µMLA

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可配置的紧凑型台式无掩模对准仪，配有光栅扫描和矢量曝光模块

  • Product Description

  • µMLA 是一种先进的台式无掩膜光刻系统，它建立在强大的 µPG 平台上，而 µPG 平台是世界上最畅销的无掩膜台式解决方案。 作为研发和快速原型设计的理想入门级工具，它可在各种应用中实现高精度微结构，包括微流体（如细胞分拣设备、片上实验室）、小规模掩膜刻写、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统以及二维材料和扇出电极的图案化。

    多种曝光模式和配置

    µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性：

    1. 光栅扫描模式（标准）：确保快速曝光和出色的图像质量，无论结构尺寸和图案密度如何，都能保持一致的写入时间。
    2. 矢量扫描模式（可选）：专为连续、平滑的曲线而设计，是波导等结构的理想选择，兼具速度和精度。

    三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡，切换方便，可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

    • 绘制模式：允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
    • 灰度模式：支持 2.5D 结构，适用于复杂的微光学器件。

    µMLA 结构紧凑，可安装在标准工作台上，功能全面，适用于多功能、高质量的光刻应用。

    请联系我们，进一步了解 µMLA 及其如何满足您的研发需求。

    µMLA 是一种先进的台式无掩膜光刻系统，它建立在强大的 µPG 平台上，而 µPG 平台是世界上最畅销的无掩膜台式解决方案。 作为研发和快速原型设计的理想入门级工具，它可在各种应用中实现高精度微结构，包括微流体（如细胞分拣设备、片上实验室）、小规模掩膜刻写、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统以及二维材料和扇出电极的图案化。

    多种曝光模式和配置

    µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性：

    1. 光栅扫描模式（标准）：确保快速曝光和出色的图像质量，无论结构尺寸和图案密度如何，都能保持一致的写入时间。
    2. 矢量扫描模式（可选）：专为连续、平滑的曲线而设计，是波导等结构的理想选择，兼具速度和精度。

    三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡，切换方便，可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

    • 绘制模式：允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
    • 灰度模式：支持 2.5D 结构，适用于复杂的微光学器件。

    µMLA 结构紧凑，可安装在标准工作台上，功能全面，适用于多功能、高质量的光刻应用。

    请联系我们，进一步了解 µMLA 及其如何满足您的研发需求。

    > 210套已安装系统

  • Product Highlights

  • 直接写入光刻技术

    没有与面具相关的成本、工作量或安全风险

    曝光质量

    边缘粗糙度光栅模式 100 nm；矢量模式 30 nm；CD 均匀度 200 nm

    曝光速度

    90 分钟完成 4 英寸晶片

    灰度平版印刷

    灰度曝光功能是标准配置的一部分，最多可达到 256 级灰度

    小足迹

    640 mm x 840 mm x 530 mm / 25″ x 33″ x 21″ – 体积最小的台式无掩膜光刻工具

    灵活配置

    可选择曝光波长；可选择光栅和矢量扫描模块

    灵活使用

    通过软件可轻松切换不同的分辨率和吞吐速度

    方便用户

    直观的软件和工具操作；易于处理小样品

    即插即用设置

    简化的即插即用式安装缩短了整体实施时间并节省了成本

  • Available Modules

  • 光栅扫描曝光模式

    速度快，图像质量和保真度极佳；写入时间与结构尺寸或图案密度无关。波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源

    矢量扫描曝光模式

    在需要平滑轮廓的情况下，对由弯曲线条组成的连续结构进行图案化。405 纳米和/或 375 纳米激光光源

    三种光学设置

    最小分辨率为 0.6 微米、1 微米和 3 微米；每种模式的分辨率可变

    可选概览相机

    快速、轻松地定位基底上的校准标记或其他相关特征

    手套箱一体化

    用于在受控氮气环境中对敏感材料进行图案化的手套箱

    绘制模式

    在实时显微图像上导入和叠加 BMP 文件–如同虚拟掩膜对齐器；可在实时相机图像上绘制简单的线条和形状，以便立即曝光

    光学自动对焦

    完美曝光小样品（<10 毫米）

    暴露区域

    可从 100 x 100mm2升级到 150 x 150mm2

    曝光、波长和光源的选择

    光栅扫描模式：波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源。矢量扫描模式：波长为 405 纳米和/或 375 纳米的激光光源

