DWL 2000GS / DWL 4000GS

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工業レベルのグレースケール・リソグラフィ・ツール

  • Product Description

  • DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザーリソグラフィシステムは、高速でフレキシブルな高解像度パターンジェネレーターです。産業レベルのグレースケールリソグラフィー用に最適化されており、集積回路、MEMS、マイクロ光学、マイクロ流体デバイス、センサー、ホログラム、紙幣やIDカードのセキュリティ機能用のマスクやウェハーの高スループットパターニング用に設計されています。

    プロフェッショナルグレイスケールリソグラフィモードは、大面積の厚膜フォトレジストによる複雑な2.5次元構造のパターニングを可能にします。DWL 2000 GS / DWL 4000 GSシステムは、最小フィーチャーサイズ500 nm、最大400 x 400mm2の書き込み領域、およびオプションの自動ローディングシステムにより、通信、照明、産業用ディスプレイ製造、およびライフサイエンス分野のデバイス製造に使用されるウェーハレベルのマイクロオプティクスに特に適しています。

    DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザーリソグラフィシステムは、高速でフレキシブルな高解像度パターンジェネレーターです。産業レベルのグレースケールリソグラフィー用に最適化されており、集積回路、MEMS、マイクロ光学、マイクロ流体デバイス、センサー、ホログラム、紙幣やIDカードのセキュリティ機能用のマスクやウェハーの高スループットパターニング用に設計されています。

    プロフェッショナルグレイスケールリソグラフィモードは、大面積の厚膜フォトレジストによる複雑な2.5次元構造のパターニングを可能にします。DWL 2000 GS / DWL 4000 GSシステムは、最小フィーチャーサイズ500 nm、最大400 x 400mm2の書き込み領域、およびオプションの自動ローディングシステムにより、通信、照明、産業用ディスプレイ製造、およびライフサイエンス分野のデバイス製造に使用されるウェーハレベルのマイクロオプティクスに特に適しています。

  • Product Highlights

  • 露出の質

    CD均一性60nm、エッジラフネス40nm、アライメント精度60nm、第2層アライメント250nm、オートフォーカス補正80μm

    グレースケール・リソグラフィ

    1024グレーレベル、複雑な形状の露光を最適化する専用GenISys BEAMERソフトウェア

    温度制御フローボックス

    温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境

    露光速度

    グレースケール・モードで200 x 200mm2の面積を60分未満で測定可能

    大きな基板サイズ

    20 / 40 cmまで

  • Available Modules

  • 5つの書き込みモード

    最小フィーチャーサイズ500nm～2μm

    露光波長

    ダイオードレーザー 405 nm

    オートフォーカス

    エアゲージまたは光学式

    オートメーション

    ローディングユニット、追加基板キャリアステーション、プリアライナ、基板スキャナ

    GenISys BEAMER

    複雑な形状のグレースケール露光のための3D近接補正（3D-PEC）を備えた変換ソフトウェアパッケージ

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザーリソグラフィシステムは、高速でフレキシブルな高解像度パターンジェネレーターです。産業レベルのグレースケールリソグラフィー用に最適化されており、集積回路、MEMS、マイクロ光学、マイクロ流体デバイス、センサー、ホログラム、紙幣やIDカードのセキュリティ機能用のマスクやウェハーの高スループットパターニング用に設計されています。

プロフェッショナルグレイスケールリソグラフィモードは、大面積の厚膜フォトレジストによる複雑な2.5次元構造のパターニングを可能にします。DWL 2000 GS / DWL 4000 GSシステムは、最小フィーチャーサイズ500 nm、最大400 x 400mm2の書き込み領域、およびオプションの自動ローディングシステムにより、通信、照明、産業用ディスプレイ製造、およびライフサイエンス分野のデバイス製造に使用されるウェーハレベルのマイクロオプティクスに特に適しています。

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザーリソグラフィシステムは、高速でフレキシブルな高解像度パターンジェネレーターです。産業レベルのグレースケールリソグラフィー用に最適化されており、集積回路、MEMS、マイクロ光学、マイクロ流体デバイス、センサー、ホログラム、紙幣やIDカードのセキュリティ機能用のマスクやウェハーの高スループットパターニング用に設計されています。

プロフェッショナルグレイスケールリソグラフィモードは、大面積の厚膜フォトレジストによる複雑な2.5次元構造のパターニングを可能にします。DWL 2000 GS / DWL 4000 GSシステムは、最小フィーチャーサイズ500 nm、最大400 x 400mm2の書き込み領域、およびオプションの自動ローディングシステムにより、通信、照明、産業用ディスプレイ製造、およびライフサイエンス分野のデバイス製造に使用されるウェーハレベルのマイクロオプティクスに特に適しています。

