Rapport d’aspect élevé

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Rapports d'aspect jusqu'à 40:1 en SU-8

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  • Les domaines d’application tels que les MEMS et la microfluidique nécessitent souvent des microstructures présentant un rapport d’aspect élevé. Nos systèmes de lithographie par écriture directe peuvent exposer directement des couches épaisses de résine, comme le SU-8, tout en conservant une paroi latérale verticale. Cela est possible en ajustant la pupille d’entrée de la lentille, ce qui augmente la profondeur de champ, réduisant ainsi l’ouverture numérique qui permet d’obtenir des rapports d’aspect allant jusqu’à 40:1. Des caractéristiques présentant une résolution latérale et un rapport d’aspect élevés peuvent ensuite être produites par amplification de la gravure à l’aide de la RIE.

Les domaines d’application tels que les MEMS et la microfluidique nécessitent souvent des microstructures présentant un rapport d’aspect élevé. Nos systèmes de lithographie par écriture directe peuvent exposer directement des couches épaisses de résine, comme le SU-8, tout en conservant une paroi latérale verticale. Cela est possible en ajustant la pupille d’entrée de la lentille, ce qui augmente la profondeur de champ, réduisant ainsi l’ouverture numérique qui permet d’obtenir des rapports d’aspect allant jusqu’à 40:1. Des caractéristiques présentant une résolution latérale et un rapport d’aspect élevés peuvent ensuite être produites par amplification de la gravure à l’aide de la RIE.

Images liées

Ces piliers à rapport hauteur-largeur élevé (diamètre 10 µm) ont été structurés sur le MLA 150
Ces piliers à rapport hauteur-largeur élevé (diamètre 10 µm) ont été structurés sur le MLA 150
Des structures haute résolution ont été gravées à 35 nm de profondeur dans le PPA avec le NanoFrazor Explore, puis amplifiées jusqu’à 4 µm dans le silicium par deux étapes de gravure ionique réactive. (Crédit : LMIS1 à l’EPFL, publication Lisunova MEE 2017)
Des structures haute résolution ont été gravées à 35 nm de profondeur dans le PPA avec le NanoFrazor Explore, puis amplifiées jusqu’à 4 µm dans le silicium par deux étapes de gravure ionique réactive. (Crédit : LMIS1 à l’EPFL, publication Lisunova MEE 2017)
Une résine SU-8 de 800 µm d'épaisseur a été exposée en une seule étape à l’aide du MLA 150. La profondeur de champ a été optimisée pour obtenir des parois verticales droites sur toute l’épaisseur du film.
Une résine SU-8 de 800 µm d'épaisseur a été exposée en une seule étape à l’aide du MLA 150. La profondeur de champ a été optimisée pour obtenir des parois verticales droites sur toute l’épaisseur du film.
Exposition d’une résine de 10 µm d'épaisseur (AZ 9260) avec des motifs de lignes et d'espacements de 2 µm et 4 µm. (Crédit : CMi EPFL)
Exposition d’une résine de 10 µm d'épaisseur (AZ 9260) avec des motifs de lignes et d'espacements de 2 µm et 4 µm. (Crédit : CMi EPFL)
Structures à ultra-haute résolution avec un rapport d’aspect élevé dans le silicium. Ces structures ont été écrites quelques nanomètres en profondeur dans le PPA à l’aide du NanoFrazor Explore. Grâce à la synthèse par infiltration séquentielle et aux masques durs, elles ont pu être gravées profondément dans le silicium tout en conservant des parois lisses.
Structures à ultra-haute résolution avec un rapport d’aspect élevé dans le silicium. Ces structures ont été écrites quelques nanomètres en profondeur dans le PPA à l’aide du NanoFrazor Explore. Grâce à la synthèse par infiltration séquentielle et aux masques durs, elles ont pu être gravées profondément dans le silicium tout en conservant des parois lisses. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)

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