Rapport d’aspect élevé

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Rapports d'aspect jusqu'à 40:1 en SU-8

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  • Les domaines d’application tels que les MEMS et la microfluidique nécessitent souvent des microstructures présentant un rapport d’aspect élevé. Nos systèmes de lithographie à écriture directe peuvent exposer directement des couches épaisses de résine, comme le SU-8, tout en conservant une paroi latérale verticale. Cela est possible en ajustant la pupille d’entrée de la lentille, ce qui augmente la profondeur de champ, réduisant ainsi l’ouverture numérique qui permet d’obtenir des rapports d’aspect allant jusqu’à 40:1. Des caractéristiques avec une résolution latérale et un rapport d’aspect très élevés peuvent alors être produites par amplification de la gravure à l’aide de la RIE.

Les domaines d’application tels que les MEMS et la microfluidique nécessitent souvent des microstructures présentant un rapport d’aspect élevé. Nos systèmes de lithographie à écriture directe peuvent exposer directement des couches épaisses de résine, comme le SU-8, tout en conservant une paroi latérale verticale. Cela est possible en ajustant la pupille d’entrée de la lentille, ce qui augmente la profondeur de champ, réduisant ainsi l’ouverture numérique qui permet d’obtenir des rapports d’aspect allant jusqu’à 40:1. Des caractéristiques avec une résolution latérale et un rapport d’aspect très élevés peuvent alors être produites par amplification de la gravure à l’aide de la RIE.

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800 µm thick SU-8 resist was exposed in one step using the MLA 150. The depth of field was optimized to achieve straight vertical walls over the full film thickness.
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Ultra-high resolution features with high aspect ratio in Si. The structures were written only a few nanometer deep into PPA with a NanoFrazor Explore. Using sequential infiltration synthesis processes and hard masks, the structures could be etched deep into Si while maintaining smooth walls. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)
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