微电子学和纳米电子学
微电子和纳米电子器件的快速原型制作
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说明
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微电子技术的进步不断依赖于电子器件的微缩和在有源区域引入新材料,以实现更高的速度和器件结构中的新功能。对器件架构的探索和新材料的应用需要一种快速原型制作的方法,从而实现设计变更的高效测试和实施。
Heidelberg Instruments 的无掩模光刻工具,如 MLA、DWL 和 VPG+ 系列,已经成为微电子光刻中的一种变革性技术,与传统光刻相比具有众多优势。其高分辨率和无掩模操作能够精确刻写复杂的微尺度特征,推动了微型化的极限。通过消除物理掩模,生产成本降低,并使快速原型制作成为可能,加速了开发周期。该技术的灵活性允许在晶圆上即时进行定制,根据具体需求调整每个器件。
NanoFrazor 通过将热扫描探针光刻(t-SPL)与激光直接升华相结合来促进纳米电子技术的发展。 这种热纳米光刻技术能够在器件最关键的区域以最高分辨率创建纳米结构。 将相同热光刻胶的激光直接升华纳入工艺,使电气走线和接触结构的高效写入成为可能。 因此,NanoFrazor 已成为纳米电子器件制造的理想选择,特别适用于量子电子学和分子传感等应用。
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要求
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具有高分辨率特征和低线边粗糙度的密集图案
精确叠加多个图层
与现有模式转换流程兼容
周转时间快,灵活性高
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解决方案
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快速原型开发
无需口罩无费用累积
不受带电粒子影响的关键绝缘层精确叠合
使用对齐标记或不使用对齐标记。功能结构层可用作参考(NanoFrazor 和绘制模式)超高分辨率(15 纳米)
无需邻近效应校正(NanoFrazor)高分辨率
最小特征尺寸 200 nm (DWL 66+)
微电子技术的进步不断依赖于电子器件的微缩和在有源区域引入新材料,以实现更高的速度和器件结构中的新功能。对器件架构的探索和新材料的应用需要一种快速原型制作的方法,从而实现设计变更的高效测试和实施。
Heidelberg Instruments 的无掩模光刻工具,如 MLA、DWL 和 VPG+ 系列,已经成为微电子光刻中的一种变革性技术,与传统光刻相比具有众多优势。其高分辨率和无掩模操作能够精确刻写复杂的微尺度特征,推动了微型化的极限。通过消除物理掩模,生产成本降低,并使快速原型制作成为可能,加速了开发周期。该技术的灵活性允许在晶圆上即时进行定制,根据具体需求调整每个器件。
NanoFrazor 通过将热扫描探针光刻(t-SPL)与激光直接升华相结合来促进纳米电子技术的发展。 这种热纳米光刻技术能够在器件最关键的区域以最高分辨率创建纳米结构。 将相同热光刻胶的激光直接升华纳入工艺,使电气走线和接触结构的高效写入成为可能。 因此,NanoFrazor 已成为纳米电子器件制造的理想选择,特别适用于量子电子学和分子传感等应用。
具有高分辨率特征和低线边粗糙度的密集图案
精确叠加多个图层
与现有模式转换流程兼容
周转时间快,灵活性高
快速原型开发
无费用累积
精确叠合
超高分辨率(15 纳米)
高分辨率
应用图像






合适的系统
MLA 150 无掩模光刻系统
- 无掩膜对准器
用于快速原型制作的最快无掩模工具,是掩模校准器的替代品。非常适合标准二进制光刻。
MLA 300 无掩模光刻系统
- 无掩膜对准器
针对灵活的工业生产进行了优化,精度最高,可与工业生产线无缝集成。
DWL 66+ 激光直写光刻系统
- 直接写入激光光刻系统
我们最通用的研究和原型制作系统,具有可变分辨率和多种选项。
NanoFrazor 纳米制造系统
- 热扫描探针光刻系统
多功能模块化工具,结合热扫描探针光刻、直接激光升华及先进自动化技术,助力前沿研发。
VPG+ 200、VPG+ 400 和 VPG+ 800 三维图案生成器
- 音量模式发生器
适用于 i-line 光刻胶的标准光掩膜和微结构的强大生产工具。
VPG 300 DI 无掩模投影光刻系统
- 无掩模步进器
用于高精度和高分辨率微结构的无掩模直接成像仪。
ULTRA 半导体掩模直写系统
- 激光掩膜书写器
专门设计用于生产成熟半导体光掩膜的工具。
