研发和快速原型设计而设计，几乎适用于任何需要微结构制造的应用。

    主要功能

    • 200 纳米最小特征尺寸的高分辨率模式：我们的写入模式 XR 可提供无与伦比的分辨率、质量和速度组合。
    • 65,536 级灰度曝光：可在厚度达 150 µm 的抗蚀剂中进行灰度曝光，并具有出色的表面质量。
    • 完全可定制的系统配置：30 年的持续开发和 400 多台已安装设备使 DWL 66+成为市场上功能最全面、最成熟的系统。

    将光学平版印刷技术提升到新水平

    DWL 66+不仅仅是光罩校准器的替代品，它还是一种升级产品，能将精度、分辨率和结构保真度提高到一个新的水平。这种无掩模系统将大大缩短开发新设备所需的时间，并带来新的可能性。

    • 即时更改设计：修改 CAD 文件并立即开始曝光。没有与掩码相关的成本、工作量、等待时间或安全风险。
    • 多种基底兼容性：DWL 66+不仅能在标准芯片或晶圆上曝光，还能在任何材料、尺寸、厚度或形状的基底上曝光，包括曲面。
    • 减少电子束光刻系统的工作量：在许多情况下，DWL 66+可以执行以前需要电子束光刻系统才能完成的曝光，从而将电子束解放出来，用于要求更高的任务。

    毫不妥协的曝光质量

    DWL 66+是专为研发而设计的，但它采用了我们工业生产系统的核心技术，以确保最高水平的精度和可重复性。

    • 受控环境：DWL 66+系统包括一个层流箱，可最大限度地减少微粒污染，并确保暴露期间的热稳定性。
    • 干涉位置控制：高分辨率干涉仪与实时光束位置校正相结合，确保了图案放置的准确性和结构的真实性。
    • 实时自动对焦系统：DWL 66+包括常见的光学自动对焦系统，但通过专有的辅助自动对焦系统进行了增强，该系统的功能独立于光学反馈。这样，即使在透明或低反射率基底上也能实现精确对焦。

    质量与生产率的优化组合

    DWL 66+不会为了提高产量而降低曝光质量。写入速度为最高质量设置，写入时间不取决于曝光区域内的填充系数、形状或结构数量。

    • 可交换写入模式：轻松切换写入模式，优化分辨率和吞吐量，满足您的应用需求。
    • 专有软件和硬件：直观的用户界面，加上优化的设计准备和快速的数据转换，实现了从设置到曝光的快速工作流程。
    • 全自动化：DWL 66+的操作可通过自动正面或背面校准以及盒到盒处理系统实现全自动化。

    > 400套已安装系统

  • 产品亮点

  • 市场上最高的分辨率

    最小特征尺寸为 200 纳米。

    先进的灰度功能

    在强大的设计软件支持下，可提供多达 65,536 个灰度级。

    高吞吐量

    只需 10 分钟即可曝光一块 6 英寸的晶片。

    成熟技术

    全球已安装 400 套系统。

  • 可用模块

  • 6 种写入模式

    最小特征尺寸从 200 nm 到 4 µm，使您能够优化应用性能。

    3 种灰度模式

    灰度级高达 65,536 级，拥有功能强大的设计软件和 GenISys BEAMER 软件界面。

    曝光波长

    波长为 375 纳米或 405 纳米的二极管激光器。

    双自动对焦系统

    包括光学自动对焦和专有气动系统，可确保在任何基底（包括透明或低反射率材料）上完美对焦。

    灵活的基底处理

    适用基板尺寸从 3 毫米到 230 毫米晶圆。

    高精度校准选项

    提高热稳定性和定位精度，满足最苛刻的应用要求，实现 350 nm 的第二层对准精度。

    自由形态曝光模块

    可在非平面基底（如凸/凹透镜）上进行曝光，特征尺寸小至 3 微米。

    矢量曝光模式

    适用于需要平滑、连续曲线和轮廓的结构和形状的图案化。

    全自动装载机

    自动盒到盒处理，可处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的晶片。还可选配第二个供片盒站、预对准器和晶片扫描仪。

DWL 66+具有无与伦比的多功能性、专业级灰度功能以及市场上所有直写激光系统中最高的分辨率。

作为一个高度通用的系统，DWL 66+专为微机电系统、微电子、微流体、传感器、光学、光子学、光伏、材料科学、量子设备等领域的研发和快速原型设计而设计，几乎适用于任何需要微结构制造的应用。

主要功能

  • 200 纳米最小特征尺寸的高分辨率模式：我们的写入模式 XR 可提供无与伦比的分辨率、质量和速度组合。
  • 65,536 级灰度曝光：可在厚度达 150 µm 的抗蚀剂中进行灰度曝光，并具有出色的表面质量。
  • 完全可定制的系统配置：30 年的持续开发和 400 多台已安装设备使 DWL 66+成为市场上功能最全面、最成熟的系统。

