マイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクス

マイクロエレクトロニクスおよびナノエレクトロニクスデバイスのラピッドプロトタイピング

  • 説明

  • 微細電子工学の進歩は、電子デバイスの小型化とアクティブ領域への新材料の導入に依存しており、より高い速度と新たな機能性をデバイス構造に実現しています。これらのデバイスアーキテクチャの探求と新材料の活用には、設計変更の効率的なテストと実装を可能にする迅速なプロトタイピング手法が必要です。

    ハイデルベルク・インスツルメンツのMLA、DWL、VPG+シリーズのマスクレスリソグラフィーツールは、微細電子リソグラフィーにおける画期的な技術として登場し、従来のフォトリソグラフィーに比べて多くの利点を提供しています。高解像度かつマスクレスの動作により、複雑なマイクロスケールの微細構造を精密にパターニングでき、微細化の限界を押し広げます。物理的なマスクを排除することで、製造コストを削減し、迅速なプロトタイピングが可能となり、開発サイクルの短縮を促進します。この技術の柔軟性により、ウェーハ上の各デバイスを特定の要件に応じてその場でカスタマイズすることができます。

    NanoFrazorは、熱走査プローブリソグラフィー(t-SPL)と直接レーザー昇華を組み合わせることで、ナノエレクトロニクスを促進します。この熱ナノリソグラフィ技術により、デバイスの最も重要な領域において最高の解像度でナノ構造を作成することが可能です。同じ熱感応性レジストに対するレーザー直接昇華の組み込みにより、電気的配線や接点の効率的な描画が実現します。その結果、NanoFrazorは特に量子エレクトロニクスや分子センサーなどの応用において、ナノエレクトロニクスデバイスの製造に理想的な選択肢となっています。

  • 必要条件

  • 高解像度のフィーチャーと低いラインエッジラフネスを持つ高密度パターン

    複数のレイヤーを正確に重ね合わせる

    既存のパターン転写プロセスとの互換性

    高い柔軟性と迅速な納期

  • ソリューション

  • 迅速なプロトタイピング

    マスク不要

    チャージ蓄積なし

    荷電粒子による影響を受けない重要な絶縁層

    正確なオーバーレイ

    アライメントマークを使用することも、使用しないこともできます。機能構造層はリファレンスとして使用できます。

    超高分解能(15nm)

    近接効果補正の必要なし(NanoFrazor)

    高解像度

    最小特徴寸法 200 nm(DWL 66+

微細電子工学の進歩は、電子デバイスの小型化とアクティブ領域への新材料の導入に依存しており、より高い速度と新たな機能性をデバイス構造に実現しています。これらのデバイスアーキテクチャの探求と新材料の活用には、設計変更の効率的なテストと実装を可能にする迅速なプロトタイピング手法が必要です。

ハイデルベルク・インスツルメンツのMLA、DWL、VPG+シリーズのマスクレスリソグラフィーツールは、微細電子リソグラフィーにおける画期的な技術として登場し、従来のフォトリソグラフィーに比べて多くの利点を提供しています。高解像度かつマスクレスの動作により、複雑なマイクロスケールの微細構造を精密にパターニングでき、微細化の限界を押し広げます。物理的なマスクを排除することで、製造コストを削減し、迅速なプロトタイピングが可能となり、開発サイクルの短縮を促進します。この技術の柔軟性により、ウェーハ上の各デバイスを特定の要件に応じてその場でカスタマイズすることができます。

NanoFrazorは、熱走査プローブリソグラフィー(t-SPL)と直接レーザー昇華を組み合わせることで、ナノエレクトロニクスを促進します。この熱ナノリソグラフィ技術により、デバイスの最も重要な領域において最高の解像度でナノ構造を作成することが可能です。同じ熱感応性レジストに対するレーザー直接昇華の組み込みにより、電気的配線や接点の効率的な描画が実現します。その結果、NanoFrazorは特に量子エレクトロニクスや分子センサーなどの応用において、ナノエレクトロニクスデバイスの製造に理想的な選択肢となっています。

高解像度のフィーチャーと低いラインエッジラフネスを持つ高密度パターン

複数のレイヤーを正確に重ね合わせる

既存のパターン転写プロセスとの互換性

高い柔軟性と迅速な納期

迅速なプロトタイピング

マスク不要

チャージ蓄積なし

荷電粒子による影響を受けない重要な絶縁層

正確なオーバーレイ

アライメントマークを使用することも、使用しないこともできます。機能構造層はリファレンスとして使用できます。

超高分解能(15nm)

近接効果補正の必要なし(NanoFrazor)

高解像度

最小特徴寸法 200 nm(DWL 66+

アプリケーションイメージ

適切なシステム

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