L'outil industriel de lithographie en niveaux de gris
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Pourquoi les clients choisissent nos systèmes
Depuis l’ouverture de notre salle blanche Nanotechnology Hub à l’Université de Kyoto (Nano-hub) en 2011, le DWL 2000 est l’une des machines les plus populaires auprès des utilisateurs du Nano-hub, tant du milieu académique que de l’industrie. Chaque année, plus de 50 utilisateurs utilisent le DWL pour la lithographie binaire et en niveaux de gris, que ce soit pour l’écriture de photomasques ou l’écriture directe sur plaquettes. Nous apprécions le DWL pour ses performances élevées, sa capacité à répondre aux diverses demandes des utilisateurs et pour avoir permis d’étendre les capacités de notre installation, des semi-conducteurs et MEMS aux dispositifs microfluidiques et systèmes physiologiques microscopiques.
Données techniques
| Mode écriture | I | II | III | IV | V |
|---|---|---|---|---|---|
| Performances d’écriture – Niveaux de gris | |||||
| Grille de pixels niveaux de gris [nm] | 100 | 200 | 250 | 500 | 1000 |
| Vitesse d’écriture avec laser à diode [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| Vitesse d’écriture avec laser haute puissance [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| Dose maximale [mJ/cm²] | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| Recouvrement [3σ, nm] (sur 8" x 8") | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 |
| Temps d'exposition DWL 4000 GS: Pour 400 mm x 400 mm [heures] | 223 | 54 | 36 | 10 | 3 |
| Performances d’écriture – Binaire | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| Taille minimale de l'élément [µm] | 0.5 | 0.7 | 0.8 | 1 | 2 |
| Lignes et espaces minimaux [µm] | 0.7 | 0.9 | 1 | 1.5 | 3 |
| Grille d'adresse [nm] | 5 | 10 | 12.5 | 25 | 50 |
| Rugosité des bords [3σ, nm] | 40 | 50 | 60 | 80 | 110 |
| Uniformité CD [3σ, nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 180 |
| Enregistrement [3σ, nm] | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Vitesse d’écriture avec laser à diode [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| Vitesse d’écriture avec laser haute puissance [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| Caractéristiques du système | |
|---|---|
| Source lumineuse | Laser à diode ou laser à semi-conducteur haute puissance de 405 nm |
| Taille maximale du substrat | DWL 2000 GS: 9″ x 9″ / DWL 4000 GS: 17″ x 17″ |
| Épaisseur du substrat | 0 à 12 mm |
| Zone d'exposition maximale | DWL 2000 GS: 200 x 200 mm² / DWL 4000 GS: 400 x 400 mm² |
| Boîte d'écoulement à température contrôlée | Stabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4 |
| Autofocus en temps réel | Autofocus optique ou autofocus à jauge d'air |
| Plage de compensation de l'autofocus | 80 μm |
| Dimensions du système | |
| Unité de lithographie (largeur × profondeur × hauteur) ; poids | 2605 mm × 1652 mm × 2102 mm ; 3000 kg |
| Support électronique (largeur × profondeur × hauteur) ; poids | 800 mm × 650 mm × 1800 mm ; 180 kg |
| Exigences en matière d'installation | |
| Électricité | 400 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A |
| Air comprimé | 6 - 10 bars |
| Salle blanche | ISO 6 ou plus recommandé |
Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions individuelles du processus et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.