将光学平版印刷技术提升到新水平

DWL 66+不仅仅是光罩校准器的替代品，它还是一种升级产品，能将精度、分辨率和结构保真度提高到一个新的水平。这种无掩模系统将大大缩短开发新设备所需的时间，并带来新的可能性。

  • 即时更改设计：修改 CAD 文件并立即开始曝光。没有与掩码相关的成本、工作量、等待时间或安全风险。
  • 多种基底兼容性：DWL 66+不仅能在标准芯片或晶圆上曝光，还能在任何材料、尺寸、厚度或形状的基底上曝光，包括曲面。
  • 减少电子束光刻系统的工作量：在许多情况下，DWL 66+可以执行以前需要电子束光刻系统才能完成的曝光，从而将电子束解放出来，用于要求更高的任务。

毫不妥协的曝光质量

DWL 66+是专为研发而设计的，但它采用了我们工业生产系统的核心技术，以确保最高水平的精度和可重复性。

  • 受控环境：DWL 66+系统包括一个层流箱，可最大限度地减少微粒污染，并确保暴露期间的热稳定性。
  • 干涉位置控制：高分辨率干涉仪与实时光束位置校正相结合，确保了图案放置的准确性和结构的真实性。
  • 实时自动对焦系统：DWL 66+包括常见的光学自动对焦系统，但通过专有的辅助自动对焦系统进行了增强，该系统的功能独立于光学反馈。这样，即使在透明或低反射率基底上也能实现精确对焦。

质量与生产率的优化组合

DWL 66+不会为了提高产量而降低曝光质量。写入速度为最高质量设置，写入时间不取决于曝光区域内的填充系数、形状或结构数量。

  • 可交换写入模式：轻松切换写入模式，优化分辨率和吞吐量，满足您的应用需求。
  • 专有软件和硬件：直观的用户界面，加上优化的设计准备和快速的数据转换，实现了从设置到曝光的快速工作流程。
  • 全自动化：DWL 66+的操作可通过自动正面或背面校准以及盒到盒处理系统实现全自动化。

DWL 66+具有无与伦比的多功能性、专业级灰度功能以及市场上所有直写激光系统中最高的分辨率。

作为一个高度通用的系统，DWL 66+专为微机电系统、微电子、微流体、传感器、光学、光子学、光伏、材料科学、量子设备等领域的研发和快速原型设计而设计，几乎适用于任何需要微结构制造的应用。

主要功能

  • 200 纳米最小特征尺寸的高分辨率模式：我们的写入模式 XR 可提供无与伦比的分辨率、质量和速度组合。
  • 65,536 级灰度曝光：可在厚度达 150 µm 的抗蚀剂中进行灰度曝光，并具有出色的表面质量。
  • 完全可定制的系统配置：30 年的持续开发和 400 多台已安装设备使 DWL 66+成为市场上功能最全面、最成熟的系统。

将光学平版印刷技术提升到新水平

DWL 66+不仅仅是光罩校准器的替代品，它还是一种升级产品，能将精度、分辨率和结构保真度提高到一个新的水平。这种无掩模系统将大大缩短开发新设备所需的时间，并带来新的可能性。

  • 即时更改设计：修改 CAD 文件并立即开始曝光。没有与掩码相关的成本、工作量、等待时间或安全风险。
  • 多种基底兼容性：DWL 66+不仅能在标准芯片或晶圆上曝光，还能在任何材料、尺寸、厚度或形状的基底上曝光，包括曲面。
  • 减少电子束光刻系统的工作量：在许多情况下，DWL 66+可以执行以前需要电子束光刻系统才能完成的曝光，从而将电子束解放出来，用于要求更高的任务。

毫不妥协的曝光质量

DWL 66+是专为研发而设计的，但它采用了我们工业生产系统的核心技术，以确保最高水平的精度和可重复性。

  • 受控环境：DWL 66+系统包括一个层流箱，可最大限度地减少微粒污染，并确保暴露期间的热稳定性。
  • 干涉位置控制：高分辨率干涉仪与实时光束位置校正相结合，确保了图案放置的准确性和结构的真实性。
  • 实时自动对焦系统：DWL 66+包括常见的光学自动对焦系统，但通过专有的辅助自动对焦系统进行了增强，该系统的功能独立于光学反馈。这样，即使在透明或低反射率基底上也能实现精确对焦。

