DWL 2000 GS / DWL 4000 GS

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산업용 수준의 그레이스케일 리소그래피 도구

  • Product Description

  • DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 레이저 리소그래피 시스템은 빠르고 유연한 고해상도 패턴 생성기입니다. 산업 수준의 그레이스케일 리소그래피에 최적화되어 있으며 집적 회로, MEMS, 마이크로 광학 및 미세 유체 장치, 센서, 홀로그램, 지폐와 신분증의 보안 기능을 위한 마스크와 웨이퍼의 높은 처리량 패터닝을 위해 설계되었습니다.

    전문가용 그레이스케일 리소그래피 모드를 사용하면 넓은 영역에 걸쳐 두꺼운 포토레지스트에 복잡한 2.5D 구조의 패터닝이 가능합니다. 최소 피처 크기 500nm, 최대 400 x 400mm2의 쓰기 영역, 자동 로딩 시스템(옵션)을 갖춘 DWL 2000 GS/DWL 4000 GS 시스템은 특히 통신, 조명, 산업용 디스플레이 제조에 사용되는 웨이퍼 수준의 마이크로 광학 및 생명 과학 분야의 디바이스 제작에 적합합니다.

    DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 레이저 리소그래피 시스템은 빠르고 유연한 고해상도 패턴 생성기입니다. 산업 수준의 그레이스케일 리소그래피에 최적화되어 있으며 집적 회로, MEMS, 마이크로 광학 및 미세 유체 장치, 센서, 홀로그램, 지폐와 신분증의 보안 기능을 위한 마스크와 웨이퍼의 높은 처리량 패터닝을 위해 설계되었습니다.

    전문가용 그레이스케일 리소그래피 모드를 사용하면 넓은 영역에 걸쳐 두꺼운 포토레지스트에 복잡한 2.5D 구조의 패터닝이 가능합니다. 최소 피처 크기 500nm, 최대 400 x 400mm2의 쓰기 영역, 자동 로딩 시스템(옵션)을 갖춘 DWL 2000 GS/DWL 4000 GS 시스템은 특히 통신, 조명, 산업용 디스플레이 제조에 사용되는 웨이퍼 수준의 마이크로 광학 및 생명 과학 분야의 디바이스 제작에 적합합니다.

  • Product Highlights

  • 노출 품질

    CD 균일도 60nm, 에지 조도 40nm, 정렬 정확도 60nm, 2차 레이어 정렬 250nm, 자동 초점 보정 80µm

    그레이스케일 리소그래피

    1024 그레이 레벨; 복잡한 형상의 노출을 최적화하는 전용 GenISys BEAMER 소프트웨어

    온도 제어 흐름 상자

    온도 안정성 ± 0.1°, ISO 4 환경

    노출 속도

    그레이 스케일 모드에서 60분 이내에 200 x 200mm2의 면적을 측정할 수 있습니다.

    대형 기판 크기

    최대 20 / 40cm

  • Available Modules

  • 5가지 쓰기 모드

    500nm ~ 2μm의 최소 피처 크기

    노출 파장

    405nm의 다이오드 레이저

    자동 초점

    에어 게이지 또는 광학

    자동화

    로딩 장치, 추가 기판 캐리어 스테이션, 프리 얼라이너 및 기판 스캐너

    GenISys 비머

    복잡한 형태의 그레이스케일 노출을 위한 3D 근접 보정(3D-PEC) 기능이 포함된 변환 소프트웨어 패키지

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 레이저 리소그래피 시스템은 빠르고 유연한 고해상도 패턴 생성기입니다. 산업 수준의 그레이스케일 리소그래피에 최적화되어 있으며 집적 회로, MEMS, 마이크로 광학 및 미세 유체 장치, 센서, 홀로그램, 지폐와 신분증의 보안 기능을 위한 마스크와 웨이퍼의 높은 처리량 패터닝을 위해 설계되었습니다.

전문가용 그레이스케일 리소그래피 모드를 사용하면 넓은 영역에 걸쳐 두꺼운 포토레지스트에 복잡한 2.5D 구조의 패터닝이 가능합니다. 최소 피처 크기 500nm, 최대 400 x 400mm2의 쓰기 영역, 자동 로딩 시스템(옵션)을 갖춘 DWL 2000 GS/DWL 4000 GS 시스템은 특히 통신, 조명, 산업용 디스플레이 제조에 사용되는 웨이퍼 수준의 마이크로 광학 및 생명 과학 분야의 디바이스 제작에 적합합니다.

