µMLA 无掩模光刻系统

可配置的紧凑型台式无掩模对准仪,配有光栅扫描和矢量曝光模块

  • 产品说明

  • µMLA 是一款先进的桌面式无掩模光刻系统,基于成熟可靠的 µPG 平台开发而成。µPG 是全球销量领先的桌面式无掩模光刻解决方案。作为面向研发和快速原型开发的入门级设备,µMLA 能够在广泛的应用领域实现高精度微结构加工,包括微流控(例如细胞分选器件和芯片实验室)、小规模掩模制作、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统,以及二维材料和扇出电极的图案化。

    多种曝光模式和配置

    µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性:

    1. 光栅扫描模式(标准):确保快速曝光和出色的图像质量,无论结构尺寸和图案密度如何,都能保持一致的写入时间。
    2. 矢量扫描模式(可选):专为连续、平滑的曲线而设计,是波导等结构的理想选择,兼具速度和精度。

    三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡,切换方便,可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

    • 绘制模式:允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
    • 灰度模式:支持 2.5D 结构,适用于复杂的微光学器件。

    µMLA 设计紧凑,可放置在标准工作台上,功能全面,适用于多种高质量平版印刷应用。

    请联系我们,进一步了解µMLA 及其如何满足您的研发需求。 从 CAD 到曝光只需几分钟,而非数周。

    µMLA 是一款先进的桌面式无掩模光刻系统,基于成熟可靠的 µPG 平台开发而成。µPG 是全球销量领先的桌面式无掩模光刻解决方案。作为面向研发和快速原型开发的入门级设备,µMLA 能够在广泛的应用领域实现高精度微结构加工,包括微流控(例如细胞分选器件和芯片实验室)、小规模掩模制作、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统,以及二维材料和扇出电极的图案化。

    多种曝光模式和配置

    µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性:

    1. 光栅扫描模式(标准):确保快速曝光和出色的图像质量,无论结构尺寸和图案密度如何,都能保持一致的写入时间。
    2. 矢量扫描模式(可选):专为连续、平滑的曲线而设计,是波导等结构的理想选择,兼具速度和精度。

    三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡,切换方便,可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

    • 绘制模式:允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
    • 灰度模式:支持 2.5D 结构,适用于复杂的微光学器件。

    µMLA 设计紧凑,可放置在标准工作台上,功能全面,适用于多种高质量平版印刷应用。

    请联系我们,进一步了解µMLA 及其如何满足您的研发需求。 从 CAD 到曝光只需几分钟,而非数周。

    > 210套已安装系统

  • 产品亮点

  • 直接写入光刻技术

    没有与面具相关的成本、工作量或安全风险

    曝光质量

    边缘粗糙度光栅模式 100 nm;矢量模式 30 nm;CD 均匀度 200 nm

    曝光速度

    90 分钟完成 4 英寸晶片

    灰度平版印刷

    灰度曝光功能是标准配置的一部分,最多可达到 256 级灰度

    小足迹

    640 mm x 840 mm x 530 mm / 25″ x 33″ x 21″ – 体积最小的台式无掩膜光刻工具

    灵活配置

    可选择曝光波长;可选择光栅和矢量扫描模块

    灵活使用

    通过软件可轻松切换不同的分辨率和吞吐速度

    方便用户

    直观的软件和工具操作;易于处理小样品

    即插即用设置

    简化的即插即用式安装缩短了整体实施时间并节省了成本
  • 可用模块

  • 光栅扫描曝光模式

    速度快,图像质量和保真度极佳;写入时间与结构尺寸或图案密度无关。波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源

    矢量扫描曝光模式

    在需要平滑轮廓的情况下,对由弯曲线条组成的连续结构进行图案化。405 纳米和/或 375 纳米激光光源

    三种光学设置

    最小分辨率为 0.6 微米、1 微米和 3 微米;每种模式的分辨率可变

    可选概览相机

    快速、轻松地定位基底上的校准标记或其他相关特征

    手套箱一体化

    用于在受控氮气环境中对敏感材料进行图案化的手套箱

    绘制模式

    在实时显微图像上导入和叠加 BMP 文件–如同虚拟掩膜对齐器;可在实时相机图像上绘制简单的线条和形状,以便立即曝光

    光学自动对焦

    完美曝光小样品(<10 毫米)