露出の質

CD均一性60nm、エッジラフネス40nm、アライメント精度60nm、第2層アライメント250nm、オートフォーカス補正80μm

グレースケール・リソグラフィ

1024グレーレベル、複雑な形状の露光を最適化する専用GenISys BEAMERソフトウェア

温度制御フローボックス

温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境

露光速度

グレースケール・モードで200 x 200mm2の面積を60分未満で測定可能

大きな基板サイズ

20 / 40 cmまで

5つの書き込みモード

最小フィーチャーサイズ500nm～2μm

露光波長

ダイオードレーザー 405 nm

オートフォーカス

エアゲージまたは光学式

オートメーション

ローディングユニット、追加基板キャリアステーション、プリアライナ、基板スキャナ

GenISys BEAMER

複雑な形状のグレースケール露光のための3D近接補正（3D-PEC）を備えた変換ソフトウェアパッケージ

Customer applications

2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
2.5D features created by Grayscale Lithography are in many cases used for micro-optics. A surface may for example be structured in a targeted way to lead to controlled reflection or diffusion of light. The image shows such a type of periodic surface patterning featuring sharp peaks and tips. (Courtesy of IGI)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
MR-DWL is a special negative resist that enables high-aspect ratio structures with an aspect ratio of up to 1:40. This epoxy-based photoresist from micro resist technology GmbH is specifically optimized for direct-write lithography and DWL systems. It is sensitive above 400 nm and can be applied in a thickness up to several hundreds of microns. (Courtesy of V. Cadarso and J. Brugger, EPFL)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A diffuser comprising pyramids with 15 µm height and 20 µm base length in AZ4620 resist. Such structured surfaces created by Grayscale Lithography are key elements for micro-optics applications. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A 2.5D fan-shaped structure, created in AZ4620 with a minimum feature size of less than 5 μm. (Courtesy of Kuraray)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)
A test pattern exposed with a DWL 2000 shows accurate alignment of elements exposed in two subsequent layers (arrows, crosses, arrow tips). Alignment is a crucial parameter for multilayer lithography applications, such as sensors and semiconductor devices. (Courtesy of Heidelberg Instruments)

Why customers choose our systems

Technical Data

書き込みモードIIIIII 点滴V
書き込み性能 - グレースケール
オーバーレイ［3σ、nm］（8インチ×8インチ以上）300
ピクセル・グリッド グレースケール [nm］1002002505001000
書き込み速度 DWL 2000 GS [mm2/分］ 125075270870
書き込み速度 DWL 4000 GS [mm2/分］ 1250752701000
露光時間 DWL 2000 GS：200mm×200mmの場合［時間］5113.592.50.8
露光時間 DWL 4000 GS：400mm×400mmの場合［時間］2235436103
最大線量 [mJ/cm2 ]。5600140090022550
書き込みパフォーマンス - バイナリ
最小フィーチャーサイズ[µm］0.50.70.812
最小ラインとスペース [μm］0.70.911.53
アドレス・グリッド [nm］51012.52550
エッジラフネス［3σ、nm］40506080110
CD均一性［3σ、nm］607080130180
登録【3σ、nm200200200200200
書込み速度[mm²/分] DWL 2000 GS125075270870
書込み速度[mm²/分] DWL 4000 GS1250752701000
システムの特徴
光源405nmのダイオードレーザー
最大基板サイズDWL2000GS：9″×9″／DWL4000GS：17″×17
基板の厚さ0～12 mm
最大露出面積DWL 2000 GS：200 x 200 mm² / DWL 4000 GS：400 x 400 mm² （DWL 2000 GS：200 x 200 mm² / DWL 4000 GS：400 x 400 mm²)
温度制御フローボックス温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境
リアルタイムオートフォーカス光学式オートフォーカスまたはエアゲージオートフォーカス
オートフォーカス補正範囲80 μm
システム寸法
リソグラフィユニット （幅×奥行×高さ）、重量2350mm×1650mm×2100mm、3000kg
電子ラック （幅×奥行×高さ）、重量800mm×600mm×1800mm、180kg
設置条件
電気400 VAC ± 5 %、50/60 Hz、16 A
圧縮空気6～10バール
クリーンルームISO 6以上を推奨

仕様は個々のプロセス条件に依存し、装置構成によって異なる場合があります。書き込み速度は画素サイズと書き込みモードに依存します。設計および仕様は予告なく変更されることがあります。

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