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应用图片库展示了使用Heidelberg Instruments系统制作的令人印象深刻的微米和纳米结构。来自世界各地的研究人员可以提交他们的图片，展示我们工具在各类前沿研究应用中的能力。
我们希望强调在纳米技术、生物医学工程、量子器件、柔性电子、光子学等领域正在发生的卓越创新。
精选作品将在我们的营销渠道上展示，以表彰用户的创造力和成就，并激励全球微纳米制造社区。同时，我们也希望在推广之外支持科研工作，并共同寻找有益的措施。
提交指南
- 请上传1到5张图片及/或一段短视频（<3分钟），展示创新应用。
- 展示的结构必须使用现有或以往的Heidelberg Instruments系统制作。
- 图片必须没有第三方版权。
- 图片可使用任何设备（如相机或显微镜）拍摄。
- 图片可进行轻微编辑以起到说明作用（如添加比例尺或标注元素）。
- Heidelberg Instruments有权在线或以印刷形式使用这些图片，图片将附上提交者指定的参考信息（作者姓名及/或所属机构）。
- 针对不同应用的多项提交应分别进行。
我们欢迎提供高分辨率图像，配合清晰简洁的说明以帮助理解应用场景，内容应包括结构尺寸、制造工艺以及所用基材的规格参数。请浏览下方图库获取灵感。
提交报名表后，您将收到一封电子邮件，提供有关如何上传图片的进一步说明。提交所有必需材料后，我们将尽快与您联系。
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用于高性能平面光学的亚波长分辨率硅金属透镜，由 Nurten Koc 完成 (DWL 66+)
直径为 200 μm 的金属透镜顶视 SEM 图像。尽管纳米块在形状和尺寸上完全相同，但它们的旋转和方向彼此不同，突显了金属透镜结构固有的设计灵活性。
用于高性能平面光学的亚波长分辨率硅金属透镜，由 Nurten Koc 完成 (DWL 66+)
直径为 200 μm 的金属透镜的 60° 倾斜视角 SEM 图像。尽管纳米块在形状和尺寸上相同，但它们的旋转和方向彼此不同，突显了金属透镜结构固有的设计灵活性。
用于高性能下一代传感器的单晶悬浮亚 300 nm 硅纳米线（Si NWs）制造，由 Basit Ali 完成 (DWL 66+)
在硅基片上制造的具有相同平面关键尺寸的硅纳米线阵列。图案化了三种不同长度（5、10、15 微米），展示了高纵横比纳米线的图案化。
用于高性能下一代传感器的单晶悬浮亚 300 nm 硅纳米线（Si NWs）制造，由 Basit Ali 完成 (DWL 66+)
硅纳米线的特写图像，平面关键尺寸为 250 nm，厚度为 150 nm，两端连接 5000 nm 厚的 MEMS。纳米线和 MEMS 锚点均采用单片制造工艺。
用于高性能下一代传感器的单晶悬浮亚 300 nm 硅纳米线（Si NWs）制造，由 Basit Ali 完成 (DWL 66+)
在硅基片上制造的具有不同关键尺寸的硅纳米线阵列。最小可用平面关键尺寸为 250 nm，且纳米线长度大一个数量级，展示了高纵横比一维硅纳米线的图案化。
用于研究单个免疫 T 细胞动力学的单细胞微流控捕获系统，由 Wei-Che Chang 完成 (MLA 150)
硅片上多重单细胞捕获装置的概览。包含 200 个单细胞捕获器的细胞阵列显微图像。
用于研究单个免疫 T 细胞动力学的单细胞微流控捕获系统，由 Wei-Che Chang 完成 (MLA 150)
硅片上多重单细胞捕获装置的特写图像。该捕获装置采用双重曝光光刻（DEL）方法制造。
用于研究单个免疫 T 细胞动力学的单细胞微流控捕获系统，由 Wei-Che Chang 完成 (MLA 150)
在 PDMS 制作的微流控芯片中捕获的单个 Jurkat 细胞的显微图像。本实验中的细胞使用 CellTrackerTM Green CMFDA 染料标记。图像通过共聚焦显微镜获取。
磁性薄膜的灰度直接写入激光退火，由 Lauren Riddiford 完成 (DWL 66+)
用于曝光输入的灰度设计
磁性薄膜的灰度直接写入激光退火，由 Lauren Riddiford 完成 (DWL 66+)
磁性薄膜曝光后的设计输出。亮区具有指向面外的磁化，而暗区没有面外磁化分量。
GaN 器件：由 Shonkho Shuvro 制作的金质空气桥阵列 (µPG501)
在双重光刻工艺（涉及光刻胶回流）后，在 Si 上制作的电镀金空气桥
GaN 器件：由 Shonkho Shuvro 制作的金质空气桥阵列 (µPG501)
在双重光刻工艺（涉及光刻胶回流）后，在 Si 上制作的电镀金空气桥
用于二维纳米电子学的结合 t-SPL 和纳米压印的灰度纳米形貌，由 Berke Erbas 和 Xia Liu 完成 (NanoFrazor)
在灰度图案化 SiO₂ 上生长的 CVD MoS₂ 单层被结构化为二维 FET 通道，并通过剥离金属化添加源极和漏极电极。
用于二维纳米电子学的结合 t-SPL 和纳米压印的灰度纳米形貌，由 Berke Erbas 和 Xia Liu 完成 (NanoFrazor)
高精度正弦 SiO₂ 纳米图案（400 nm 间距，100–150 nm 深度）由聚合物放大，保持光滑表面以用于纳米压印或二维材料拉伸应用。
用于二维纳米电子学的结合 t-SPL 和纳米压印的灰度纳米形貌，由 Berke Erbas 和 Xia Liu 完成 (NanoFrazor)
剥离的 MoS₂ 单层被转移到带有二维调制正弦波的工程化栅氧化层上，在原子级薄材料中引入应变。
由 Kei Ikemori 和 Yuichi Wakamoto 教授使用 SU-8 模具制作的合成生物学微流控器件 (µMLA)
使用 SU-8 模具在 PDMS 中制造的微腔，来自 µMLA，承载带有合成基因电路的荧光大肠杆菌。协同荧光在 Heidelberg Instruments 标志周围形成波浪图案。
用于扩展微技术功能以创建集成量子实验室的原子芯片光栅，由 Sascha de Wall 完成 (DWL 66+)
对于紧凑型玻色-爱因斯坦凝聚系统，采用 DWL 66+ 图案化、蚀刻到 Si 并涂覆 Al 的纳米结构光栅，创建光栅磁光阱，简化原子冷却装置。
由 Giorgio Zambito 制作的半导体 MoS₂ 纳米电路 (NanoFrazor)
采用 NanoFrazor Scholar 制作的 MoS₂ 纳米电路，形状为 DIFILab 标志。导电 AFM 映射显示出明确的纳米级导电性，突出二维 TMD 在纳米电子学中的潜力。
