DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザー描画装置

工業レベルのグレースケール・リソグラフィ・ツール

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS Laser Lithography システムは、高速かつ柔軟な高解像度パターンジェネレーターです。これらのシステムは産業レベルのグレースケールリソグラフィ向けに最適化されており、集積回路、MEMS、マイクロオプティクスおよびマイクロ流体デバイス、センサー、ホログラム、紙幣やIDカードのセキュリティ機能のためのマスクおよびウェハの高スループットパターニングに設計されています。

プロフェッショナルグレースケールリソグラフィモードでは、厚いフォトレジスト上の大面積にわたって複雑な2.5D構造のパターニングが可能です。最小特徴サイズ500 nm、最大露光面積400 × 400 mm²、およびオプションの自動搬送システムを備えたDWL 2000 GS / DWL 4000 GS システムは、特に通信、照明、産業用ディスプレイ製造向けのウェハレベルマイクロオプティクスや、ライフサイエンス分野のデバイス製造に適しています。

露出の質

CD均一性60nm、エッジラフネス40nm、アライメント精度60nm、第2層アライメント250nm、オートフォーカス補正80μm

グレースケール・リソグラフィ

1024グレーレベル、複雑な形状の露光を最適化する専用GenISys BEAMERソフトウェア

温度制御フローボックス

温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境

露光速度

200 × 200 mm² の面積をグレースケールモードで <60 分で

大きな基板サイズ

20 / 40 cmまで

5つの書き込みモード

最小フィーチャーサイズ500nm～2μm

露光波長

ダイオードレーザー 405 nm

オートフォーカス

エアゲージまたは光学式

オートメーション

ローディングユニット、追加基板キャリアステーション、プリアライナ、基板スキャナ

GenISys BEAMER

複雑な形状のグレースケール露光のための3D近接補正（3D-PEC）を備えた変換ソフトウェアパッケージ

お客様のアプリケーション

グレースケールリソグラフィによって作られた2.5D構造は、多くの場合マイクロオプティクスに使用されます。例えば、光の反射や拡散を制御するために、表面をターゲット化して構造化することが可能です。この画像は、鋭いピークと先端を持つ周期的な表面パターンを示しています。（提供：IGI）

MR-DWL は最大アスペクト比 1:40 の構造を実現する特別なネガ型レジストです。このエポキシ系フォトレジストは micro resist technology GmbH によって開発され、直書きリソグラフィおよび DWL システムに最適化されています。400 nm 以上の波長に感光し、数百マイクロメートルの厚みで塗布可能です。（提供：EPFL の V. Cadarso および J. Brugger）

DWL 2000 で露光されたテストパターンは、2つの連続した層における要素（矢印、十字、矢尻）の正確な位置合わせを示しています。アライメントは、センサーや半導体デバイスなどの多層リソグラフィー応用において重要なパラメータです。（提供：Heidelberg Instruments）

AZ4620レジストで作られた高さ15 µm、底辺20 µmのピラミッドから構成されるディフューザー。グレースケールリソグラフィーによって作成されたこのような構造化表面は、マイクロオプティクス用途における重要な要素です。（提供：Heidelberg Instruments）

AZ4620を用いて作製された2.5D扇形構造で、最小の特徴サイズは5 µm未満です。（提供：クラレ）

DWL 2000 で露光されたテストパターンは、2層の露光間での要素（矢印、十字、矢印の先端）の正確なアライメントを示しています。アライメントはセンサーや半導体デバイスなどの多層リソグラフィーで重要なパラメータです。（提供：Heidelberg Instruments）

当社のシステムが選ばれる理由

2011年に京都大学のオープンクリーンルーム施設**ナノテクノロジーハブ（Nano-hub）**が開設されて以来、DWL 2000 は学術界・産業界の両方のNano-hub利用者にとって最も人気のある装置の一つとなっています。毎年50名以上の利用者が、フォトマスク書き込みやウェハ直接書き込みにおいて、バイナリおよびグレースケールリソグラフィのためにDWLを使用しています。DWLの高性能により、利用者からのさまざまな要求に対応でき、半導体やMEMSからマイクロ流体デバイス、マイクロ生理システムまで、施設の能力を拡張できることに感謝しています。

土屋敏之教授、ナノテクノロジーハブ所長
京都大学
京都、日本

技術データ

書き込みモード	I	II	III	点滴	V
書き込み性能 – グレースケール
オーバーレイ［3σ、nm］（8インチ×8インチ以上）			300
ピクセル・グリッドグレースケール [nm］	100	200	250	500	1000
書き込み速度 DWL 2000 GS [mm²/分]	12	50	75	270	870
書き込み速度 DWL 4000 GS [mm²/分]	12	50	75	270	1000
露光時間DWL 2000 GS: 200mm×200mmの場合 [時間］	51	13.5	9	2.5	0.8
露光時間DWL 4000 GS: 400mm×400mmの場合 [時間］	223	54	36	10	3
最大線量 [mJ/cm2 ]。	5600	1400	900	225	50

書き込み性能 – バイナリ
最小フィーチャーサイズ[µm］	0.5	0.7	0.8	1	2
最小ラインとスペース [μm］	0.7	0.9	1	1.5	3
アドレス・グリッド [nm］	5	10	12.5	25	50
エッジラフネス［3σ、nm］	40	50	60	80	110
CD均一性［3σ、nm］	60	70	80	130	180
登録【3σ、nm	200	200	200	200	200
書き込み速度[mm²/分］DWL 2000 GS	12	50	75	270	870
書き込み速度[mm²/分］DWL 4000 GS	12	50	75	270	1000

システムの特徴
光源	405nmのダイオードレーザー
最大基板サイズ	DWL 2000 GS: 9″ x 9″ /DWL 4000 GS: 17″ x 17″
基板の厚さ	0～12 mm
最大露出面積	DWL 2000 GS: 200 x 200 mm² /DWL 4000 GS: 400 x 400 mm²
温度制御フローボックス	温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境
リアルタイムオートフォーカス	光学式オートフォーカスまたはエアゲージオートフォーカス
オートフォーカス補正範囲	80 μm

システム寸法
リソグラフィユニット（幅×奥行×高さ）、重量	2350mm×1650mm×2100mm、3000kg
電子ラック（幅×奥行×高さ）、重量	800mm×600mm×1800mm、180kg

設置条件
電気	400 VAC ± 5 %、50/60 Hz、16 A
圧縮空気	6～10バール
クリーンルーム	ISO 6以上を推奨

仕様は個々のプロセス条件に依存し、装置構成によって異なる場合があります。書き込み速度は画素サイズと書き込みモードに依存します。設計および仕様は予告なく変更されることがあります。

カタログダウンロード

DWL 2000 GS / DWL 4000 GS レーザー描画装置

工業レベルのグレースケール・リソグラフィ・ツール

露出の質

グレースケール・リソグラフィ

温度制御フローボックス

露光速度

大きな基板サイズ

5つの書き込みモード

露光波長

オートフォーカス

オートメーション

GenISys BEAMER

露出の質

グレースケール・リソグラフィ

温度制御フローボックス

露光速度

大きな基板サイズ

5つの書き込みモード

露光波長

オートフォーカス

オートメーション