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS 레이저 리소그래피 시스템은 빠르고 유연한 고해상도 패턴 생성기입니다. 산업 수준의 그레이스케일 리소그래피에 최적화되어 있으며 집적 회로, MEMS, 마이크로 광학 및 미세 유체 장치, 센서, 홀로그램, 지폐와 신분증의 보안 기능을 위한 마스크와 웨이퍼의 높은 처리량 패터닝을 위해 설계되었습니다.

전문가용 그레이스케일 리소그래피 모드를 사용하면 넓은 영역에 걸쳐 두꺼운 포토레지스트에 복잡한 2.5D 구조의 패터닝이 가능합니다. 최소 피처 크기 500nm, 최대 400 x 400mm2의 쓰기 영역, 자동 로딩 시스템(옵션)을 갖춘 DWL 2000 GS/DWL 4000 GS 시스템은 특히 통신, 조명, 산업용 디스플레이 제조에 사용되는 웨이퍼 수준의 마이크로 광학 및 생명 과학 분야의 디바이스 제작에 적합합니다.

노출 품질

CD 균일도 60nm, 에지 조도 40nm, 정렬 정확도 60nm, 2차 레이어 정렬 250nm, 자동 초점 보정 80µm

그레이스케일 리소그래피

1024 그레이 레벨; 복잡한 형상의 노출을 최적화하는 전용 GenISys BEAMER 소프트웨어

온도 제어 흐름 상자

온도 안정성 ± 0.1°, ISO 4 환경

노출 속도

그레이 스케일 모드에서 60분 이내에 200 x 200mm2의 면적을 측정할 수 있습니다.

대형 기판 크기

최대 20 / 40cm

5가지 쓰기 모드

500nm ~ 2μm의 최소 피처 크기

노출 파장

405nm의 다이오드 레이저

자동 초점

에어 게이지 또는 광학

자동화

로딩 장치, 추가 기판 캐리어 스테이션, 프리 얼라이너 및 기판 스캐너

GenISys 비머

복잡한 형태의 그레이스케일 노출을 위한 3D 근접 보정(3D-PEC) 기능이 포함된 변환 소프트웨어 패키지

Customer applications

2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)

Why customers choose our systems

Technical Data

쓰기 모드IIIIII IVV
쓰기 성능 - 그레이스케일
오버레이 [3σ, nm](8" x 8" 이상)300
픽셀 그리드 그레이스케일 [nm]1002002505001000
쓰기 속도 DWL 2000 GS [mm2/분] 125075270870
쓰기 속도 DWL 4000 GS [mm2/분] 1250752701000
노출 시간 DWL 2000 GS: 200mm x 200mm [시간] 기준5113.592.50.8
노출 시간 DWL 4000 GS: 400mm x 400mm [시간] 기준2235436103
최대 선량 [mJ/cm2 ]5600140090022550
쓰기 성능 - 바이너리
최소 피처 크기 [µm]0.50.70.812
최소 선 및 간격 [µm]0.70.911.53
주소 그리드 [nm]51012.52550
가장자리 거칠기 [3σ, nm]40506080110
CD 균일성 [3σ, nm]607080130180
등록 [3σ, nm]200200200200200
쓰기 속도 [mm²/분] DWL 2000 GS125075270870
쓰기 속도 [mm²/분] DWL 4000 GS1250752701000
시스템 기능
광원405nm 다이오드 레이저
최대 기판 크기DWL 2000 GS: 9인치 x 9인치 / DWL 4000 GS: 17인치 x 17인치
기판 두께0~12mm
최대 노출 영역DWL 2000 GS: 200 x 200mm² / DWL 4000 GS: 400 x 400mm²
온도 제어 흐름 상자온도 안정성 ± 0.1°, ISO 4 환경
실시간 자동 초점광학 자동 초점 또는 에어 게이지 자동 초점
자동 초점 보정 범위80 μm
시스템 크기
리소그래피 단위 (폭 × 깊이 × 높이); 무게2350㎜ × 1650㎜ × 2100㎜, 3000㎏
전자 랙 (폭 × 깊이 × 높이), 무게800㎜ × 600㎜ × 1800㎜, 180㎏
설치 요구 사항
전기400VAC ± 5%, 50/60Hz, 16A
압축 공기6 - 10 바
클린룸ISO 6 이상 권장

참고
사양은 개별 공정 조건에 따라 다르며 장비 구성에 따라 달라질 수 있습니다. 쓰기 속도는 픽셀 크기와 쓰기 모드에 따라 다릅니다. 디자인 및 사양은 사전 고지 없이 변경될 수 있습니다.

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