用于研究和原型开发的多功能工具,具有可变分辨率和多种模块选择,便于定制
-
Product Description
-
DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。
它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。
DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。
它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。
-
Product Highlights
-
曝光质量
CD 均匀度 60 nm;边缘粗糙度 50 nm;第二层对齐 500 nm;自动对焦补偿 80 µm灰度平版印刷
灰度级高达 1024 级;专用 GenISys BEAMER 软件可优化复杂几何图形的曝光效果多功能性
有 6 种写入模式和 2 种激光波长可供选择;3 种灰度曝光机制;可提供的附加模块数量最多,包括自动化选项 -
Available Modules
-
6 种写入模式
最小特征为 300 纳米至 4 微米曝光波长
波长为 375 纳米或 405 纳米的二极管激光器自动对焦
气压计或光学自动对焦,可对小样品(小于 10 毫米)进行完美曝光可变基质
尺寸从 3 毫米到 230 毫米2 种灰度模式
灰度级高达 1024 级,GenISys BEAMER 专用软件可优化复杂几何图形的曝光效果高精度选项
采取各种技术措施,提高平台坐标系的热稳定性和位置精度。改进了第二层对准的规格:350 纳米自动装载机
可处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的基板。可选配第二个供片盒站。可提供预对准器和晶片扫描仪基本自由形态 (BFF)
在非平面基底上进行曝光,最小特征为 3 μm。典型应用是凸透镜或凹透镜顶部的微结构矢量扫描模式
在需要平滑轮廓的地方,绘制由弧线组成的结构和形状图案
DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。
它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。
DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。
它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。
曝光质量
灰度平版印刷
多功能性
6 种写入模式
曝光波长
自动对焦
可变基质
2 种灰度模式
高精度选项
自动装载机
基本自由形态 (BFF)
矢量扫描模式
Customer applications
Why customers choose our systems
"在科罗娜大流行期间订购 DWL 66+设备是一个巨大的挑战。但这也变成了一种优势。安装非常及时。通过远程培训,我们迅速了解了灰度光刻技术,在三名本科生的帮助下掌握了基本工艺知识,并立即投入到第一个工业项目中,这些项目为我们提供了实际经验,让我们深入了解了新工具的能力。在此期间,我们与海德堡仪器公司(Heidelberg Instruments)进行了深入交流,这对我们进一步了解三维光刻技术的基础知识起到了重要作用。因此可以说,选择 DWL 66+是正确的,它很好地补充了我们在保罗舍勒研究所追求的其他光刻技术"。
Helmut Schift 博士,先进纳米制造小组负责人
Paul Scherrer Institute (PSI)
Villigen,瑞士
"在使用 µPG 101(µMLA 的前身)制作具有挑战性的衍射光学元件取得成功后,我们在 2021 年为实验室配备了 DWL 66+。这种工具速度更快、书写区域更大,并且具有良好的稳定性,可进行高分辨率灰度图案化。它使我们能够制造出迄今为止最大的平面透镜。我们非常感谢海德堡仪器公司的支持与合作,尤其是在不断改进光刻工艺方面"。
Rajesh Menon 博士,教授
犹他大学
美国盐湖城
"在我们研究所,DWL 66+是传统掩膜光刻技术与电子束光刻技术之间的桥梁技术,前者可以实现高吞吐量,后者可以保证非常高的分辨率,但却是一种缓慢的结构化工艺。DWL 66+正是对现有结构化工艺的一种补充。DWL 66+使我们能够在内部生产用于传统光刻技术的玻璃掩模,进行原型设计,并在可接受的时间内加工出总面积较大的亚微米级结构"。
Sascha de Wall,副研究员,组长
微型生产技术研究所
汉诺威莱布尼茨大学
汉诺威,德国
Technical Data
写入模式 | 高分辨率 | I | II | III | 四 | V |
---|---|---|---|---|---|---|
写作表现 | ||||||
最小特征尺寸 [μm] | 0.3 | 0.6 | 0.8 | 1 | 2 | 4 |
最小线段和空间 [μm] | 0.5 | 0.8 | 1 | 1.5 | 3 | 5 |
地址网格 [nm] | 5 | 10 | 25 | 50 | 100 | 200 |
边缘粗糙度 [3σ,纳米] | 50 | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 |
CD 均匀度 [3σ,纳米] | 60 | 70 | 80 | 130 | 250 | 400 |
5 x 5 mm² 上的第 2 层对齐[纳米] | 250 | 250 | 250 | 250 | 350 | 500 |
超过 100 x 100 mm² 的第 2 层对齐 [nm] | 500 | 500 | 500 | 500 | 800 | 1000 |
背面对齐 [nm] | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
带二极管激光器(405 纳米) | ||||||
写入速度 [mm²/min] | 3 | 13 | 40 | 150 | 600 | 2000 |
100 x 100 mm² 面积的曝光时间 [分钟] | 3000 | 740 | 255 | 72 | 20 | 7 |
配备紫外线二极管激光器(375 纳米) | ||||||
写入速度 [mm²/min] | 2 | 10 | 30 | 110 | ||
100 x 100 mm² 面积的曝光时间 [分钟] | 5000 | 1015 | 350 | 100 |
系统功能 | |
---|---|
光源 | 405 纳米或 375 纳米二极管激光器 |
基底尺寸 | 可变:5 x 5 mm² 至 9″ x 9″ | 可根据要求定制 |
基底厚度 | 0 至 12 毫米 |
最大暴露面积 | 200 x 200 平方毫米 |
温控流化箱 | 温度稳定性 ± 0.1°,ISO 4 环境 |
实时自动对焦 | 光学自动对焦或气压计自动对焦 |
自动对焦补偿范围 | 80 μm |
标准或高级灰度模式 | 分别为 128 / 256 灰度级 |
矢量模式 | 可书写无缝线条 |
相机概览 | 8 x 10 mm² 视场便于对准标记和基底导航 |
背面对齐(可选) | 可对准 基质背面的结构进行曝光 |
高级选项 - 性能升级 | |
高精度坐标系 | 包括黄金板校准和气候监测:第二层 校准至 350 纳米 |
专业灰度模式 | 1024 灰度级,专业数据转换软件 |
自动装载系统 | 处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的晶片,配有两个载物台、预对准器和晶片扫描仪 |
标准版系统尺寸 | |
宽 × 深 × 高 | 1300 毫米 × 1100 毫米 × 1950 毫米(仅光刻装置) |
重量 | 1000 千克(仅光刻装置) |
安装要求 | |
电气 | 230 伏交流 ± 5 %,50/60 赫兹,16 A |
压缩空气 | 6 - 10 巴 |
请注意
规格取决于个别流程条件,并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更,恕不另行通知