DWL 66+ Système de lithographie laser
L'outil ultime de recherche en lithographie
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Description
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La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, tout en intégrant les technologies de base de nos systèmes de production industriels afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, tout en intégrant les technologies de base de nos systèmes de production industriels afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
> 400 systèmes installés
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Points forts
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Résolution la plus élevée du marché
Permet d’obtenir une taille minimale des motifs de 200 nm.Capacité avancée de niveaux de gris
Offre jusqu’à 65 536 niveaux de gris, avec l’aide d’un puissant logiciel de conception.Haut débit
Expose une gaufre de 6 pouces en seulement 10 minutes.Une technologie éprouvée
400 systèmes installés dans le monde. -
Modules disponibles
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6 Modes d'écriture
Des tailles minimales des motifs de 200 nm à 4 µm vous permettent d’optimiser les performances de votre application.3 Niveaux de gris
Jusqu’à 65 536 niveaux de gris, logiciel de conception puissant et interface logicielle GenISys BEAMER.Longueur d'onde d'exposition
Laser à diode à 375 nm ou 405 nm.Double système autofocus
Comprend à la fois un autofocus optique et un système pneumatique exclusif, garantissant une mise au point parfaite sur n’importe quel substrat, y compris les matériaux transparents ou à faible réflectivité.Manipulation de substrats souples
S’adapte à des tailles de substrat allant de pièces de 3 mm à des plaquettes de 230 mm.Option d'alignement de haute précision
Améliore la stabilité thermique et le positionnement pour les applications les plus exigeantes, en atteignant une précision d’alignement de la seconde couche de 350 nm.Module d'exposition aux formes libres
Permet des expositions sur des substrats non plans (par exemple, des lentilles convexes/concaves) avec des tailles des motifs allant jusqu’à 3 µm.Mode d'exposition vectorielle
Idéal pour modeler des structures et des formes qui nécessitent des courbes et des contours lisses et continus.Chargeur entièrement automatique
Manipulation automatisée de cassette à cassette pour les masques jusqu « à 7 pouces et les plaquettes jusqu » à 8 pouces. Une deuxième station de cassette, un pré-aligneur et un scanner de gaufrettes sont également disponibles en option.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, tout en intégrant les technologies de base de nos systèmes de production industriels afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, tout en intégrant les technologies de base de nos systèmes de production industriels afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
> 400 systèmes installés
Résolution la plus élevée du marché
Capacité avancée de niveaux de gris
Haut débit
Une technologie éprouvée
6 Modes d'écriture
3 Niveaux de gris
Longueur d'onde d'exposition
Double système autofocus
Manipulation de substrats souples
Option d'alignement de haute précision
Module d'exposition aux formes libres
Mode d'exposition vectorielle
Chargeur entièrement automatique
Applications clients














Pourquoi les clients choisissent nos systèmes
Commander une machine DWL 66+ pendant la pandémie de Covid-19 a été un grand défi. Cela s’est transformé en avantage. L’installation a été réalisée dans les délais. Grâce à une formation à distance, nous avons rapidement appris la lithographie en niveaux de gris, développé les connaissances de base sur les procédés avec l’aide de trois étudiants de licence, et nous nous sommes lancés dans nos premiers projets industriels, ce qui nous a apporté une expérience concrète et une meilleure compréhension des capacités de notre nouvel outil. Pendant cette période, nous avons eu des échanges intensifs avec Heidelberg Instruments, qui ont été essentiels pour aller au-delà des bases de la lithographie 3D. Il est donc facile de dire que le choix du DWL 66+ était le bon, et qu’il complète parfaitement les autres techniques de lithographie que nous utilisons à l’Institut Paul Scherrer.
Dr. Helmut Schift, chef du groupe « Advanced Nano Fabrication »
Institut Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suisse
Ayant obtenu de bons résultats avec le µPG 101 (ancêtre du µMLA) pour réaliser des éléments optiques diffractifs complexes, nous avons équipé notre laboratoire d’un DWL 66+ en 2021. Cet outil est plus rapide, dispose d’une plus grande surface d’écriture et offre une bonne stabilité pour le motifage en niveaux de gris à haute résolution. Il nous a permis de fabriquer la plus grande lentille plate réalisée à ce jour. Le soutien et la collaboration de Heidelberg Instruments sont grandement appréciés, en particulier pour l’amélioration continue des procédés de lithographie.
