高宽比

SU-8 中的纵横比高达 40:1

说明
微机电系统和微流控等应用领域通常需要具有高深宽比的微架构加工。我们的直写光刻系统可以在保持垂直侧壁的情况下，直接曝光厚层抗蚀层（如 SU-8）。这可以通过调整镜头的入口瞳孔来实现，入口瞳孔会增大景深，从而减小数值孔径，从而实现高达 40:1 的长宽比。然后，通过使用 RIE 进行蚀刻放大，可以制作出具有超高横向分辨率和高深宽比的特征。

微机电系统和微流控等应用领域通常需要具有高深宽比的微架构加工。我们的直写光刻系统可以在保持垂直侧壁的情况下，直接曝光厚层抗蚀层（如 SU-8）。这可以通过调整镜头的入口瞳孔来实现，入口瞳孔会增大景深，从而减小数值孔径，从而实现高达 40:1 的长宽比。然后，通过使用 RIE 进行蚀刻放大，可以制作出具有超高横向分辨率和高深宽比的特征。