半导体光刻与器件制造

半导体研发与制造的精密光刻

  • 说明

  • 半导体光刻是集成电路、传感器、功率电子器件、先进封装MEMS 以及其他微电子器件研发与制造中的基础工艺。该工艺利用光将图形转移到涂覆光刻胶的基板上,从而定义导电路径、接触区域、电极、器件层、通孔和互连等功能结构。

    传统光刻通过实体[光掩模]将这些图形转移到基板上。这种方法技术成熟,对于标准化、大批量的半导体制造而言具有很高的成本效益。然而,每次设计变更都可能需要制作新的光掩模,从而增加开发过程中的制版成本、交付周期和复杂性。

    无掩模光刻,也称为直接写入光刻,可将数字版图数据直接写入涂覆光刻胶的基板。由于曝光图形通过数字方式生成,因此无需制造新的实体光掩模即可修改设计。这使半导体研究、工艺开发、原型制作、试生产线以及多品种生产能够实现更快速的迭代、更高的图形加工灵活性和更具经济效益的加工。

    对于仍采用传统掩模曝光的工艺,部分 Heidelberg Instruments 系统还可用于制造高质量光掩模。这使用户能够根据工艺要求、生产量和现有设备,在直接对基板进行图形化加工和内部光掩模制造之间灵活选择。
    详细了解我们的光掩模制造解决方案。

    为什么选择无掩模光刻?

    • 无需光掩模:无需为每次设计迭代制作新的实体光掩模,即可将数字版图直接转移到基板上。
    • 更快速的设计迭代:通过数字方式修改版图,并快速将设计变更转化为实体实验。
    • 灵活的多层对准:将新图形与现有结构进行精确对准,并补偿工艺引起的偏差。
    • 高混合、小批量生产能力:高效处理不同的器件设计、小批量产品以及针对特定应用的版图。

    挑战:更快的开发速度,更高的灵活性

    半导体开发通常涉及复杂的多层制造工艺。每增加一层光刻层,可能都需要另一块光掩模、与现有结构进行精确对准,以及进行大量的工艺优化。

    因此,研发和生产团队必须应对以下几个关键挑战:

    • 高昂的掩模成本和较长的交付周期:多层器件和频繁的设计变更可能需要大量光掩模,从而增加制版成本并延长开发周期。
    • 缓慢的工艺优化和设计迭代:当较大的版图变更需要重新制作光掩模或进行完整的晶圆运行时,评估不同的几何结构、尺寸和工艺参数可能耗费大量时间。
    • 高要求的多层对准:后续器件层必须与现有结构进行精确对准,同时补偿前序工艺步骤引入的位置、旋转、缩放和正交度偏差。
    • 高混合、小批量生产需求:研发、试生产线以及先进封装、MEMS、传感器、功率电子和光电子等专业化生产环境,需要具备经济高效地加工小批量产品、多种器件变体以及针对特定应用的版图的灵活性。
    • 具有挑战性的基板:化合物半导体晶圆、小尺寸样品、翘曲基板、薄箔以及具有现有表面形貌的基板,可能需要灵活的处理方式和可靠的聚焦能力。
    • 敏感的设计数据:将版图发送给外部掩模供应商可能会带来额外的数据处理和知识产权方面的考量。

    解决方案:精密无掩模光刻

    Heidelberg Instruments 的无掩模激光光刻技术提供了应对这些挑战所需的灵活性。无需等待新的光掩模,用户即可更新数字版图,并直接进行下一次曝光。

    根据所选系统和应用要求,无掩模光刻可提供:

    • 直接数字化图形化和快速设计调整:可直接从 CAD 数据进行曝光,在不同批次之间修改版图,并在无需制作新光掩模的情况下评估多种器件或工艺变体。
    • 先进的多层对准:将图形与现有结构进行精确对准,并补偿位置、旋转、缩放和正交度偏差。根据所选系统的不同,正面和背面对准功能可支持复杂的多层工艺流程。
    • 多样化的光刻胶和三维图形加工:可加工薄层和厚层光刻胶,适用于从精细器件结构到高深宽比结构的各种应用。灰度光刻还可实现可控的 2.5D 和三维光刻胶轮廓。
    • 灵活加工具有挑战性的基板:根据系统配置,可使用针对特定应用的基板载台加工整片晶圆、面板、小尺寸样品、薄型或厚型基板、薄箔以及其他非标准基板。动态自动对焦有助于在翘曲、波纹状或具有表面形貌的基板上保持曝光质量。对于面向生产的应用,[MLA 300 无掩模直写光刻机] 将灵活的直接写入曝光与工业自动化和高通量加工相结合,可处理最大 300 × 300 mm 的基板。

