半導体のリソグラフィーとデバイス製造

半導体イノベーションを推進:ハイデルベルク・インスツルメンツの精密リソグラフィ装置

  • 説明

  • 半導体は、電圧、熱、光などの外部要因にさらされると電気伝導度を変化させるという特性を持っています。これらは、現代技術における電子機器の基盤となっています。半導体デバイスは、さまざまな材料で構成されたウェハー上に作製されます。 ウェハーの中には、シリコンのように単一の元素からなるものもあれば、化合物半導体に見られるように、複数の元素を混合して独自の電子的特性を持つ複雑な結晶構造を形成しているものもあります。

    フォトリソグラフィは、マスクやダイレクトライティング技術を用いて、ウェハー上に精密なパターンを転写する、半導体製造における極めて重要なプロセスである。 これは、集積回路やその他の半導体デバイスの基盤となる複雑な構造を形成する上で、極めて重要な役割を果たしています。

    ハイデルベルク・インスツルメンツは、高精度・高均一性が求められるレチクルから、適応型パターニングを用いた高スループットのマスクレス露光に至るまで、半導体デバイスの製造工程における重要なプロセスに適した装置を提供しています。これらのレーザーリソグラフィ装置は、フォトレジストが塗布された表面への直接書き込みを可能にすることで汎用性を発揮し、迅速な試作やカスタマイズを容易にします。また、その高い位置合わせ精度により、多層デバイスの製造をサポートし、個々のダイの位置ずれや変形を補正することが可能です。 このため、半導体パッケージングにも適しています。

  • 必要条件

  • 高品質レジスト

    高い均一性と一貫性

    高いスループット

    既存プロセスとの互換性

    アライメントとオーバーレイの精度

  • ソリューション

  • TEM00認定を取得した高性能レーザー

    一般的な半導体用レジスト(ULTRA および VPG+

    環境制御:

    自己校正機能付き計測システム

    干渉計による位置測定:

    リアルタイム・ステージマップ補正

    第2層の位置合わせ精度:100 nm未満

    (ULTRA)

    反り生じた基板の取り扱い

    (MLA 300)

半導体は、電圧、熱、光などの外部要因にさらされると電気伝導度を変化させるという特性を持っています。これらは、現代技術における電子機器の基盤となっています。半導体デバイスは、さまざまな材料で構成されたウェハー上に作製されます。 ウェハーの中には、シリコンのように単一の元素からなるものもあれば、化合物半導体に見られるように、複数の元素を混合して独自の電子的特性を持つ複雑な結晶構造を形成しているものもあります。

フォトリソグラフィは、マスクやダイレクトライティング技術を用いて、ウェハー上に精密なパターンを転写する、半導体製造における極めて重要なプロセスである。 これは、集積回路やその他の半導体デバイスの基盤となる複雑な構造を形成する上で、極めて重要な役割を果たしています。

ハイデルベルク・インスツルメンツは、高精度・高均一性が求められるレチクルから、適応型パターニングを用いた高スループットのマスクレス露光に至るまで、半導体デバイスの製造工程における重要なプロセスに適した装置を提供しています。これらのレーザーリソグラフィ装置は、フォトレジストが塗布された表面への直接書き込みを可能にすることで汎用性を発揮し、迅速な試作やカスタマイズを容易にします。また、その高い位置合わせ精度により、多層デバイスの製造をサポートし、個々のダイの位置ずれや変形を補正することが可能です。 このため、半導体パッケージングにも適しています。

高品質レジスト

高い均一性と一貫性

高いスループット

既存プロセスとの互換性

アライメントとオーバーレイの精度

TEM00認定を取得した高性能レーザー

一般的な半導体用レジスト(ULTRA および VPG+

環境制御:

自己校正機能付き計測システム

干渉計による位置測定:

リアルタイム・ステージマップ補正

第2層の位置合わせ精度:100 nm未満

(ULTRA)

反り生じた基板の取り扱い

(MLA 300)

アプリケーションイメージ

適切なシステム

上部へスクロール