质量与生产率的优化组合

DWL 66+不会为了提高产量而降低曝光质量。写入速度为最高质量设置，写入时间不取决于曝光区域内的填充系数、形状或结构数量。

  • 可交换写入模式：轻松切换写入模式，优化分辨率和吞吐量，满足您的应用需求。
  • 专有软件和硬件：直观的用户界面，加上优化的设计准备和快速的数据转换，实现了从设置到曝光的快速工作流程。
  • 全自动化：DWL 66+的操作可通过自动正面或背面校准以及盒到盒处理系统实现全自动化。

> 400套已安装系统

市场上最高的分辨率

最小特征尺寸为 200 纳米。

先进的灰度功能

在强大的设计软件支持下，可提供多达 65,536 个灰度级。

高吞吐量

只需 10 分钟即可曝光一块 6 英寸的晶片。

成熟技术

全球已安装 400 套系统。

6 种写入模式

最小特征尺寸从 200 nm 到 4 µm，使您能够优化应用性能。

3 种灰度模式

灰度级高达 65,536 级，拥有功能强大的设计软件和 GenISys BEAMER 软件界面。

曝光波长

波长为 375 纳米或 405 纳米的二极管激光器。

双自动对焦系统

包括光学自动对焦和专有气动系统，可确保在任何基底（包括透明或低反射率材料）上完美对焦。

灵活的基底处理

适用基板尺寸从 3 毫米到 230 毫米晶圆。

高精度校准选项

提高热稳定性和定位精度，满足最苛刻的应用要求，实现 350 nm 的第二层对准精度。

自由形态曝光模块

可在非平面基底（如凸/凹透镜）上进行曝光，特征尺寸小至 3 微米。

矢量曝光模式

适用于需要平滑、连续曲线和轮廓的结构和形状的图案化。

全自动装载机

自动盒到盒处理，可处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的晶片。还可选配第二个供片盒站、预对准器和晶片扫描仪。

客户应用

Blazed Gratings at various angles from 10 to 70 degrees.
Blazed Gratings at various angles from 10 to 70 degrees.
Concentric rings with a linewidth of about 200 nm and a pitch of 700 nm.
Concentric rings with a linewidth of about 200 nm and a pitch of 700 nm.
Pushing the limits with Write Mode XR – lines and spaces with 400 nm pitch.
Pushing the limits with Write Mode XR – lines and spaces with 400 nm pitch.
Radial comb drive exposed in 80 µm thick mr-DWL resist.
Radial comb drive exposed in 80 µm thick mr-DWL resist.
Isolated line exposed with Write Mode XR in 300 nm thick resist.
Isolated line exposed with Write Mode XR in 300 nm thick resist.
Half of a Concave Fresnel Lens with 1 mm diameter.
Half of a Concave Fresnel Lens with 1 mm diameter.
Diffractive Optical Element (DOE) with 2 µm wide pixels in 4 µm thick resist.
Diffractive Optical Element (DOE) with 2 µm wide pixels in 4 µm thick resist.
Concentric rings with a linewidth of about 200 nm and a pitch of 700 nm.
Concentric rings with a linewidth of about 200 nm and a pitch of 700 nm.
Pushing the limits with Write Mode XR – a 100 nm gap between exposed features is achievable with optimized process parameters.
Pushing the limits with Write Mode XR – a 100 nm gap between exposed features is achievable with optimized process parameters.
Fraunhofer logo across a 500 µm high etched side wall with 55° slope.(Courtesy of Oliver Haverbeck and Jens Rodenbach, Fraunhofer IMM).
Fraunhofer logo across a 500 µm high etched side wall with 55° slope. Courtesy of Oliver Haverbeck and Jens Rodenbach, Fraunhofer IMM.
225 nm wide and 850 nm high ridges with 2 µm pitch remaining after exposure of the spaces in between.
225 nm wide and 850 nm high ridges with 2 µm pitch remaining after exposure of the spaces in between.
Artistic fish relief in 60 µm thick resist.
Artistic fish relief in 60 µm thick resist.
Combination of an array of micro lenses with a diameter of 20 µm, a Frenel Vortex Axicon with angles from 22° to 45° and the Heidelberg Instruments Logo in 10 µm thick resist.
Combination of an array of micro lenses with a diameter of 20 µm, a Frenel Vortex Axicon with angles from 22° to 45° and the Heidelberg Instruments Logo in 10 µm thick resist.

