マイクロエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスの製造

マイクロエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスデバイスのラピッドプロトタイピング

  • 説明

  • 微細電子工学の進歩は、電子デバイスの小型化とアクティブ領域への新材料の導入に依存しており、より高い速度と新たな機能性をデバイス構造に実現しています。これらのデバイスアーキテクチャの探求と新材料の活用には、設計変更の効率的なテストと実装を可能にする迅速なプロトタイピング手法が必要です。

    ハイデルベルク・インスツルメンツ社のMLA、DWL、VPG+シリーズなどのマスクレス露光装置は、マイクロエレクトロニクス露光分野において革新的な技術として台頭しており、従来のフォトリソグラフィーと比較して数多くの利点をもたらしています。その高解像度とマスクレス動作により、複雑なマイクロスケールの微細構造を精密に形成することが可能となり、微細化の限界を押し広げています。物理的なマスクを排除することで製造コストが削減され、迅速な試作が可能になるため、開発サイクルが加速されます。この技術の柔軟性により、オンザフライでのカスタマイズが可能となり、ウェハー上の各デバイスを特定の要件に合わせて最適化することができます。

    NanoFrazor は、熱走査プローブリソグラフィー(t-SPL)とレーザー直接昇華を組み合わせることで、ナノエレクトロニクスを可能にします。 この熱ナノリソグラフィー技術は、デバイスの最も重要な領域において、最高解像度でナノ構造を作製することを可能にします。 同じ熱レジストのレーザー直接昇華を取り入れることで、電気配線およびコンタクトの効率的な作製が可能になります。 その結果、NanoFrazorは、特に量子エレクトロニクスや分子センシングなどの分野において、ナノエレクトロニクスデバイスの製造に最適な選択肢となっています。

  • 必要条件

  • 高解像度のフィーチャーと低いラインエッジラフネスを持つ高密度パターン

    複数のレイヤーを正確に重ね合わせる

    既存のパターン転写プロセスとの互換性

    高い柔軟性と迅速な納期

  • ソリューション

  • 迅速なプロトタイピング

    マスク不要

    チャージ蓄積なし

    荷電粒子による影響を受けない重要な絶縁層

    正確なオーバーレイ

    アライメントマークを使用することも、使用しないこともできます。機能構造層はリファレンスとして使用できます。

    超高解像度(15 nm)

    近接効果補正の必要なし(NanoFrazor)

    高解像度

    最小微細構造サイズ 200 nm (DWL 66+)

微細電子工学の進歩は、電子デバイスの小型化とアクティブ領域への新材料の導入に依存しており、より高い速度と新たな機能性をデバイス構造に実現しています。これらのデバイスアーキテクチャの探求と新材料の活用には、設計変更の効率的なテストと実装を可能にする迅速なプロトタイピング手法が必要です。

ハイデルベルク・インスツルメンツ社のMLA、DWL、VPG+シリーズなどのマスクレス露光装置は、マイクロエレクトロニクス露光分野において革新的な技術として台頭しており、従来のフォトリソグラフィーと比較して数多くの利点をもたらしています。その高解像度とマスクレス動作により、複雑なマイクロスケールの微細構造を精密に形成することが可能となり、微細化の限界を押し広げています。物理的なマスクを排除することで製造コストが削減され、迅速な試作が可能になるため、開発サイクルが加速されます。この技術の柔軟性により、オンザフライでのカスタマイズが可能となり、ウェハー上の各デバイスを特定の要件に合わせて最適化することができます。

NanoFrazor は、熱走査プローブリソグラフィー(t-SPL)とレーザー直接昇華を組み合わせることで、ナノエレクトロニクスを可能にします。 この熱ナノリソグラフィー技術は、デバイスの最も重要な領域において、最高解像度でナノ構造を作製することを可能にします。 同じ熱レジストのレーザー直接昇華を取り入れることで、電気配線およびコンタクトの効率的な作製が可能になります。 その結果、NanoFrazorは、特に量子エレクトロニクスや分子センシングなどの分野において、ナノエレクトロニクスデバイスの製造に最適な選択肢となっています。

高解像度のフィーチャーと低いラインエッジラフネスを持つ高密度パターン

複数のレイヤーを正確に重ね合わせる

既存のパターン転写プロセスとの互換性

高い柔軟性と迅速な納期

迅速なプロトタイピング

マスク不要

チャージ蓄積なし

荷電粒子による影響を受けない重要な絶縁層

正確なオーバーレイ

アライメントマークを使用することも、使用しないこともできます。機能構造層はリファレンスとして使用できます。

超高解像度(15 nm)

近接効果補正の必要なし(NanoFrazor)

高解像度

最小微細構造サイズ 200 nm (DWL 66+)

アプリケーションイメージ

適切なシステム

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