DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光直写光刻系统

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工业级灰度光刻工具

  • 产品说明

  • DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速、灵活的高分辨率图形生成系统。它们针对工业级灰度光刻进行了优化，专为高吞吐量地在掩模和晶圆上制作用于集成电路、MEMS、微光学、微流控器件、传感器、全息图以及纸币和身份证件安全特征的图形而设计。

    专业灰度光刻模式可在大面积范围内对厚光刻胶进行图形化加工，实现复杂 2.5D 结构的制作。凭借最低 500 nm 的特征尺寸、最大 400 × 400 mm2 的写入面积以及可选的自动上下料系统，DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统尤其适用于用于电信、照明和工业显示制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

    DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速、灵活的高分辨率图形生成系统。它们针对工业级灰度光刻进行了优化，专为高吞吐量地在掩模和晶圆上制作用于集成电路、MEMS、微光学、微流控器件、传感器、全息图以及纸币和身份证件安全特征的图形而设计。

    专业灰度光刻模式可在大面积范围内对厚光刻胶进行图形化加工，实现复杂 2.5D 结构的制作。凭借最低 500 nm 的特征尺寸、最大 400 × 400 mm2 的写入面积以及可选的自动上下料系统，DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统尤其适用于用于电信、照明和工业显示制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

  • 产品亮点

  • 曝光质量

    CD 均匀度 60 nm；边缘粗糙度 40 nm；对准精度 60 nm；第二层对准 250 nm；自动对焦补偿 80 µm

    灰度平版印刷

    32768 级灰度；配备专用 GenISys BEAMER 软件，用于优化复杂几何结构的曝光

    温控流动箱

    温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境

    曝光速度

    灰度模式下 200 × 200 mm² 面积的写入时间 <60 分钟

    基底尺寸大

    最大 20 / 40 厘米

  • 可用模块

  • 5 种写入模式

    最小特征尺寸从 500 纳米到 2 微米

    曝光波长

    405 纳米二极管激光器

    自动对焦

    气压计或光学

    自动化

    装载单元；附加的基板承载站、预对准器和基板扫描仪

    GenISys BEAMER

    用于复杂形状灰度曝光的具有 3D 近距离校正（3D-PEC）功能的转换软件包

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速、灵活的高分辨率图形生成系统。它们针对工业级灰度光刻进行了优化，专为高吞吐量地在掩模和晶圆上制作用于集成电路、MEMS、微光学、微流控器件、传感器、全息图以及纸币和身份证件安全特征的图形而设计。

专业灰度光刻模式可在大面积范围内对厚光刻胶进行图形化加工，实现复杂 2.5D 结构的制作。凭借最低 500 nm 的特征尺寸、最大 400 × 400 mm2 的写入面积以及可选的自动上下料系统，DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统尤其适用于用于电信、照明和工业显示制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光光刻系统是快速、灵活的高分辨率图形生成系统。它们针对工业级灰度光刻进行了优化，专为高吞吐量地在掩模和晶圆上制作用于集成电路、MEMS、微光学、微流控器件、传感器、全息图以及纸币和身份证件安全特征的图形而设计。

专业灰度光刻模式可在大面积范围内对厚光刻胶进行图形化加工，实现复杂 2.5D 结构的制作。凭借最低 500 nm 的特征尺寸、最大 400 × 400 mm2 的写入面积以及可选的自动上下料系统，DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 系统尤其适用于用于电信、照明和工业显示制造的晶圆级微光学器件，以及生命科学领域的器件制造。