µMLA 是一种先进的台式无掩膜光刻系统，它建立在强大的 µPG 平台上，而 µPG 平台是世界上最畅销的无掩膜台式解决方案。 作为研发和快速原型设计的理想入门级工具，它可在各种应用中实现高精度微结构，包括微流体（如细胞分拣设备、片上实验室）、小规模掩膜刻写、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统以及二维材料和扇出电极的图案化。

多种曝光模式和配置

µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性：

  1. 光栅扫描模式（标准）：确保快速曝光和出色的图像质量，无论结构尺寸和图案密度如何，都能保持一致的写入时间。
  2. 矢量扫描模式（可选）：专为连续、平滑的曲线而设计，是波导等结构的理想选择，兼具速度和精度。

三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡，切换方便，可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

  • 绘制模式：允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
  • 灰度模式：支持 2.5D 结构，适用于复杂的微光学器件。

µMLA 结构紧凑，可安装在标准工作台上，功能全面，适用于多功能、高质量的光刻应用。

请联系我们，进一步了解 µMLA 及其如何满足您的研发需求。

µMLA 是一种先进的台式无掩膜光刻系统，它建立在强大的 µPG 平台上，而 µPG 平台是世界上最畅销的无掩膜台式解决方案。 作为研发和快速原型设计的理想入门级工具，它可在各种应用中实现高精度微结构，包括微流体（如细胞分拣设备、片上实验室）、小规模掩膜刻写、微光学和微透镜阵列、传感器制造、微机电系统以及二维材料和扇出电极的图案化。

多种曝光模式和配置

µMLA 通过两种不同的曝光模式提供灵活性：

  1. 光栅扫描模式（标准）：确保快速曝光和出色的图像质量，无论结构尺寸和图案密度如何，都能保持一致的写入时间。
  2. 矢量扫描模式（可选）：专为连续、平滑的曲线而设计，是波导等结构的理想选择，兼具速度和精度。

三种光学配置可在分辨率和吞吐量之间实现可定制的平衡，切换方便，可针对特定应用进行优化。 其他功能包括

  • 绘制模式：允许对纳米线或二维材料的现有图案和电触点进行实时、即时调整。
  • 灰度模式：支持 2.5D 结构，适用于复杂的微光学器件。

µMLA 结构紧凑，可安装在标准工作台上，功能全面，适用于多功能、高质量的光刻应用。

请联系我们，进一步了解 µMLA 及其如何满足您的研发需求。

> 210套已安装系统

直接写入光刻技术

没有与面具相关的成本、工作量或安全风险

曝光质量

边缘粗糙度光栅模式 100 nm；矢量模式 30 nm；CD 均匀度 200 nm

曝光速度

90 分钟完成 4 英寸晶片

灰度平版印刷

灰度曝光功能是标准配置的一部分，最多可达到 256 级灰度

小足迹

640 mm x 840 mm x 530 mm / 25″ x 33″ x 21″ – 体积最小的台式无掩膜光刻工具

灵活配置

可选择曝光波长；可选择光栅和矢量扫描模块

灵活使用

通过软件可轻松切换不同的分辨率和吞吐速度

方便用户

直观的软件和工具操作；易于处理小样品

即插即用设置

简化的即插即用式安装缩短了整体实施时间并节省了成本

光栅扫描曝光模式

速度快，图像质量和保真度极佳；写入时间与结构尺寸或图案密度无关。波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源

