精确放置图案
位置和叠加精度高
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说明
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在某些应用中,局部或全局图案放置精度是光刻技术最关键的要求。
我们的直写光刻系统使用差分激光干涉仪、光学正面和/或背面对准或原位成像来测量各种参数,以便在样品上准确定位。气候控制室和 Zerodur 样品卡盘可最大限度地减少不易测量和主动补偿的热漂移。与依赖掩模或印章的掩模对准机、步进机或压印光刻设备相比,直接写入光刻(Direct Write Lithography) 在图形位置精度方面具有关键优势。
这些设备无法补偿来自前一道工艺步骤、热效应或基板翘曲所导致的局部或全局不完美。
而在直接写入光刻中,可以通过局部与全局位置矩阵校正(local and global position matrix corrections)——包括 x 方向比例误差、y 方向比例误差、旋转、平移、正交误差 等——对版图数据进行单独调整,从而补偿由于样品或设备缺陷导致的与期望图形的偏差。
在某些应用中,局部或全局图案放置精度是光刻技术最关键的要求。
我们的直写光刻系统使用差分激光干涉仪、光学正面和/或背面对准或原位成像来测量各种参数,以便在样品上准确定位。气候控制室和 Zerodur 样品卡盘可最大限度地减少不易测量和主动补偿的热漂移。
与依赖掩模或印章的掩模对准机、步进机或压印光刻设备相比,直接写入光刻(Direct Write Lithography) 在图形位置精度方面具有关键优势。
这些设备无法补偿来自前一道工艺步骤、热效应或基板翘曲所导致的局部或全局不完美。
而在直接写入光刻中,可以通过局部与全局位置矩阵校正(local and global position matrix corrections)——包括 x 方向比例误差、y 方向比例误差、旋转、平移、正交误差 等——对版图数据进行单独调整,从而补偿由于样品或设备缺陷导致的与期望图形的偏差。
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适用系统
DWL 66+ 激光直写光刻系统
- 直接写入激光光刻系统
我们最通用的研究和原型制作系统,具有可变分辨率和多种选项。
MLA 300 无掩模光刻系统
- 无掩膜对准器
针对灵活的工业生产进行了优化,精度最高,可与工业生产线无缝集成。
DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 激光直写光刻系统
- 直接写入激光光刻系统
市场上最先进的工业灰度光刻工具。
VPG+ 200、VPG+ 400 和 VPG+ 800 三维图案生成器
- 音量模式发生器
适用于 i-line 光刻胶的标准光掩膜和微结构的强大生产工具。
VPG+ 1400 FPD / VPG+ 1850 FPD 三维图案生成器
- 音量模式发生器
在大型基板上生产光掩膜,非常适合显示应用。
ULTRA 半导体掩模直写系统
- 激光掩膜书写器
专门设计用于生产成熟半导体光掩膜的工具。
NanoFrazor 纳米制造系统
- 热扫描探针光刻系统
多功能模块化工具,结合热扫描探针光刻、直接激光升华及先进自动化技术,助力前沿研发。