曝光质量

CD 均匀度 60 nm；边缘粗糙度 40 nm；对准精度 60 nm；第二层对准 250 nm；自动对焦补偿 80 µm

灰度平版印刷

32768 级灰度；配备专用 GenISys BEAMER 软件，用于优化复杂几何结构的曝光

温控流动箱

温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境

曝光速度

灰度模式下 200 × 200 mm² 面积的写入时间 <60 分钟

基底尺寸大

最大 20 / 40 厘米

5 种写入模式

最小特征尺寸从 500 纳米到 2 微米

曝光波长

405 纳米二极管激光器

自动对焦

气压计或光学

自动化

装载单元；附加的基板承载站、预对准器和基板扫描仪

GenISys BEAMER

用于复杂形状灰度曝光的具有 3D 近距离校正（3D-PEC）功能的转换软件包

客户应用

灰度光刻制作的 2.5D 特征在许多情况下被用于微光学。例如，可以有针对性地对表面进行结构化，以实现对光的反射或散射的控制。图像展示了具有尖锐峰值和尖端的周期性表面图案结构。（图片由 IGI 提供）
灰度光刻制作的 2.5D 特征在许多情况下被用于微光学。例如，可以有针对性地对表面进行结构化，以实现对光的反射或散射的控制。图像展示了具有尖锐峰值和尖端的周期性表面图案结构。（图片由 IGI 提供）
MR-DWL 是一种特殊的负性光刻胶，能够实现高达 1:40 的高宽比结构。这种由 micro resist technology GmbH 提供的环氧基光刻胶专为直写光刻和 DWL 系统优化，对 400 nm 以上的光线敏感，可施加厚度达数百微米。（图片由 EPFL 的 V. Cadarso 和 J. Brugger 提供）
MR-DWL 是一种特殊的负性光刻胶，能够实现高达 1:40 的高宽比结构。这种由 micro resist technology GmbH 提供的环氧基光刻胶专为直写光刻和 DWL 系统优化，对 400 nm 以上的光线敏感，可施加厚度达数百微米。（图片由 EPFL 的 V. Cadarso 和 J. Brugger 提供）
使用 DWL 2000 曝光的测试图案展示了在两个连续图层中元素（箭头、十字、箭头尖）之间的精确对准。对准是多层光刻应用（如传感器和半导体器件）中的关键参数。
使用 DWL 2000 曝光的测试图案展示了在两个连续图层中元素（箭头、十字、箭头尖）之间的精确对准。对准是多层光刻应用（如传感器和半导体器件）中的关键参数。（图片由 Heidelberg Instruments 提供）
使用 AZ4620 光刻胶制作的扩散器，由高度为 15 微米、底边长度为 20 微米的金字塔组成。通过灰度光刻技术制成的此类结构化表面是微光学应用的关键元素。（图片由 Heidelberg Instruments 提供）
使用 AZ4620 光刻胶制作的扩散器，由高度为 15 微米、底边长度为 20 微米的金字塔组成。通过灰度光刻技术制成的此类结构化表面是微光学应用的关键元素。（图片由 Heidelberg Instruments 提供）
使用 AZ4620 制作的 2.5D 扇形结构，最小特征尺寸小于 5 微米。（图片由 Kuraray 提供）
使用 AZ4620 制作的 2.5D 扇形结构，最小特征尺寸小于 5 微米。（图片由 Kuraray 提供）
使用 DWL 2000 曝光的测试图案展示了两个连续图层中元素（箭头、十字、箭头尖）之间的精确对准。对准是多层光刻应用（如传感器和半导体器件）中的关键参数。（图片由 Heidelberg Instruments 提供）
使用 DWL 2000 曝光的测试图案展示了两个连续图层中元素（箭头、十字、箭头尖）之间的精确对准。对准是多层光刻应用（如传感器和半导体器件）中的关键参数。（图片由 Heidelberg Instruments 提供）

客户为何选择我们的系统

“自2011年京都大学开放式纳米技术中心（Nano-hub）建成以来，DWL 2000 已成为学术界和工业界Nano-hub用户最受欢迎的设备之一。每年有50多名用户使用DWL进行光掩膜写入和晶圆直接写入的二值和灰度光刻。我们感谢DWL的高性能，使其能够满足用户的各种需求，并将我们设施的能力从半导体和MEMS扩展到微流控器件和微生理系统。”

土屋敏之 教授・博士，纳米技术中心主任
京都大学
日本京都

技术数据

写入模式IIIIII 四V
写入性能 – 灰度
像素网格灰度 [nm]1002002505001000
二极管激光器写入速度 [mm²/min]125075270870
高功率激光器写入速度 [mm²/min]301101655501600
最大剂量 [mJ/cm²]5600140090022550
覆盖层 [3σ，nm] （8 英寸 x 8 英寸以上）300300300300300
曝光时间DWL 4000 GS: 用于 400 mm x 400 mm [小时]2235436103
写入性能 – 二值5600140090022550
最小特征尺寸 [µm]0.50.70.812
最小线宽和间距 [µm]0.70.911.53
地址网格 [nm]51012.52550
边缘粗糙度 [3σ，纳米］40506080110
CD 均匀度 [3σ，纳米］607080130180
登记 [3σ, nm]200200200200200
二极管激光器写入速度 [mm²/min]125075270870
高功率激光器写入速度 [mm²/min]301101655501600
系统功能
光源405 nm 二极管激光器或高功率半导体激光器
最大基板尺寸DWL 2000 GS：9 英寸 x 9 英寸 /DWL 4000 GS ：17 英寸 x 17 英寸
基底厚度0 至 12 毫米
最大曝光面积DWL 2000 GS: 200 x 200 mm² /DWL 4000 GS: 400 x 400 mm²
温控流动箱温度稳定性 ± 0.1°，ISO 4 环境
实时自动对焦光学自动对焦或气压计自动对焦
自动对焦补偿范围80 μm
系统尺寸
光刻装置 （宽×深×高）；重量2605 mm × 1652 mm × 2102 mm; 3000 kg
电子机架 （宽×深×高）；重量800 mm × 650 mm × 1800 mm; 180 kg
安装要求
电气400 VAC ± 5 %，50/60 Hz，16 A
压缩空气6 - 10 巴
洁净室建议 ISO 6 或更高

请注意
具体规格取决于单独的工艺条件，并可能因设备配置而有所不同。写入速度取决于像素尺寸和写入模式。产品设计和规格如有更改，恕不另行通知。

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