无创纳米光刻技术
您的底层材料不会受损
-
Description
-
光刻技术会改变或恶化样品的特性,例如,暴露在电子或离子等高能带电粒子中。这可能会导致与有机抗蚀剂产生不必要的共价键、捕获电荷或晶格缺陷。在使用带有绝缘层的芯片设计或包含敏感材料(如二维材料或纳米线)的设备时,由此产生的污染或缺陷会大大降低设备的性能。
标准NanoFrazor光刻工艺的加热头仅加热顶部抗蚀层。
NanoFrazor还可以安装在手套箱内,这有利于在空气中变质的样品上进行纳米光刻。
光刻技术会改变或恶化样品的特性,例如,暴露在电子或离子等高能带电粒子中。这可能会导致与有机抗蚀剂产生不必要的共价键、捕获电荷或晶格缺陷。在使用带有绝缘层的芯片设计或包含敏感材料(如二维材料或纳米线)的设备时,由此产生的污染或缺陷会大大降低设备的性能。
标准NanoFrazor光刻工艺的加热头仅加热顶部抗蚀层。
NanoFrazor还可以安装在手套箱内,这有利于在空气中变质的样品上进行纳米光刻。