用于研究和原型开发的多功能工具,具有可变分辨率和多种模块选择,便于定制

  • Product Description

  • DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。

    它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。

    DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。

    它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。

  • Product Highlights

  • 曝光质量

    CD 均匀度 60 nm;边缘粗糙度 50 nm;第二层对齐 500 nm;自动对焦补偿 80 µm

    灰度平版印刷

    灰度级高达 1024 级;专用 GenISys BEAMER 软件可优化复杂几何图形的曝光效果

    多功能性

    有 6 种写入模式和 2 种激光波长可供选择;3 种灰度曝光机制;可提供的附加模块数量最多,包括自动化选项
  • Available Modules

  • 6 种写入模式

    最小特征为 300 纳米至 4 微米

    曝光波长

    波长为 375 纳米或 405 纳米的二极管激光器

    自动对焦

    气压计或光学自动对焦,可对小样品(小于 10 毫米)进行完美曝光

    可变基质

    尺寸从 3 毫米到 230 毫米

    2 种灰度模式

    灰度级高达 1024 级,GenISys BEAMER 专用软件可优化复杂几何图形的曝光效果

    高精度选项

    采取各种技术措施,提高平台坐标系的热稳定性和位置精度。改进了第二层对准的规格:350 纳米

    自动装载机

    可处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的基板。可选配第二个供片盒站。可提供预对准器和晶片扫描仪

    基本自由形态 (BFF)

    在非平面基底上进行曝光,最小特征为 3 μm。典型应用是凸透镜或凹透镜顶部的微结构

    矢量扫描模式

    在需要平滑轮廓的地方,绘制由弧线组成的结构和形状图案

DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。

它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。

DWL 66+激光光刻工具是一种高分辨率直写图形发生器。 作为全能型设备,DWL 66+是微电子、微机电系统(MEMS)、微流体、传感器、非标准基板、先进封装等领域研发(R&D)的理想之选,几乎适用于任何需要微结构制造的学术应用。 DWL 66+以其灰度曝光模式脱颖而出,可创建复杂的 2.5D 微型结构,如移动应用的微型光学器件、衍射光学元件 (DOE)、计算机生成的全息图和结构化表面。

它是一个高度灵活、可定制的系统,可精确满足您的应用需求。 DWL 66+的主要功能包括高分辨率模式、正面和背面校准、绝对位置校准和自动装载系统。

曝光质量

CD 均匀度 60 nm;边缘粗糙度 50 nm;第二层对齐 500 nm;自动对焦补偿 80 µm

灰度平版印刷

灰度级高达 1024 级;专用 GenISys BEAMER 软件可优化复杂几何图形的曝光效果

多功能性

有 6 种写入模式和 2 种激光波长可供选择;3 种灰度曝光机制;可提供的附加模块数量最多,包括自动化选项

6 种写入模式

最小特征为 300 纳米至 4 微米

曝光波长

波长为 375 纳米或 405 纳米的二极管激光器

自动对焦

气压计或光学自动对焦,可对小样品(小于 10 毫米)进行完美曝光

可变基质

尺寸从 3 毫米到 230 毫米

2 种灰度模式

灰度级高达 1024 级,GenISys BEAMER 专用软件可优化复杂几何图形的曝光效果

高精度选项

采取各种技术措施,提高平台坐标系的热稳定性和位置精度。改进了第二层对准的规格:350 纳米

自动装载机

可处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的基板。可选配第二个供片盒站。可提供预对准器和晶片扫描仪

基本自由形态 (BFF)