    暴露区域

    可从 100 x 100mm2升级到 150 x 150mm2

    曝光、波长和光源的选择

    光栅扫描模式:波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源。矢量扫描模式:波长为 405 纳米和/或 375 纳米的激光光源

µMLA 是一款先进的桌面式无掩模光刻系统,基于成熟可靠的 µPG 平台开发而成。µPG 是全球销量领先的桌面式无掩模光刻解决方案。作为面向研发和快速原型开发的入门级设备,µMLA 能够在广泛的应用领域实现高精度微结构加工,包括微流控(例如细胞分选器件和芯片实验室)、小规模掩模制作、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统,以及二维材料和扇出电极的图案化。

多种曝光模式和配置

µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性:

  1. 光栅扫描模式(标准):确保快速曝光和出色的图像质量,无论结构尺寸和图案密度如何,都能保持一致的写入时间。
  2. 矢量扫描模式(可选):专为连续、平滑的曲线而设计,是波导等结构的理想选择,兼具速度和精度。

三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡,切换方便,可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

  • 绘制模式:允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
  • 灰度模式:支持 2.5D 结构,适用于复杂的微光学器件。

µMLA 设计紧凑,可放置在标准工作台上,功能全面,适用于多种高质量平版印刷应用。

请联系我们,进一步了解µMLA 及其如何满足您的研发需求。 从 CAD 到曝光只需几分钟,而非数周。

µMLA 是一款先进的桌面式无掩模光刻系统,基于成熟可靠的 µPG 平台开发而成。µPG 是全球销量领先的桌面式无掩模光刻解决方案。作为面向研发和快速原型开发的入门级设备,µMLA 能够在广泛的应用领域实现高精度微结构加工,包括微流控(例如细胞分选器件和芯片实验室)、小规模掩模制作、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统,以及二维材料和扇出电极的图案化。

多种曝光模式和配置

µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性:

  1. 光栅扫描模式(标准):确保快速曝光和出色的图像质量,无论结构尺寸和图案密度如何,都能保持一致的写入时间。
  2. 矢量扫描模式(可选):专为连续、平滑的曲线而设计,是波导等结构的理想选择,兼具速度和精度。

三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡,切换方便,可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

  • 绘制模式:允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
  • 灰度模式:支持 2.5D 结构,适用于复杂的微光学器件。

µMLA 设计紧凑,可放置在标准工作台上,功能全面,适用于多种高质量平版印刷应用。

请联系我们,进一步了解µMLA 及其如何满足您的研发需求。 从 CAD 到曝光只需几分钟,而非数周。

> 210套已安装系统

直接写入光刻技术

没有与面具相关的成本、工作量或安全风险

曝光质量

边缘粗糙度光栅模式 100 nm;矢量模式 30 nm;CD 均匀度 200 nm

曝光速度

90 分钟完成 4 英寸晶片

灰度平版印刷

灰度曝光功能是标准配置的一部分,最多可达到 256 级灰度

小足迹

640 mm x 840 mm x 530 mm / 25″ x 33″ x 21″ – 体积最小的台式无掩膜光刻工具

灵活配置

可选择曝光波长;可选择光栅和矢量扫描模块

灵活使用

通过软件可轻松切换不同的分辨率和吞吐速度

方便用户

直观的软件和工具操作;易于处理小样品

即插即用设置

简化的即插即用式安装缩短了整体实施时间并节省了成本

光栅扫描曝光模式

速度快,图像质量和保真度极佳;写入时间与结构尺寸或图案密度无关。波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源

矢量扫描曝光模式

在需要平滑轮廓的情况下,对由弯曲线条组成的连续结构进行图案化。405 纳米和/或 375 纳米激光光源

三种光学设置

最小分辨率为 0.6 微米、1 微米和 3 微米;每种模式的分辨率可变

可选概览相机

快速、轻松地定位基底上的校准标记或其他相关特征

手套箱一体化

用于在受控氮气环境中对敏感材料进行图案化的手套箱

绘制模式

在实时显微图像上导入和叠加 BMP 文件–如同虚拟掩膜对齐器;可在实时相机图像上绘制简单的线条和形状,以便立即曝光

光学自动对焦

完美曝光小样品(<10 毫米)

