工業レベルのグレースケール・リソグラフィ・ツール
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2011年に京都大学のオープンクリーンルーム施設**ナノテクノロジーハブ（Nano-hub）**が開設されて以来、DWL 2000 は学術界・産業界の両方のNano-hub利用者にとって最も人気のある装置の一つとなっています。毎年50名以上の利用者が、フォトマスク書き込みやウェハ直接書き込みにおいて、バイナリおよびグレースケールリソグラフィのためにDWLを使用しています。DWLの高性能により、利用者からのさまざまな要求に対応でき、半導体やMEMSからマイクロ流体デバイス、マイクロ生理システムまで、施設の能力を拡張できることに感謝しています。
技術データ
| 描画モード | I | II | III | IV | V |
|---|---|---|---|---|---|
| 描画性能 – グレースケール | |||||
| ピクセル・グリッド グレースケール [nm］ | 100 | 200 | 250 | 500 | 1000 |
| ダイオードレーザーでの描画速度 [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| 高出力レーザーでの描画速度 [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| 最大ドーズ量 [mJ/cm²] | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| オーバーレイ［3σ、nm］（8インチ×8インチ以上） | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 |
| 露光時間DWL 4000 GS: 400mm×400mmの場合 [時間］ | 223 | 54 | 36 | 10 | 3 |
| 描画性能 – バイナリ | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| 最小フィーチャーサイズ[µm］ | 0.5 | 0.7 | 0.8 | 1 | 2 |
| 最小ラインとスペース [μm］ | 0.7 | 0.9 | 1 | 1.5 | 3 |
| アドレス・グリッド [nm］ | 5 | 10 | 12.5 | 25 | 50 |
| エッジラフネス［3σ、nm］ | 40 | 50 | 60 | 80 | 110 |
| CD均一性［3σ、nm］ | 60 | 70 | 80 | 130 | 180 |
| 登録【3σ、nm | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| ダイオードレーザーでの描画速度 [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| 高出力レーザーでの描画速度 [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| システムの特徴 | |
|---|---|
| 光源 | 405 nmのダイオードレーザーまたは高出力半導体レーザー |
| 最大基板サイズ | DWL 2000 GS: 9″ x 9″ /DWL 4000 GS: 17″ x 17″ |
| 基板の厚さ | 0～12 mm |
| 最大露出面積 | DWL 2000 GS: 200 x 200 mm² /DWL 4000 GS: 400 x 400 mm² |
| 温度制御フローボックス | 温度安定性 ± 0.1°、ISO 4環境 |
| リアルタイムオートフォーカス | 光学式オートフォーカスまたはエアゲージオートフォーカス |
| オートフォーカス補正範囲 | 80 μm |
| システム寸法 | |
| リソグラフィユニット （幅×奥行×高さ）、重量 | 2605 mm × 1652 mm × 2102 mm; 3000 kg |
| 電子ラック （幅×奥行×高さ）、重量 | 800 mm × 650 mm × 1800 mm; 180 kg |
| 設置条件 | |
| 電気 | 400 VAC ± 5 %、50/60 Hz、16 A |
| 圧縮空気 | 6～10バール |
| クリーンルーム | ISO 6以上を推奨 |
