今天，我们很高兴地宣布，我们终极光刻研究工具取得了重大突破。DWL 66+ 现比以往更强大，具备两项颠覆性改进，重新定义了光刻技术的可能性。
200纳米前沿：缩小与电子束光刻的差距
对于光子学、微电子学和量子器件等最苛刻的应用，实现尽可能小的特征尺寸至关重要。借助全新的写入模式XR，DWL 66+现可实现最小200纳米的特征尺寸——这是市场上所有直接写入激光系统中最高的分辨率。
这一突破意味着您现在可以：
- 制造比以往更精细、更复杂的结构。
- 完成以往仅由昂贵的电子束光刻才能完成的任务。
- 显著加快您的开发周期并优化实验室的工作流程。
三维的力量：65,536级灰度
现代微纳制造不仅仅是二维图案。具备创建复杂、平滑三维表面的能力至关重要。
升级后的DWL 66+凭借其专业级灰度功能，完美应对了这一挑战，现提供前所未有的65,536个不同曝光级别。这一惊人的精度使您能够制造复杂的2.5D地形结构，如微透镜或刻面光栅，且表面质量卓越，即使在厚度高达150微米的光刻胶中也能实现。这正是您利用微光学塑造光线或设计复杂微电子器件所需的精细度。
适应真实科研的灵活性
这些新功能建立在DWL 66+平台经过验证的灵活性基础上。作为无掩膜系统，它支持即时设计更改和快速原型制作，消除了与掩膜相关的高昂延迟。它几乎可以处理任何基底——无论是平坦的、曲面的、标准的还是特殊的。
这不仅仅是一次升级；它是通向光学、光子学、量子器件及更多领域新可能性的门户。
