无创纳米光刻技术

您的底层材料不会受损

  • 说明

  • 光刻技术会改变或恶化样品的特性,例如,暴露在电子或离子等高能带电粒子中。这可能会导致与有机抗蚀剂产生不必要的共价键、捕获电荷或晶格缺陷。在使用带有绝缘层的芯片设计或包含敏感材料(如二维材料或纳米线)的设备时,由此产生的污染或缺陷会大大降低设备的性能。

    标准NanoFrazor光刻工艺的加热尖端只能加热顶部的抗蚀层。
    NanoFrazor还可以安装在手套箱内,这有利于对在空气中变质的样品进行纳米光刻。

光刻技术会改变或恶化样品的特性,例如,暴露在电子或离子等高能带电粒子中。这可能会导致与有机抗蚀剂产生不必要的共价键、捕获电荷或晶格缺陷。在使用带有绝缘层的芯片设计或包含敏感材料(如二维材料或纳米线)的设备时,由此产生的污染或缺陷会大大降低设备的性能。

标准NanoFrazor光刻工艺的加热尖端只能加热顶部的抗蚀层。
NanoFrazor还可以安装在手套箱内,这有利于对在空气中变质的样品进行纳米光刻。

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