矢量扫描曝光模式

在需要平滑轮廓的情况下，对由弯曲线条组成的连续结构进行图案化。405 纳米和/或 375 纳米激光光源

三种光学设置

最小分辨率为 0.6 微米、1 微米和 3 微米；每种模式的分辨率可变

可选概览相机

快速、轻松地定位基底上的校准标记或其他相关特征

手套箱一体化

用于在受控氮气环境中对敏感材料进行图案化的手套箱

绘制模式

在实时显微图像上导入和叠加 BMP 文件–如同虚拟掩膜对齐器；可在实时相机图像上绘制简单的线条和形状，以便立即曝光

光学自动对焦

完美曝光小样品（<10 毫米）

暴露区域

可从 100 x 100mm2升级到 150 x 150mm2

曝光、波长和光源的选择

光栅扫描模式：波长为 365 纳米或 390 纳米的 LED 光源。矢量扫描模式：波长为 405 纳米和/或 375 纳米的激光光源

Customer applications

The μMLA also offers a standard Grayscale mode, which allows the creation of structures for a wide range of applications in micro-optics. This example shows micro-lenses written in 15 μm thick AZ4562, with a pitch of 30 μm and a radius of curvature of 16 μm.
The μMLA also offers a standard Grayscale mode, which allows the creation of structures for a wide range of applications in micro-optics. This example shows micro-lenses written in 15 μm thick AZ4562, with a pitch of 30 μm and a radius of curvature of 16 μm.
A binary diffractive optical element (DOE) comprised of 1 µm² squares and exposed into 500 nm thick Shipley S1805.
A binary diffractive optical element (DOE) comprised of 1 µm² squares and exposed into 500 nm thick Shipley S1805.
A microfluidic system patterned using the μMLA.
A microfluidic system patterned using the μMLA.
Single Ni nanowires (horizontal line in the image) with two precisely aligned thermometer structures used to investigate Co-Ni alloy magneto-thermopower and magneto-resistance. (Courtesy of Tim Boehnert, University of Hamburg)
Single Ni nanowires (horizontal line in the image) with two precisely aligned thermometer structures used to investigate Co-Ni alloy magneto-thermopower and magneto-resistance. (Courtesy of Tim Boehnert, University of Hamburg)
In many applications, several layers need to be exposed on the same substrate. The cameras of the μMLA can automatically detect alignment markers and adjust the position, rotation, scaling and orthogonality of the exposure to the existing structures. The image shows vernier scales and a “cross-in-cross” structure, employed to measure the remaining offset in x and y direction.
In many applications, several layers need to be exposed on the same substrate. The cameras of the μMLA can automatically detect alignment markers and adjust the position, rotation, scaling and orthogonality of the exposure to the existing structures. The image shows vernier scales and a “cross-in-cross” structure, employed to measure the remaining offset in x and y direction.
Concentric rings with 1 μm line width were written into the photoresist using the Raster Scan Exposure Mode.
Concentric rings with 1 μm line width were written into the photoresist using the Raster Scan Exposure Mode.
Dual-compartment microcontainers for combination therapy, to achieve a physical separation of two drugs followed by a sequential release. The corresponding paper is linked in our library (DTU Kopenhagen: Christfort, J. F., et al. Adv. Therap. 2022, 5, 2200106)
Dual-compartment microcontainers for combination therapy, to achieve a physical separation of two drugs followed by a sequential release. The corresponding paper is linked in our library (DTU Kopenhagen: Christfort, J. F., et al. Adv. Therap. 2022, 5, 2200106)
Micro fluidic structures made in two layers of materials: 1. AZ10XT (14 µm, thermally cross-linked by customer) and 2. SU-8 (20µm, aligned to first layer) (Courtesy of Max-Planck-Institute for terrestrial microbiology)
Micro fluidic structures made in two layers of materials: 1. AZ10XT (14 µm, thermally cross-linked by customer) and 2. SU-8 (20µm, aligned to first layer)
(Courtesy of Max-Planck-Institute for terrestrial microbiology)

