高分辨率和超高分辨率

光学扫描探针光刻技术 300 纳米，热扫描探针光刻技术 15 纳米

说明
分辨率不仅仅是尽可能小的特征尺寸。根据不同的应用，高分辨率的决定因素可能是特征密度、几何形状限制、线边粗糙度或光盘均匀性。

在分辨率低于 100 纳米的超高分辨率光刻技术中，光刻胶选择和蚀刻的实际工艺以及计量功能成为关键因素。

我们为光刻系统提供的规格是保守的，在现场验收时很容易达到，这意味着我们系统的曝光结果可能比宣传的更好（如几个例子所示）。

我们努力将技术推进到分辨率的物理极限。我们的光学系统可达到低至 300 nm 的尺寸，而我们的 NanoFrazor 热扫描探针光刻系统可使用超锋利的加热探针实现 15 nm 的孤立特征尺寸。

分辨率不仅仅是尽可能小的特征尺寸。根据不同的应用，高分辨率的决定因素可能是特征密度、几何形状限制、线边粗糙度或光盘均匀性。

在分辨率低于 100 纳米的超高分辨率光刻技术中，光刻胶选择和蚀刻的实际工艺以及计量功能成为关键因素。

我们为光刻系统提供的规格是保守的，在现场验收时很容易达到，这意味着我们系统的曝光结果可能比宣传的更好（如几个例子所示）。

我们努力将技术推进到分辨率的物理极限。我们的光学系统可达到低至 300 nm 的尺寸，而我们的 NanoFrazor 热扫描探针光刻系统可使用超锋利的加热探针实现 15 nm 的孤立特征尺寸。

相关图片

该 300 nm 宽通道波导耦合至半径 3 µm 的环形谐振腔，使用 DWL 66+ 的 HiRes 高分辨率写入模式制作。亚微米波导、谐振腔及类似微结构在光电子学中用于引导或研究电磁辐射。该设计由“K.C. Balram 等人，Nanolithography Toolbox，J. Res. natl. Inst. Stand. 121, 464–475 (2016)”创建。 — 该 300 nm 宽通道波导耦合至半径 3 µm 的环形谐振腔，使用 DWL 66⁺ 的 HiRes 高分辨率写入模式制作。亚微米波导、谐振腔及类似微结构在光电子学中用于引导或研究电磁辐射。该设计由“K.C. Balram 等人，Nanolithography Toolbox，J. Res. natl. Inst. Stand. 121, 464–475 (2016)”创建。

倾斜视角下的扫描电镜图像，展示了蚀刻在硅中的嵌套 L 形结构。 — 倾斜视角下的扫描电镜图像，展示了蚀刻在硅中的嵌套 L 形结构。 (Courtesy of IBM Research Zurich & Heidelberg Instruments Nano)

锥形线示例，展示了在 1.5 微米厚光刻胶中解析 500 纳米线宽的能力

通过高分辨率剥离工艺图案化的约 16 纳米直径的氧化铝点的三角阵列。 — 通过高分辨率剥离工艺图案化的约 16 纳米直径的氧化铝点的三角阵列。 (Courtesy of Heidelberg Instruments Nano)

通过 NanoFrazor 图案化并采用高分辨率剥离工艺转移的两个金属电极之间 20 纳米间隙的扫描电镜图像。 — 通过 NanoFrazor 图案化并采用高分辨率剥离工艺转移的两个金属电极之间 20 纳米间隙的扫描电镜图像。 (Courtesy of Heidelberg Instruments Nano)

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在硅中形成的 13.8 纳米半间距、2.3 纳米线边粗糙度（3σ）的线条和间距。该结构由 NanoFrazor 光刻在 PPA 光刻胶中写入图案，并通过反应离子蚀刻深入硅约 50 纳米。 — 在硅中形成的 13.8 纳米半间距、2.3 纳米线边粗糙度（3σ）的线条和间距。该结构由 NanoFrazor 光刻在 PPA 光刻胶中写入图案，并通过反应离子蚀刻深入硅约 50 纳米。 (Publication by Ryu et al., ACS Nano, 2017)

通过电子束光刻制备电极，连接细线和宽线。图案通过高分辨率剥离工艺沉积完成。 — 通过电子束光刻制备电极，连接细线和宽线。图案通过高分辨率剥离工艺沉积完成。 (Courtesy of Bojun Cheng, ETH Zurich & Heidelberg Instruments Nano)

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