高アスペクト比

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SU-8で最大40:1のアスペクト比

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  • MEMSや マイクロ流体などの応用分野では、しばしば高アスペクト比の微細構造が必要とされます。当社の直描リソグラフィシステムは、SU-8のような厚いレジスト層を、垂直な側壁を維持したまま直接露光することができます。これは、レンズの入射瞳を調整してDoFを大きくし、開口数を小さくすることで可能となり、最大40:1のアスペクト比を達成することができます。超高横分解能とアスペクト比のフィーチャーは、RIEを使用したエッチング増幅によって製造することができる。

MEMSや マイクロ流体などの応用分野では、しばしば高アスペクト比の微細構造が必要とされます。当社の直描リソグラフィシステムは、SU-8のような厚いレジスト層を、垂直な側壁を維持したまま直接露光することができます。これは、レンズの入射瞳を調整してDoFを大きくし、開口数を小さくすることで可能となり、最大40:1のアスペクト比を達成することができます。超高横分解能とアスペクト比のフィーチャーは、RIEを使用したエッチング増幅によって製造することができる。

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These high aspect ratio pillars with a diameter of 10 µm were patterned on the MLA 150.
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Example structure of rectangular pillars patterned in 25 µm of SU-8.
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High-resolution features written 35nm deep into PPA using the NanoFrazor Explore and amplified to 4 µm depth in Si using two reactive ion etching steps. (Courtesy LMIS1 at EPFL, publication Lisunova MEE 2017)
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Grid test pattern structured in 25 μm thick SU-8.
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800 µm thick SU-8 resist was exposed in one step using the MLA 150. The depth of field was optimized to achieve straight vertical walls over the full film thickness.
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Fabricated high-aspect-ratio test microstructures in 110 μm thick AZ 125nXT.
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Exposure of 10 µm thick resist (AZ 9260) with 2 µm and 4 µm lines and spaces. (Courtesy of CMi EPFL)
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Ultra-high resolution features with high aspect ratio in Si. The structures were written only a few nanometer deep into PPA with a NanoFrazor Explore. Using sequential infiltration synthesis processes and hard masks, the structures could be etched deep into Si while maintaining smooth walls. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)
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