높은 종횡비

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SU-8에서 최대 40:1의 종횡비

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  • MEMS 및 미세 유체학과 같은 응용 분야에는 종종 높은 종횡비를 가진 미세 구조가 필요합니다. 당사의 직접 노광 리소그래피 시스템은 수직 측벽을 유지하면서 SU-8과 같은 두꺼운 레지스트 층을 직접 노출할 수 있습니다. 이는 렌즈의 입구 동공을 조정하여 DoF를 증가시켜 수치 조리개를 줄여 최대 40:1의 화면비를 달성할 수 있습니다. 그런 다음 RIE를 사용한 식각 증폭을 통해 매우 높은 측면 해상도와 화면비를 가진 피처를 제작할 수 있습니다.

MEMS 및 미세 유체학과 같은 응용 분야에는 종종 높은 종횡비를 가진 미세 구조가 필요합니다. 당사의 직접 노광 리소그래피 시스템은 수직 측벽을 유지하면서 SU-8과 같은 두꺼운 레지스트 층을 직접 노출할 수 있습니다. 이는 렌즈의 입구 동공을 조정하여 DoF를 증가시켜 수치 조리개를 줄여 최대 40:1의 화면비를 달성할 수 있습니다. 그런 다음 RIE를 사용한 식각 증폭을 통해 매우 높은 측면 해상도와 화면비를 가진 피처를 제작할 수 있습니다.

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These high aspect ratio pillars with a diameter of 10 µm were patterned on the MLA 150.
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Example structure of rectangular pillars patterned in 25 µm of SU-8.
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High-resolution features written 35nm deep into PPA using the NanoFrazor Explore and amplified to 4 µm depth in Si using two reactive ion etching steps. (Courtesy LMIS1 at EPFL, publication Lisunova MEE 2017)
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Grid test pattern structured in 25 μm thick SU-8.
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800 µm thick SU-8 resist was exposed in one step using the MLA 150. The depth of field was optimized to achieve straight vertical walls over the full film thickness.
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Fabricated high-aspect-ratio test microstructures in 110 μm thick AZ 125nXT.
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Exposure of 10 µm thick resist (AZ 9260) with 2 µm and 4 µm lines and spaces. (Courtesy of CMi EPFL)
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Ultra-high resolution features with high aspect ratio in Si. The structures were written only a few nanometer deep into PPA with a NanoFrazor Explore. Using sequential infiltration synthesis processes and hard masks, the structures could be etched deep into Si while maintaining smooth walls. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)
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Suitable Systems

DWL 66+

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