고종횡비 미세구조

두꺼운 포토레지스트를 이용한 고종횡비 미세구조 제작

설명
MEMS, 마이크로플루이딕스, 마이크로옵틱스 및 첨단 패키징을 비롯한 다양한 응용 분야에서는 작은 횡방향 치수와 두꺼운 포토레지스트층을 동시에 구현하는 미세구조가 요구됩니다. 수직 측벽과 높은 치수 정밀도를 유지하면서 고종횡비를 구현하는 것은 신뢰성 높은 소자 성능과 후속 공정의 안정적인 수행을 위해 필수적입니다.

당사의 직접 노광 리소그래피 시스템은 SU-8을 비롯한 네거티브 포토레지스트의 두꺼운 레지스트층을 직접 노광하면서도 뛰어난 측벽 수직성을 유지합니다. 또한 투영 광학계의 입사동공을 최적화하여 초점 심도(DoF)를 향상시킴으로써, 높은 패턴 충실도를 유지한 두꺼운 레지스트 노광과 최대 40:1의 고종횡비 구현이 가능합니다.

더욱 미세한 구조나 3차원 표면 형상이 요구되는 응용 분야를 위해, 당사의 DWL 66⁺ 레이저 리소그래피 시스템은 고해상도 리소그래피와 고급 그레이스케일 노광 기능을 제공합니다. 65,536단계의 그레이스케일을 지원하여 최대 150 µm 두께의 포토레지스트에서도 뛰어난 표면 품질을 구현합니다. 더욱 높은 종횡비가 필요한 경우에는 반응성 이온 식각(RIE)을 통해 고해상도 패턴을 기능성 기판으로 전사할 수 있습니다. 이러한 식각 증폭 공정을 통해 초고해상도의 횡방향 분해능과 더욱 높은 유효 종횡비를 갖는 구조를 구현할 수 있습니다.

기존의 고종횡비 구조를 넘어, 당사의 MLA 150 및 MLA 300 마스크리스 얼라이너는 정밀한 국부 노광량 제어를 통해 네거티브 포토레지스트에서 복잡한 3차원 미세구조를 제작할 수 있습니다. 부유 구조, 밀폐형 마이크로플루이딕 채널, 격자 구조 및 기타 복잡한 형상을 기판의 재장착이나 재정렬 없이 단일 마스크리스 리소그래피 공정으로 제작할 수 있습니다. 이러한 접근 방식은 복잡한 미세구조의 제작을 크게 단순화하는 동시에 공정 복잡성도 줄여줍니다.

이 접근 방식에 대한 자세한 내용은 당사의 애플리케이션 노트에서 확인하실 수 있습니다: Single-Step 3D Patterning of Negative Resists via Maskless Aligner.

MEMS, 마이크로플루이딕스, 마이크로옵틱스 및 첨단 패키징을 비롯한 다양한 응용 분야에서는 작은 횡방향 치수와 두꺼운 포토레지스트층을 동시에 구현하는 미세구조가 요구됩니다. 수직 측벽과 높은 치수 정밀도를 유지하면서 고종횡비를 구현하는 것은 신뢰성 높은 소자 성능과 후속 공정의 안정적인 수행을 위해 필수적입니다.

당사의 직접 노광 리소그래피 시스템은 SU-8을 비롯한 네거티브 포토레지스트의 두꺼운 레지스트층을 직접 노광하면서도 뛰어난 측벽 수직성을 유지합니다. 또한 투영 광학계의 입사동공을 최적화하여 초점 심도(DoF)를 향상시킴으로써, 높은 패턴 충실도를 유지한 두꺼운 레지스트 노광과 최대 40:1의 고종횡비 구현이 가능합니다.

더욱 미세한 구조나 3차원 표면 형상이 요구되는 응용 분야를 위해, 당사의 DWL 66⁺ 레이저 리소그래피 시스템은 고해상도 리소그래피와 고급 그레이스케일 노광 기능을 제공합니다. 65,536단계의 그레이스케일을 지원하여 최대 150 µm 두께의 포토레지스트에서도 뛰어난 표면 품질을 구현합니다. 더욱 높은 종횡비가 필요한 경우에는 반응성 이온 식각(RIE)을 통해 고해상도 패턴을 기능성 기판으로 전사할 수 있습니다. 이러한 식각 증폭 공정을 통해 초고해상도의 횡방향 분해능과 더욱 높은 유효 종횡비를 갖는 구조를 구현할 수 있습니다.

기존의 고종횡비 구조를 넘어, 당사의 MLA 150 및 MLA 300 마스크리스 얼라이너는 정밀한 국부 노광량 제어를 통해 네거티브 포토레지스트에서 복잡한 3차원 미세구조를 제작할 수 있습니다. 부유 구조, 밀폐형 마이크로플루이딕 채널, 격자 구조 및 기타 복잡한 형상을 기판의 재장착이나 재정렬 없이 단일 마스크리스 리소그래피 공정으로 제작할 수 있습니다. 이러한 접근 방식은 복잡한 미세구조의 제작을 크게 단순화하는 동시에 공정 복잡성도 줄여줍니다.

이 접근 방식에 대한 자세한 내용은 당사의 애플리케이션 노트에서 확인하실 수 있습니다: Single-Step 3D Patterning of Negative Resists via Maskless Aligner.