在非平面基底上进行曝光,最小特征为 3 μm。典型应用是凸透镜或凹透镜顶部的微结构

矢量扫描模式

在需要平滑轮廓的地方,绘制由弧线组成的结构和形状图案

Customer applications

Why customers choose our systems

"在科罗娜大流行期间订购 DWL 66+设备是一个巨大的挑战。但这也变成了一种优势。安装非常及时。通过远程培训,我们迅速了解了灰度光刻技术,在三名本科生的帮助下掌握了基本工艺知识,并立即投入到第一个工业项目中,这些项目为我们提供了实际经验,让我们深入了解了新工具的能力。在此期间,我们与海德堡仪器公司(Heidelberg Instruments)进行了深入交流,这对我们进一步了解三维光刻技术的基础知识起到了重要作用。因此可以说,选择 DWL 66+是正确的,它很好地补充了我们在保罗舍勒研究所追求的其他光刻技术"。

Helmut Schift 博士,先进纳米制造小组负责人
Paul Scherrer Institute (PSI)
Villigen,瑞士

"在使用 µPG 101(µMLA 的前身)制作具有挑战性的衍射光学元件取得成功后,我们在 2021 年为实验室配备了 DWL 66+。这种工具速度更快、书写区域更大,并且具有良好的稳定性,可进行高分辨率灰度图案化。它使我们能够制造出迄今为止最大的平面透镜。我们非常感谢海德堡仪器公司的支持与合作,尤其是在不断改进光刻工艺方面"。

Rajesh Menon 博士,教授
犹他大学
美国盐湖城

"在我们研究所,DWL 66+是传统掩膜光刻技术与电子束光刻技术之间的桥梁技术,前者可以实现高吞吐量,后者可以保证非常高的分辨率,但却是一种缓慢的结构化工艺。DWL 66+正是对现有结构化工艺的一种补充。DWL 66+使我们能够在内部生产用于传统光刻技术的玻璃掩模,进行原型设计,并在可接受的时间内加工出总面积较大的亚微米级结构"。

Sascha de Wall,副研究员,组长
微型生产技术研究所
汉诺威莱布尼茨大学
汉诺威,德国

Technical Data

写入模式高分辨率IIIIIIV
写作表现
最小特征尺寸 [μm]0.30.60.8124
最小线段和空间 [μm]0.50.811.535
地址网格 [nm]5102550100200
边缘粗糙度 [3σ,纳米]50507080110160
CD 均匀度 [3σ,纳米]607080130250400
5 x 5 mm² 上的第 2 层对齐[纳米]250250250250350500
超过 100 x 100 mm² 的第 2 层对齐 [nm]500500500500 8001000
背面对齐 [nm]100010001000100010001000
带二极管激光器(405 纳米)
写入速度 [mm²/min] 313401506002000
100 x 100 mm² 面积的曝光时间 [分钟]300074025572207
配备紫外线二极管激光器(375 纳米)
写入速度 [mm²/min] 21030110
100 x 100 mm² 面积的曝光时间 [分钟]50001015350100
系统功能
光源405 纳米或 375 纳米二极管激光器
基底尺寸可变:5 x 5 mm² 至 9″ x 9″ | 可根据要求定制
基底厚度0 至 12 毫米
最大暴露面积200 x 200 平方毫米
温控流化箱温度稳定性 ± 0.1°,ISO 4 环境
实时自动对焦光学自动对焦或气压计自动对焦
自动对焦补偿范围80 μm
标准或高级灰度模式分别为 128 / 256 灰度级
矢量模式可书写无缝线条
相机概览8 x 10 mm² 视场便于对准标记和基底导航
背面对齐(可选)可对准 基质背面的结构进行曝光
高级选项 - 性能升级
高精度坐标系包括黄金板校准和气候监测:第二层 校准至 350 纳米
专业灰度模式1024 灰度级,专业数据转换软件
自动装载系统处理最大 7 英寸的掩膜和最大 8 英寸的晶片,配有两个载物台、预对准器和晶片扫描仪
标准版系统尺寸
宽 × 深 × 高1300 毫米 × 1100 毫米 × 1950 毫米(仅光刻装置)
重量1000 千克(仅光刻装置)
安装要求
电气230 伏交流 ± 5 %,50/60 赫兹,16 A
压缩空气6 - 10 巴

请注意
规格取决于个别流程条件,并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更,恕不另行通知

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