DWL 2000 GS / DWL 4000 GS

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工业级灰度光刻工具

  • Product Description

  • DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速灵活的高分辨率图形发生器。它们针对工业级灰度光刻技术进行了优化，专为集成电路、微机电系统、微光和微流控设备、传感器、全息图以及钞票和身份证上的防伪特征的掩膜和晶片的高通量图案化而设计。

    专业灰度光刻模式可在大面积厚光刻胶上对复杂的 2.5D 结构进行图案化。DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统的最小特征尺寸为 500 nm，最大写入面积为 400 x 400mm2，可选配自动装载系统，特别适用于用于电信、照明和工业显示器制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

    DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速灵活的高分辨率图形发生器。它们针对工业级灰度光刻技术进行了优化，专为集成电路、微机电系统、微光和微流控设备、传感器、全息图以及钞票和身份证上的防伪特征的掩膜和晶片的高通量图案化而设计。

    专业灰度光刻模式可在大面积厚光刻胶上对复杂的 2.5D 结构进行图案化。DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统的最小特征尺寸为 500 nm，最大写入面积为 400 x 400mm2，可选配自动装载系统，特别适用于用于电信、照明和工业显示器制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

  • Product Highlights

  • 曝光质量

    CD 均匀度 60 nm；边缘粗糙度 40 nm；对准精度 60 nm；第二层对准 250 nm；自动对焦补偿 80 µm

    灰度平版印刷

    1024 灰度级；专用 GenISys BEAMER 软件可优化复杂几何图形的曝光效果

    温控流动箱

    温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境

    曝光速度

    灰度模式下 200 x 200平方毫米的区域，耗时小于 60 分钟

    基底尺寸大

    最大 20 / 40 厘米

  • Available Modules

  • 5 种写入模式

    最小特征尺寸从 500 纳米到 2 微米

    曝光波长

    405 纳米二极管激光器

    自动对焦

    气压计或光学

    自动化

    装载单元；附加的基板承载站、预对准器和基板扫描仪

    GenISys BEAMER

    用于复杂形状灰度曝光的具有 3D 近距离校正（3D-PEC）功能的转换软件包

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速灵活的高分辨率图形发生器。它们针对工业级灰度光刻技术进行了优化，专为集成电路、微机电系统、微光和微流控设备、传感器、全息图以及钞票和身份证上的防伪特征的掩膜和晶片的高通量图案化而设计。

专业灰度光刻模式可在大面积厚光刻胶上对复杂的 2.5D 结构进行图案化。DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统的最小特征尺寸为 500 nm，最大写入面积为 400 x 400mm2，可选配自动装载系统，特别适用于用于电信、照明和工业显示器制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速灵活的高分辨率图形发生器。它们针对工业级灰度光刻技术进行了优化，专为集成电路、微机电系统、微光和微流控设备、传感器、全息图以及钞票和身份证上的防伪特征的掩膜和晶片的高通量图案化而设计。

专业灰度光刻模式可在大面积厚光刻胶上对复杂的 2.5D 结构进行图案化。DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统的最小特征尺寸为 500 nm，最大写入面积为 400 x 400mm2，可选配自动装载系统，特别适用于用于电信、照明和工业显示器制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

曝光质量

CD 均匀度 60 nm；边缘粗糙度 40 nm；对准精度 60 nm；第二层对准 250 nm；自动对焦补偿 80 µm

灰度平版印刷

1024 灰度级；专用 GenISys BEAMER 软件可优化复杂几何图形的曝光效果

温控流动箱

温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境

曝光速度

灰度模式下 200 x 200平方毫米的区域，耗时小于 60 分钟

基底尺寸大

最大 20 / 40 厘米

5 种写入模式

最小特征尺寸从 500 纳米到 2 微米

曝光波长

405 纳米二极管激光器

自动对焦

气压计或光学

自动化

装载单元；附加的基板承载站、预对准器和基板扫描仪

GenISys BEAMER

用于复杂形状灰度曝光的具有 3D 近距离校正（3D-PEC）功能的转换软件包

Customer applications

2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)

Why customers choose our systems

Technical Data

写入模式IIIIII 四V
书写性能 - 灰度
覆盖层 [3σ，nm] （8 英寸 x 8 英寸以上）300
像素栅格灰度[纳米］1002002505001000
写入速度 DWL 2000 GS [平方毫米/分钟］ 125075270870
写入速度 DWL 4000 GS [平方毫米/分钟］ 1250752701000
曝光时间 DWL 2000 GS：200 毫米 x 200 毫米 [小时］5113.592.50.8
曝光时间 DWL 4000 GS：400 毫米 x 400 毫米 [小时］2235436103
最大剂量 [mJ/cm2 ]5600140090022550
书写性能 - 二进制
最小特征尺寸 [µm]0.50.70.812
最小线宽和间距 [µm]0.70.911.53
地址网格 [nm]51012.52550
边缘粗糙度 [3σ，纳米］40506080110
CD 均匀度 [3σ，纳米］607080130180
登记 [3σ, nm]200200200200200
写入速度 [平方毫米/分钟] DWL 2000 GS125075270870
写入速度 [平方毫米/分钟] DWL 4000 GS1250752701000
系统功能
光源405 纳米二极管激光器
最大基板尺寸DWL 2000 GS：9 英寸 x 9 英寸 / DWL 4000 GS：17 英寸 x 17 英寸
基底厚度0 至 12 毫米
最大曝光面积DWL 2000 GS：200 x 200 mm² / DWL 4000 GS：400 x 400 mm²
温控流动箱温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境
实时自动对焦光学自动对焦或气压计自动对焦
自动对焦补偿范围80 μm
系统尺寸
光刻装置 （宽×深×高）；重量2350 毫米 × 1650 毫米 × 2100 毫米；3000 千克
电子机架 （宽×深×高）；重量800 毫米 × 600 毫米 × 1800 毫米；180 千克
安装要求
电气400 VAC ± 5 %，50/60 Hz，16 A
压缩空气6 - 10 巴
洁净室建议 ISO 6 或更高

请注意
规格取决于个别流程条件，并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更，恕不另行通知。

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