高宽比

SU-8 中的纵横比高达 40:1

  • Description

  • 微机电系统(MEMS)和微流体等应用领域通常需要高纵横比的微结构。我们的直接写入光刻系统可以在保持垂直侧壁的情况下,直接曝光厚层抗蚀层(如 SU-8)。这可以通过调整透镜的入口瞳孔来实现,入口瞳孔会增大 DoF,从而减小数值孔径,从而实现高达 40:1 的高宽比。然后,通过使用 RIE 进行蚀刻放大,可以制作出具有超高横向分辨率和纵横比的特征。

微机电系统(MEMS)和微流体等应用领域通常需要高纵横比的微结构。我们的直接写入光刻系统可以在保持垂直侧壁的情况下,直接曝光厚层抗蚀层(如 SU-8)。这可以通过调整透镜的入口瞳孔来实现,入口瞳孔会增大 DoF,从而减小数值孔径,从而实现高达 40:1 的高宽比。然后,通过使用 RIE 进行蚀刻放大,可以制作出具有超高横向分辨率和纵横比的特征。

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