高长宽比微结构

在厚光刻胶中制备高长宽比微结构

说明
MEMS、微流控、微光学和先进封装等众多应用都需要兼具较小横向尺寸和较大光刻胶厚度的微结构。在保持垂直侧壁和尺寸精度的同时实现高深宽比，对于确保器件性能的可靠性以及后续工艺步骤至关重要。

我们的直写光刻系统可直接曝光厚光刻胶层，包括 SU-8 及其他负性光刻胶，同时保持优异的侧壁垂直度。通过优化投影光学系统的入瞳，可增大焦深（DoF），从而实现厚光刻胶的高保真曝光，并获得高达 40:1 的深宽比。

对于需要更小结构尺寸或三维表面形貌的应用，我们的 DWL 66⁺ 激光直写光刻系统将高分辨率光刻与先进的灰度光刻功能相结合。凭借 65,536 级灰度，可在厚度高达 150 µm 的光刻胶中实现出色的表面质量。对于需要更高深宽比的应用，高分辨率图形还可通过反应离子刻蚀（RIE）转移到功能基底中。这种刻蚀放大工艺能够实现具有超高横向分辨率和更高有效深宽比的微结构。

除传统高深宽比微结构外，我们的 MLA 150 和 MLA 300 无掩模光刻对准系统还可通过精确的局部曝光剂量控制，在负性光刻胶中制备复杂的三维微结构。悬空结构、封闭式微流控通道、晶格结构以及其他复杂几何结构，均可在单次无掩模光刻工艺中完成，无需重新装载基底或重新对准。这种方法显著简化了复杂微结构的制造流程，同时降低了工艺复杂性。

有关此方法的更多信息，请参阅我们的应用说明: Single-Step 3D Patterning of Negative Resists via Maskless Aligner.

MEMS、微流控、微光学和先进封装等众多应用都需要兼具较小横向尺寸和较大光刻胶厚度的微结构。在保持垂直侧壁和尺寸精度的同时实现高深宽比，对于确保器件性能的可靠性以及后续工艺步骤至关重要。

我们的直写光刻系统可直接曝光厚光刻胶层，包括 SU-8 及其他负性光刻胶，同时保持优异的侧壁垂直度。通过优化投影光学系统的入瞳，可增大焦深（DoF），从而实现厚光刻胶的高保真曝光，并获得高达 40:1 的深宽比。

对于需要更小结构尺寸或三维表面形貌的应用，我们的 DWL 66⁺ 激光直写光刻系统将高分辨率光刻与先进的灰度光刻功能相结合。凭借 65,536 级灰度，可在厚度高达 150 µm 的光刻胶中实现出色的表面质量。对于需要更高深宽比的应用，高分辨率图形还可通过反应离子刻蚀（RIE）转移到功能基底中。这种刻蚀放大工艺能够实现具有超高横向分辨率和更高有效深宽比的微结构。

除传统高深宽比微结构外，我们的 MLA 150 和 MLA 300 无掩模光刻对准系统还可通过精确的局部曝光剂量控制，在负性光刻胶中制备复杂的三维微结构。悬空结构、封闭式微流控通道、晶格结构以及其他复杂几何结构，均可在单次无掩模光刻工艺中完成，无需重新装载基底或重新对准。这种方法显著简化了复杂微结构的制造流程，同时降低了工艺复杂性。

有关此方法的更多信息，请参阅我们的应用说明: Single-Step 3D Patterning of Negative Resists via Maskless Aligner.