Dr. Rajesh Menon, Professeur
Université de l'Utah
Salt Lake City, USA
Dans notre institut, DWL 66+ représente une technologie de transition entre la photolithographie classique avec masque, qui peut permettre un débit élevé, et la lithographie par faisceau d'électrons, qui garantit une très haute résolution mais est un processus de structuration lent. C'est précisément dans ce domaine que le DWL 66+ représente un complément aux processus de structuration existants. DWL 66+ nous permet de produire en interne notre propre masque de verre pour la photolithographie conventionnelle, de réaliser des prototypages et de traiter des structures de l'ordre du sub-µm avec une grande surface totale dans un temps acceptable.
Sascha de Wall, chercheur associé et chef de groupe
Institute of Micro Production Technology
Leibniz University Hanover
Hanovre, Allemagne
Le DWL 66+ est un outil très flexible et polyvalent qui permet d’utiliser des substrats de n’importe quelle taille et forme, ainsi qu’un libre choix de matériaux. Pour une entreprise comme XRnanotech, qui propose des solutions sur mesure s’écartant souvent des demandes « classiques », c’est un avantage considérable. L’outil est essentiel pour de nombreux produits existants, tels que les Central Beam Stops et les membranes en nitrure de silicium, mais il offre également de nombreuses nouvelles possibilités dans le domaine de la micro-optique.
Florian Döring, PDG et fondateur
XRnanotech
Villigen, Suisse
Données techniques
| Mode écriture | XR | I | II | III | IV | V |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Taille minimale de l'objet [μm] | 0.2 | 0.6 | 0.8 | 1 | 2 | 4 |
| Lignes et espaces minimaux [μm] | 0.3 | 0.8 | 1 | 1.5 | 3 | 5 |
| Grille d'adresse [nm] | 5 | 10 | 25 | 50 | 100 | 200 |
| Rugosité des bords [nm] | 50 | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 |
| CD Uniformité du (dimension critique) [nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 250 | 400 |
| Alignement de la 2ème couche sur 5 x 5 mm² [nm] | 250 | 250 | 250 | 250 | 350 | 500 |
| Alignement de la 2ème couche sur 100 x 100 mm² [nm] | 500 | 500 | 500 | 500 | 800 | 1000 |
| Alignement arrière [nm] | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode (405 nm) | 3 | 13 | 40 | 150 | 600 | 2000 |
| Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode UV (375 nm) | 2 | 10 | 30 | 110 | ||
| Grille de pixels en x et y [nm] | 50 | 100 | 250 | 500 | 1000 | 2000 |
| Vitesse de numérisation [mm/s] | 1800 | 3600 | 4500 | 9000 | 18000 | 36000 |
| Caractéristiques du système | |
|---|---|
| Source lumineuse | Laser à diode de 405 nm ou 375 nm |
| Dimensions du substrat | Variable : 5 x 5 mm² à 9″ x 9″ | Personnalisable sur demande |
| Épaisseur du substrat | 0 à 12 mm |
| Zone d'exposition maximale | 200 x 200 mm² |
| Chambre environnementale | Stabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4 |
| Autofocus en temps réel | Autofocus optique ou autofocus à jauge d'air |
| Plage de compensation de l'autofocus | 80 μm |
| Mode standard ou avancé Niveaux de gris | 128 ou 32 768 niveaux de gris respectivement |
| Mode vectoriel | Permet d'écrire des lignes sans raccordement |
| Vue d'ensemble de l'appareil photo | Le champ de vision de 13 x 10 mm² facilite l'alignement sur les marques et la navigation sur le substrat |
| Alignement arrière (optionnel) | Permet d'aligner les expositions sur les structures au dos du substrat |
| Options avancées - Amélioration des performances | |
| Système de coordonnées de haute précision | Comprend l'étalonnage de la plaque d'or et la surveillance du climat : Alignement du second niveau sur 100 x 100 mm² amélioré à 350 nm |
| Mode professionnel Niveaux de gris | 65 536 niveaux de gris, logiciel de conversion de données professionnel |
| Système de chargement automatique | Manipulation de masques jusqu'à 7" et de plaquettes jusqu'à 8" avec deux stations de transport, un pré-aligneur et un scanner de plaquettes. |
| Dimensions du système de la version standard | |
| Largeur × profondeur × hauteur | 1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (unité de lithographie uniquement) |
| Poids | 1000 kg (unité de lithographie uniquement) |
| Exigences en matière d'installation | |
| Électricité | 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A |
| Air comprimé | 6 - 10 bars |
Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions de processus individuelles et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications sont susceptibles d’être modifiées sans préavis.