    从数字版图到半导体器件

    无掩模光刻在数字器件设计与实际半导体制造之间建立了直接连接。典型工艺流程从 CAD 版图开始,随后将其转换为曝光数据,并直接对涂覆光刻胶的基板进行图形化。

    这种数字化工艺流程使工程师能够在单个基板上比较多种器件设计和工艺参数,根据特定芯片、样品或现有结构调整版图,并缩短设计变更与实际实验之间的周转时间。

    在部分系统中,Draw Mode 可提供更高层次的灵活性,使用户能够直接在基板的实时显微镜图像上创建单个结构。这对于添加标记、标签、电气连接或其他特定应用结构非常有用,无需创建完整的新版图。

    适用于多种半导体应用的光刻平台

    Heidelberg Instruments 的无掩模光刻解决方案可支持广泛的半导体和微电子应用,从早期研究和工艺开发到试生产和专业化制造。

    • 半导体器件和集成电路:用于器件结构和互连的快速原型制作与工艺开发。
    • 先进封装:用于封装结构、重布线层和特定应用工艺的灵活图形加工。
    • MEMS 和传感器:用于机械器件和传感器的多层、高深宽比及灰度结构。
    • 功率电子和化合物半导体:针对具有挑战性的基板材料和专用器件几何结构进行灵活加工。
    • 光子学和光电子学:用于光学和电光结构的高分辨率及灰度图形加工。

    探索我们的微电子和纳米电子应用,进一步了解相关的光刻工艺和技术。

    Heidelberg Instruments 的专业能力

    Heidelberg Instruments 提供广泛的光刻解决方案,涵盖半导体研究、开发、原型制作、试生产和工业制造。产品组合包括无掩模对准机、直接激光写入系统以及用于二元、灰度、高深宽比和多层光刻的光掩模制造设备。

    通过不同的系统平台、曝光方案、波长、写入模式、基板处理选项和自动化程度,用户可以选择最适合其分辨率、吞吐量、光刻胶工艺、基板尺寸和生产环境需求的解决方案。

    根据应用需求,产品组合包括:

    • MLA 300 无掩模直写光刻机,面向生产的无掩模光刻解决方案,可处理最大 300 × 300 mm 的基板,将直接数字化图形加工与自动化和工业集成相结合。
    • VPG 300 DI 无掩模步进光刻机,是一种用于晶圆级图形加工和工艺开发的直接写入解决方案,将高分辨率曝光与无掩模灵活性相结合。
    • DWL 66+ 激光光刻系统,是一种多功能的高分辨率直接写入研究和原型制作平台,支持灰度光刻和复杂微结构加工。
    • 光掩模制造解决方案:用于研究、开发和工业光掩模制造的系统,适用于优先采用传统掩模曝光的场景。

    这些技术共同支持从单个研究样品和小尺寸晶圆片段,到自动化晶圆加工和面向生产的制造等各种半导体工艺流程。

    从研发到生产

    Heidelberg Instruments 将直接写入的灵活性与可扩展的光刻解决方案相结合,满足半导体制造流程不同阶段的需求。用户可以从快速无掩模原型制作开始,优化工艺,并随着对吞吐量、基板尺寸和工艺集成的要求不断提高,逐步转向更高自动化程度或更面向生产的系统。

    这一系列解决方案可帮助半导体制造商、研究机构和技术开发人员缩短迭代时间、应对高混合度工艺,并针对每个制造步骤选择最合适的光刻方案。

    探索半导体光刻解决方案

    了解 Heidelberg Instruments 的光刻系统如何帮助加速半导体开发、简化设计迭代,并为要求严苛的微纳加工工艺提供所需的灵活性。

    探索我们的光掩模解决方案为您的应用寻找合适的光刻系统

  • 要求

  • 优质抗蚀剂

    高度均匀性和一致性

    高吞吐量

    与现有流程的兼容性

    对齐和叠加精度

  • 解决方案

  • 通过TEM00认证的优质激光器

    适用于典型的半导体光刻胶(ULTRA 和 VPG+

    环境控制:

    自校准计量系统

    干涉位置测量

    实时舞台地图校正

    第二层对准精度 < 100 纳米

    (ULTRA)