暴露区域

可从 100 x 100mm2升级到 150 x 150mm2

曝光、波长和光源的选择

光栅扫描模式:波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源。矢量扫描模式:波长为 405 纳米和/或 375 纳米的激光光源

客户应用

客户为何选择我们的系统

海德堡仪器公司的无掩模系统一直是我们手套箱无尘室的核心组件。它的工作超出了我们的预期,是我们制造工作的核心。为提高其性能和解决问题提供的支持也非常出色。

Kenneth Stephen Burch 博士,教授
波士顿学院
美国波士顿

海德堡仪器公司的 µMLA 成功地在微米尺度上实现了快速、精确的图案化。其 DMD 技术不仅在书写质量和重新校准方面非常精确,而且速度也比以前的技术快得多。光学对焦对于小样品来说具有决定性的优势。非常简单直观的软件界面也深受设备用户和培训人员的喜爱,因为新用户可以在不到一个小时的时间内自主完成电路原型制作的关键步骤。

Sébastien Delprat,博士,研究工程师
CEA Saclay
法国伊维特河畔吉夫

在丹麦科技大学下属的 DTU Nanolab,我们现在拥有多台来自 Heidelberg Instruments 的无掩模对准机。这些工具非常适合我们的研究工作,同时也为我们的许多工业用途客户提供了多功能工具。自从我们有了无掩模对准机后,一个具体的观察结果是我们为掩模对准机订购的新掩模数量大幅下降,从每天约 1 个掩模下降到每月约 1 个掩模。总的来说,无论是从人员方面还是用户方面,我们对无掩模对准机都非常满意。

Jens H. Hemmingsen,工艺专家
DTU Nanolab
Lingby,丹麦

技术数据

写入模式 I *写入模式 II *写入模式 III *
写入性能(光栅扫描曝光模块)
最小结构尺寸 [μm]0.613
最小线段和空格 [μm]0.81.53
地址网格 [nm]2050100
光密度均匀性[3σ,纳米]200300400
第 2 层对齐 5 x 5 mm² [nm]5005001000
50 x 50 平方毫米范围内的第 2 层对齐[纳米]100010002000
写入速度带 390 纳米 LED / 365 纳米 LED带 390 纳米 LED / 365 纳米 LED配备 390 纳米 LED
写入速度0.6 µm 时为 10 mm²/min1 µm 时为 40 mm²/min3 µm 时为 100 mm²/min
使用“光栅扫描曝光模块的可变分辨率”功能,在不同最小结构尺寸下的可选写入速度1 µm 时为 18 mm²/min2 µm 时为 60 mm²/min4 µm 时为 160 mm²/min
2 µm 时为 25 mm²/min4 µm 时为 90 mm²/min6 µm 时为 240 mm²/min
写入性能(矢量模式曝光模块)
最小特征尺寸 [µm]0.613
地址网格 [nm]202020
第 2 层对齐 5 x 5 mm² [nm]5005001000
50 x 50 平方毫米范围内的第 2 层对齐[纳米]100010002000
矢量模式下的最大线性写入速度200 毫米/秒200 毫米/秒200 毫米/秒
矢量模式下的可用光斑尺寸[微米]0.6 / 1 / 2 / 5 / 101 / 2 / 5 / 10 / 253 / 5 / 10 / 25 /50
系统规格
最大基板尺寸6″ x 6″
最小基底尺寸5 x 5平方毫米
基底厚度0.1 至 12 毫米
最大写入区域150 x 150平方毫米
光栅扫描曝光模块矢量曝光模块
光源发光二极管;390 纳米或 365 纳米激光;405 纳米和/或 375 纳米
系统尺寸(光刻单元)
µMLA宽度 x 深度身高 x 体重
主系统外壳640 毫米(25 英寸)x 840 毫米(33 英寸)530 毫米(21 英寸)x 130 千克(285 磅)
安装要求
电气230 VAC / 6A 或 110 VAC / 12A (±5%,50/60 Hz)
压缩空气6 - 10 巴
洁净室推荐 ISO 6
温度稳定性±1 °C
* 系统只能安装一种写入模式

请注意
具体规格取决于单独的工艺条件,并可能因设备配置而有所不同。写入速度取决于像素尺寸和写入模式。产品设计和规格如有更改,恕不另行通知。

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