Why customers choose our systems

"海德堡仪器公司的无掩膜系统是我们手套箱洁净室的核心组件。它的工作超出了我们的预期，是我们制造工作的核心。为提高其性能和解决问题提供的支持也非常出色。

Kenneth Stephen Burch 博士，教授
波士顿学院
美国波士顿

"海德堡仪器公司的 µMLA 成功实现了微米尺度的快速、精确制版。其 DMD 技术不仅在书写质量和重新校准方面非常精确，而且速度也比以前的技术快得多。光学对焦对于小样品来说具有决定性的优势。该设备非常简单直观的软件界面也深受用户和培训人员的青睐，因为新用户可以在不到一个小时的时间内掌握电路原型制作的关键步骤。

Sébastien Delprat，博士，研究工程师
CEA Saclay
法国伊维特河畔吉夫

"在隶属于丹麦技术大学的 DTU Nanolab，我们现在拥有多台海德堡仪器公司的无掩膜对准仪。这些工具非常适合我们的研究工作，同时也为我们的许多工业客户提供了多功能工具。自从我们有了无掩膜对准仪后，我们发现掩膜对准仪订购的新掩膜数量明显减少，从每天约 1 个掩膜减少到每月约 1 个掩膜。总体而言，无论是从人员方面还是从用户方面，我们都对无掩膜校准器非常满意。

Jens H. Hemmingsen，工艺专家
DTU Nanolab
Lingby，丹麦

Technical Data

写入模式 I *写入模式 II *写入模式 III *
写入性能（光栅扫描曝光模块）
最小结构尺寸 [μm]0.613
最小线段和空格 [μm]0.81.53
地址网格 [nm]2050100
光密度均匀性[3σ，纳米］200300400
第 2 层对齐 5 x 5 mm² [nm]5005001000
50 x 50 平方毫米范围内的第 2 层对齐[纳米]100010002000
写入速度带 390 纳米 LED / 365 纳米 LED带 390 纳米 LED / 365 纳米 LED配备 390 纳米 LED
写入速度10 mm²/min ，0.6 微米40 平方毫米/分钟 ，1 微米100 平方毫米/分钟 ，3 微米
利用 " 光栅扫描曝光模块的可变分辨率"，可在不同最小结构尺寸下选择写入速度18 mm²/min at 1 µm60 平方毫米/分钟 ，2 微米160 mm²/min ，4 微米
25 mm²/min ，2 微米90 mm²/min ，4 微米240 mm²/min ，6 微米
写入性能（矢量模式曝光模块）
最小特征尺寸 [µm]0.613
地址网格 [nm]202020
第 2 层对齐 5 x 5 mm² [nm]5005001000
50 x 50 平方毫米范围内的第 2 层对齐[纳米]100010002000
矢量模式下的最大线性写入速度200 毫米/秒200 毫米/秒200 毫米/秒
矢量模式下的可用光斑尺寸[微米］0.6 / 1 / 2 / 5 / 101 / 2 / 5 / 10 / 253 / 5 / 10 / 25 /50
系统规格
最大基板尺寸6″ x 6″
最小基底尺寸5 x 5平方毫米
基底厚度0.1 至 12 毫米
最大写入区域150 x 150平方毫米
光栅扫描曝光模块矢量曝光模块
光源发光二极管；390 纳米或 365 纳米激光；405 纳米和/或 375 纳米
系统尺寸（光刻单元）
µMLA宽度 x 深度身高 x 体重
主系统外壳640 毫米（25 英寸）x 840 毫米（33 英寸）530 毫米（21 英寸）x 130 千克（285 磅）
安装要求
电气230 VAC / 6A 或 110 VAC / 12A （±5%，50/60 Hz）
压缩空气6 - 10 巴
洁净室推荐 ISO 6
温度稳定性±1 °C
* 系统只能安装一种写入模式

请注意
规格取决于个别流程条件，并可能因设备配置而异。写入速度取决于像素大小和写入模式。 设计和规格如有变更，恕不另行通知。

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