客户为何选择我们的系统

"在科罗娜大流行期间订购 DWL 66+设备是一个巨大的挑战。但这也变成了一种优势。安装非常及时。通过远程培训，我们迅速了解了灰度光刻技术，在三名本科生的帮助下掌握了基本工艺知识，并立即投入到第一个工业项目中，这些项目为我们提供了实际经验，让我们深入了解了新工具的能力。在此期间，我们与Heidelberg Instruments 进行了深入交流，这对我们进一步了解三维光刻技术的基础知识起到了重要作用。因此可以说，选择 DWL 66+是正确的，它很好地补充了我们在保罗舍勒研究所追求的其他光刻技术"。

Helmut Schift 博士，先进纳米制造小组负责人
Paul Scherrer Institute (PSI)
Villigen，瑞士

"在使用 µPG 101（µMLA 的前身）制作具有挑战性的衍射光学元件取得成功后，我们在 2021 年为实验室配备了 DWL 66+。这种工具速度更快，写入面积更大，稳定性好，适合高分辨率灰度图案化。它使我们能够制造出迄今为止最大的平面透镜。我们非常感谢Heidelberg Instruments 提供的支持与合作，尤其是在不断改进光刻工艺方面"。

Rajesh Menon 博士，教授
犹他大学
美国盐湖城

"在我们研究所，DWL 66+是传统掩膜光刻技术与电子束光刻技术之间的桥梁技术，前者可以实现高吞吐量，后者可以保证非常高的分辨率，但却是一种缓慢的结构化工艺。DWL 66+正是对现有结构化工艺的一种补充。DWL 66+使我们能够在内部生产用于传统光刻技术的玻璃掩模，进行原型设计，并在可接受的时间内加工出总面积较大的亚微米级结构"。

Sascha de Wall，副研究员，组长
微型生产技术研究所
汉诺威莱布尼茨大学
汉诺威，德国

"DWL 66+ 是一种非常灵活和多用途的工具，可以使用任何尺寸和形状的基板，也可以自由选择材料。对于像 XRnanotech 这样提供定制解决方案的公司来说，这是一个很大的优势，因为这些解决方案往往与'正常'要求不同。该工具对于我们的许多现有产品（如中央光束阻挡器和氮化硅膜）至关重要，同时也为微光学领域提供了许多新的可能性"。

Florian Döring 博士，首席执行官兼创始人
XRnanotech
瑞士维利根

技术数据

写入模式XRIIIIII四V
最小特征尺寸 [μm]0.20.60.8124
最小线段和空间 [μm]0.30.811.535
地址网格 [nm]5102550100200
边缘粗糙度 [nm］50507080110160
光盘均匀性 [nm]607080130250400
5 x 5 mm² 上的第 2 层对齐[纳米]250250250250350500
超过 100 x 100 mm² 的第 2 层对齐 [nm]500500500500 8001000
背面对齐 [nm]100010001000100010001000
使用二极管激光器（405 纳米）时的写入速度 [mm²/min] （毫米/分钟3.513401506002000
使用紫外二极管激光器（375 纳米）时的写入速度 [mm²/min] （毫米/分钟2.51030110
x 和 y 方向的像素网格[纳米］501002505001000 2000
扫描速度[毫米/秒］18003600450090001800036000
系统功能
光源405 纳米或 375 纳米二极管激光器
基底尺寸可变：5 x 5 mm² 至 9″ x 9″ | 可根据要求定制
基底厚度0 至 12 毫米
最大暴露面积200 x 200 平方毫米
环境室温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境
实时自动对焦光学自动对焦或气压计自动对焦
自动对焦补偿范围80 μm
标准或高级灰度模式分别为 128 或 32 768 灰度级
矢量模式可书写无缝线条
相机概览13 x 10 mm² 视场便于对准标记和基底导航
背面对齐（可选）可对准 基质背面的结构进行曝光
高级选项 - 性能升级
高精度坐标系包括黄金板校准和气候监测：第 2 层 对 100 x 100 mm² 的校准提高到 350 nm
专业灰度模式65,536 级灰度，专业数据转换软件
自动装载系统处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的晶片，配有两个载物台、预对准器和晶片扫描仪
标准版系统尺寸
宽 × 深 × 高1300 毫米 × 1100 毫米 × 1950 毫米（仅光刻装置）
重量1000 千克（仅光刻装置）
安装要求
电气230 伏交流 ± 5 %，50/60 赫兹，16 A
压缩空气6 - 10 巴

请注意
规格取决于个别流程条件，并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更，恕不另行通知

下载宣传册

联系我们

我们随时为您服务。
请将您的请求发送给我们。
要查看表格，请启用营销 Cookie。

销售申请

注册

订阅我们的时事通讯
，接收最新信息。
要查看表格，请启用营销 Cookie。

订阅

连接

关注我们的社交媒体，从
一系列有用的资源中获益。

Linkedin Youtube

申请

核心技术

主要特点

产品

图书馆

服务

新闻与活动

公司

Heidelberg Instruments 不保证译文的完整性和正确性。

法律声明

数据保护

条款和条件

Cookie 设置

Scroll to Top