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| Color astrophotography with a 100 mm-diameter f/2 polymer flat lens | March 21, 2025 | Applied Physics Letters | A 100 mm achromatic diffractive lens for 400-800 nm, created with the DWL 66+, achieves high-resolution full-color imaging and reduced telescope weight. | |
| Fabrication of refractive micro-lenses for orbital angular momentum generation by direct laser writing and nanoimprint lithography | October 9, 2024 | GermanLitho, Heidelberg Instruments | This application note describes the fabrication of refractive micro-lenses using Direct Laser Writing and Nanoimprint Lithography for generating orbital angular momentum in light waves. | |
| Vertical micropillars arrays with high aspect ratio submicron gap by metal assisted chemical etching as active components in new sensor devices | July 15, 2024 | ETH Zürich, Heidelberg Instruments, Paul Scherrer Institute | MacEtch, a plasma-free anisotropic etching method, produces sharp vertical silicon structures without ion damage, beneficial for sensors, X-ray optics, photovoltaics, vias, and bio-interfaces. | |
| Fabrication of a Silicon Electron Multiplier sensor using metal assisted chemical etching and its characterisation | March 1, 2024 | ScienceDirect | SiEM sensor utilizing metal-assisted chemical etching to create high aspect ratio silicon pillars with charge multiplication capabilities. Electrical tests confirm compatibility with p–n junctions. | |
| Large Scale Fresnel Zone Plates On SiN-Membranes | September 27, 2023 | Heidelberg Instruments, XRnanotech | This application note describes the fabrication process of Fresnel Zone Plates on a thin silicon nitride membrane substrate for X-ray optics using a DWL 66+. | |
| Phase Nanoengineering via Thermal Scanning Probe Lithography and Direct Laser Writing | August 1, 2023 | Advanced Materials Technologies | Nanomaterials derive unique properties from their nanostructure. A perspective explores advanced nanofabrication techniques to modify properties in condensed matter systems, discussing applications and future prospects. | |
| Vertical sidewalls in thick epoxy resist – a challenge for laser-based direct write lithography | June 11, 2023 | Micro and Nano Engineering (ScienceDirect) | Achieve straight, vertical sidewalls in thick negative-tone resist using focused laser beam-based direct write lithography, overcoming non-homogeneous illumination and non-sharp edges. (Possible application: MEMS) | |
| Narrowband Thermal Terahertz Emission from Homoepitaxial GaAs Structures Coupled with Ti/Au Metasurface | May 9, 2023 | MDPI Sensors | GaAs metasurfaces enabled narrowband thermal terahertz emission via magnetic polaritons, achieving tunable 0.7–1.3 THz resonances with high-quality factors compatible with integrated GaAs optoelectronic devices. | |
| Multilevel diffractive lens in the MWIR with extended depth-of-focus and wide field-of-view | May 1, 2023 | Optics Express | Compare inverse-designed and conventional lenses in MWIR optics. The inverse-designed lens offers better depth-of-focus and off-axis performance but with larger spot size and reduced efficiency. | |
| Ultra-thick positive photoresist layers for maskless grayscale lithography | April 1, 2023 | Heidelberg Instruments, SPIE. Digital Library | Grayscale lithography can create structured surfaces in photoresist for micro-optics applications. Experiments show promise in fabricating structures over 100 μm using a new experimental resist. | |
| Scalable fabrication of hemispherical solid immersion lenses in silicon carbide through grayscale hard-mask lithography | April 1, 2023 | Applied Physics Letters | Utilizing grayscale lithography and hard-mask methods, silicon carbide hosts micrometer-scale features and hemispherical solid immersion lenses, boosting optical collection for quantum emitters. Scalable, reproducible, CMOS-compatible. | |