    处理翘曲的基板

    (MLA 300)

半导体光刻是集成电路、传感器、功率电子器件、先进封装MEMS 以及其他微电子器件研发与制造中的基础工艺。该工艺利用光将图形转移到涂覆光刻胶的基板上,从而定义导电路径、接触区域、电极、器件层、通孔和互连等功能结构。

传统光刻通过实体[光掩模]将这些图形转移到基板上。这种方法技术成熟,对于标准化、大批量的半导体制造而言具有很高的成本效益。然而,每次设计变更都可能需要制作新的光掩模,从而增加开发过程中的制版成本、交付周期和复杂性。

无掩模光刻,也称为直接写入光刻,可将数字版图数据直接写入涂覆光刻胶的基板。由于曝光图形通过数字方式生成,因此无需制造新的实体光掩模即可修改设计。这使半导体研究、工艺开发、原型制作、试生产线以及多品种生产能够实现更快速的迭代、更高的图形加工灵活性和更具经济效益的加工。

对于仍采用传统掩模曝光的工艺,部分 Heidelberg Instruments 系统还可用于制造高质量光掩模。这使用户能够根据工艺要求、生产量和现有设备,在直接对基板进行图形化加工和内部光掩模制造之间灵活选择。
详细了解我们的光掩模制造解决方案。

为什么选择无掩模光刻?

  • 无需光掩模:无需为每次设计迭代制作新的实体光掩模,即可将数字版图直接转移到基板上。
  • 更快速的设计迭代:通过数字方式修改版图,并快速将设计变更转化为实体实验。
  • 灵活的多层对准:将新图形与现有结构进行精确对准,并补偿工艺引起的偏差。
  • 高混合、小批量生产能力:高效处理不同的器件设计、小批量产品以及针对特定应用的版图。

挑战:更快的开发速度,更高的灵活性

半导体开发通常涉及复杂的多层制造工艺。每增加一层光刻层,可能都需要另一块光掩模、与现有结构进行精确对准,以及进行大量的工艺优化。

因此,研发和生产团队必须应对以下几个关键挑战:

  • 高昂的掩模成本和较长的交付周期:多层器件和频繁的设计变更可能需要大量光掩模,从而增加制版成本并延长开发周期。
  • 缓慢的工艺优化和设计迭代:当较大的版图变更需要重新制作光掩模或进行完整的晶圆运行时,评估不同的几何结构、尺寸和工艺参数可能耗费大量时间。
  • 高要求的多层对准:后续器件层必须与现有结构进行精确对准,同时补偿前序工艺步骤引入的位置、旋转、缩放和正交度偏差。
  • 高混合、小批量生产需求:研发、试生产线以及先进封装、MEMS、传感器、功率电子和光电子等专业化生产环境,需要具备经济高效地加工小批量产品、多种器件变体以及针对特定应用的版图的灵活性。
  • 具有挑战性的基板:化合物半导体晶圆、小尺寸样品、翘曲基板、薄箔以及具有现有表面形貌的基板,可能需要灵活的处理方式和可靠的聚焦能力。
  • 敏感的设计数据:将版图发送给外部掩模供应商可能会带来额外的数据处理和知识产权方面的考量。

解决方案:精密无掩模光刻

Heidelberg Instruments 的无掩模激光光刻技术提供了应对这些挑战所需的灵活性。无需等待新的光掩模,用户即可更新数字版图,并直接进行下一次曝光。

根据所选系统和应用要求,无掩模光刻可提供:

  • 直接数字化图形化和快速设计调整:可直接从 CAD 数据进行曝光,在不同批次之间修改版图,并在无需制作新光掩模的情况下评估多种器件或工艺变体。
  • 先进的多层对准:将图形与现有结构进行精确对准,并补偿位置、旋转、缩放和正交度偏差。根据所选系统的不同,正面和背面对准功能可支持复杂的多层工艺流程。
  • 多样化的光刻胶和三维图形加工:可加工薄层和厚层光刻胶,适用于从精细器件结构到高深宽比结构的各种应用。灰度光刻还可实现可控的 2.5D 和三维光刻胶轮廓。
  • 灵活加工具有挑战性的基板:根据系统配置,可使用针对特定应用的基板载台加工整片晶圆、面板、小尺寸样品、薄型或厚型基板、薄箔以及其他非标准基板。动态自动对焦有助于在翘曲、波纹状或具有表面形貌的基板上保持曝光质量。对于面向生产的应用,[MLA 300 无掩模直写光刻机] 将灵活的直接写入曝光与工业自动化和高通量加工相结合,可处理最大 300 × 300 mm 的基板。