| Normally-Off p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors with the Air-Bridge Source-Connection Fabricated Using the Direct Laser Writing Grayscale Photolithography Technology | April 1, 2023 | Crystals | Fabrication of a p-GaN gate HEMT with an air-bridge source connection using direct grayscale lithography, achieving good performance with high breakdown voltage and low on-resistance. | |
| Grayscale with GenISys 3D-PEC | March 26, 2023 | GenISys GmbH, Heidelberg Instruments | We present the powerful software solution 3D-PEC of GenISys BEAMER for rapid and easy optimization of complex 3D microstructures fabricated with Grayscale laser lithography. | |
| The choice of an autocorrelation length in dark‑field lung imaging | February 1, 2023 | scientific reports (nature) | X-ray dark-field radiography (XDFR) explores lung microstructures. Porcine lungs exhibit similar extinction coefficients to PMMA spheres, emphasizing the critical autocorrelation length for effective clinical imaging. | |
| Threshold voltage reliability in flexible amorphous In–Ga–ZnO TFTs under simultaneous electrical and mechanical stress | June 1, 2022 | Flexible and Printed Electronics | Flexible thin film transistors on 50 µm thick polyimide demonstrated stable behavior under simultaneous mechanical and electrical stress up to a 4 mm bending radius. | |
| Fabrication of a fractal pattern device for focus characterizations of X-ray imaging systems by Si deep reactive ion etching and bottom-up Au electroplating | May 1, 2022 | Applied Optics | Si-based device using a fractal pattern for automatic focusing in high-resolution X-ray tomography. Achieves globally homogeneous visibility and local contrast with versatile X-ray energy applicability. | |
| Hybrid Structures by Direct Write Lithography – Tuning the Contrast and Surface Topography of Grayscale Photoresist with Nanoimprint | September 17, 2021 | Paul Scherrer Institute | This paper investigates hybrid processes for patterning mixed structures using thermal nanoimprint lithography (T-NIL) and direct write lithography (DWL) on ma-P1275G positive grayscale resist. | |
| Neurite guidance and neuro-caging on steps and grooves in 2.5 dimensions | July 14, 2020 | Nanoscale Advances | We investigate neurite guidance using semiconductor industry-compatible techniques for fabricating modulated surfaces, enabling the cultivation and study of ordered neuronal networks in a 2.5D configuration. | |
| Inverse-designed achromatic flat lens enabling imaging across the visible & near-infrared with diameter > 3mm | July 1, 2020 | Applied Physics Letters | A flat lens, designed through inverse design with a phase-only pupil function, achieves achromatic focusing over a broad spectrum in a single diffractive surface. | |
| Large-area, high-numerical-aperture multi-level diffractive lens via inverse design | March 1, 2020 | Heidelberg Instruments, Optica | Inverse design enables the creation of thin, high-NA flat lenses. Multi-level diffractive lens (MDL) with a NA=0.9 at 850 nm wavelength, replicable via imprint lithography. | |
| Polymer-Based X-Ray Masks Patterned by Direct Laser Writing | November 1, 2018 | Review of Scientific Instruments | This paper presents a cost-effective method for fabricating polymer-based X-ray masks using UV laser-written SU-8 and electroplated gold absorbers, achieving micrometer-scale accuracy and enabling high-quality deep X-ray lithography. | |
| Direct Write Optical Waveguide Fabrication in organic films using a Heidelberg Laser Writer | May 1, 2016 | Rochester Institute of Technology | Cheap and quick fabrication of mr-DWL waveguides channels on glass buried in optical polymer cladding with 350 µm radius ring resonators and 0.9 µm spacing. | |
| From regular periodic micro-lens arrays to randomized continuous phase profiles | February 1, 2015 | Advanced Optical Technologies | For industrial illumination systems, micro-optical structures made via direct grayscale lithography achieve precise multi-wavelength intensity control, efficiency, and flexibility at a cost-effective production scale. |