从数字版图到半导体器件

无掩模光刻在数字器件设计与实际半导体制造之间建立了直接连接。典型工艺流程从 CAD 版图开始,随后将其转换为曝光数据,并直接对涂覆光刻胶的基板进行图形化。

这种数字化工艺流程使工程师能够在单个基板上比较多种器件设计和工艺参数,根据特定芯片、样品或现有结构调整版图,并缩短设计变更与实际实验之间的周转时间。

在部分系统中,Draw Mode 可提供更高层次的灵活性,使用户能够直接在基板的实时显微镜图像上创建单个结构。这对于添加标记、标签、电气连接或其他特定应用结构非常有用,无需创建完整的新版图。

适用于多种半导体应用的光刻平台

Heidelberg Instruments 的无掩模光刻解决方案可支持广泛的半导体和微电子应用,从早期研究和工艺开发到试生产和专业化制造。

  • 半导体器件和集成电路:用于器件结构和互连的快速原型制作与工艺开发。
  • 先进封装:用于封装结构、重布线层和特定应用工艺的灵活图形加工。
  • MEMS 和传感器:用于机械器件和传感器的多层、高深宽比及灰度结构。
  • 功率电子和化合物半导体:针对具有挑战性的基板材料和专用器件几何结构进行灵活加工。
  • 光子学和光电子学:用于光学和电光结构的高分辨率及灰度图形加工。

探索我们的微电子和纳米电子应用,进一步了解相关的光刻工艺和技术。

Heidelberg Instruments 的专业能力

Heidelberg Instruments 提供广泛的光刻解决方案,涵盖半导体研究、开发、原型制作、试生产和工业制造。产品组合包括无掩模对准机、直接激光写入系统以及用于二元、灰度、高深宽比和多层光刻的光掩模制造设备。

通过不同的系统平台、曝光方案、波长、写入模式、基板处理选项和自动化程度,用户可以选择最适合其分辨率、吞吐量、光刻胶工艺、基板尺寸和生产环境需求的解决方案。

根据应用需求,产品组合包括:

  • MLA 300 无掩模直写光刻机,面向生产的无掩模光刻解决方案,可处理最大 300 × 300 mm 的基板,将直接数字化图形加工与自动化和工业集成相结合。
  • VPG 300 DI 无掩模步进光刻机,是一种用于晶圆级图形加工和工艺开发的直接写入解决方案,将高分辨率曝光与无掩模灵活性相结合。
  • DWL 66+ 激光光刻系统,是一种多功能的高分辨率直接写入研究和原型制作平台,支持灰度光刻和复杂微结构加工。
  • 光掩模制造解决方案:用于研究、开发和工业光掩模制造的系统,适用于优先采用传统掩模曝光的场景。

这些技术共同支持从单个研究样品和小尺寸晶圆片段,到自动化晶圆加工和面向生产的制造等各种半导体工艺流程。

从研发到生产

Heidelberg Instruments 将直接写入的灵活性与可扩展的光刻解决方案相结合,满足半导体制造流程不同阶段的需求。用户可以从快速无掩模原型制作开始,优化工艺,并随着对吞吐量、基板尺寸和工艺集成的要求不断提高,逐步转向更高自动化程度或更面向生产的系统。

这一系列解决方案可帮助半导体制造商、研究机构和技术开发人员缩短迭代时间、应对高混合度工艺,并针对每个制造步骤选择最合适的光刻方案。

探索半导体光刻解决方案

了解 Heidelberg Instruments 的光刻系统如何帮助加速半导体开发、简化设计迭代,并为要求严苛的微纳加工工艺提供所需的灵活性。

探索我们的光掩模解决方案为您的应用寻找合适的光刻系统

优质抗蚀剂

高度均匀性和一致性

高吞吐量

与现有流程的兼容性

对齐和叠加精度

通过TEM00认证的优质激光器

适用于典型的半导体光刻胶(ULTRA 和 VPG+

环境控制:

自校准计量系统

干涉位置测量

实时舞台地图校正

第二层对准精度 < 100 纳米

(ULTRA)

处理翘曲的基板

(MLA 300)

应用图像

合适的系统

滚动至顶部