DWL 66+
L'outil ultime de recherche en lithographie
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Description du produit
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La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
> 400 systèmes installés
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Points forts du produit
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Résolution la plus élevée du marché
Permet d’obtenir une taille minimale des motifs de 200 nm.Capacité avancée de niveaux de gris
Offre jusqu’à 65 536 niveaux de gris, avec l’aide d’un puissant logiciel de conception.Haut débit
Expose une gaufre de 6 pouces en seulement 10 minutes.Une technologie éprouvée
400 systèmes installés dans le monde. -
Modules disponibles
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6 Modes d'écriture
Des tailles minimales des motifs de 200 nm à 4 µm vous permettent d’optimiser les performances de votre application.3 Niveaux de gris
Jusqu’à 65 536 niveaux de gris, logiciel de conception puissant et interface logicielle GenISys BEAMER.Longueur d'onde d'exposition
Laser à diode à 375 nm ou 405 nm.Double système autofocus
Comprend à la fois un autofocus optique et un système pneumatique exclusif, garantissant une mise au point parfaite sur n’importe quel substrat, y compris les matériaux transparents ou à faible réflectivité.Manipulation de substrats souples
S’adapte à des tailles de substrat allant de pièces de 3 mm à des plaquettes de 230 mm.Option d'alignement de haute précision
Améliore la stabilité thermique et le positionnement pour les applications les plus exigeantes, en atteignant une précision d’alignement de la seconde couche de 350 nm.Module d'exposition aux formes libres
Permet des expositions sur des substrats non plans (par exemple, des lentilles convexes/concaves) avec des tailles des motifs allant jusqu’à 3 µm.Mode d'exposition vectorielle
Idéal pour modeler des structures et des formes qui nécessitent des courbes et des contours lisses et continus.Chargeur entièrement automatique
Manipulation automatisée de cassette à cassette pour les masques jusqu « à 7 pouces et les plaquettes jusqu » à 8 pouces. Une deuxième station de cassette, un pré-aligneur et un scanner de gaufrettes sont également disponibles en option.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.
En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.
Caractéristiques clés
- Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
- Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
- Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.
Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique
Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.
- Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
- Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
- Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.
Une qualité d’exposition sans compromis
Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.
- Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
- Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
- Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.
Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité
Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.
- Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
- Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
- Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.
> 400 systèmes installés
Résolution la plus élevée du marché
Capacité avancée de niveaux de gris
Haut débit
Une technologie éprouvée
6 Modes d'écriture
3 Niveaux de gris
Longueur d'onde d'exposition
Double système autofocus
Manipulation de substrats souples
Option d'alignement de haute précision
Module d'exposition aux formes libres
Mode d'exposition vectorielle
Chargeur entièrement automatique
Applications clients
Pourquoi les clients choisissent nos systèmes
"Commander une machine DWL 66+ à l'époque de la pandémie de Corona était un grand défi. Il s'est transformé en avantage. L'installation s'est faite à temps. Grâce à la formation à distance, nous nous sommes rapidement familiarisés avec la lithographie en niveaux de gris, avons développé des connaissances de base sur les processus avec l'aide de trois étudiants en licence, et avons sauté dans nos premiers projets industriels qui nous ont permis d'acquérir une expérience réelle et d'avoir un aperçu de la capacité de notre nouvel outil. Pendant cette période, nous avons eu des échanges intensifs avec Heidelberg Instruments, ce qui nous a permis d'aller au-delà des bases de la lithographie 3D. Il est donc facile de dire que le choix du DWL 66+ était la bonne chose à faire, et qu'il complète bien les autres techniques de lithographie que nous poursuivons à l'Institut Paul Scherrer."
Dr. Helmut Schift, chef du groupe « Advanced Nano Fabrication »
Institut Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suisse
"Ayant eu un bon succès avec le µPG 101 (ancêtre du µMLA) pour fabriquer des éléments optiques diffractifs difficiles, nous avons équipé notre laboratoire d'un DWL 66+ en 2021. Cet outil est plus rapide, dispose d'une plus grande zone d'écriture et offre une bonne stabilité pour le modelage en niveaux de gris à haute résolution. Il nous a permis de fabriquer la plus grande lentille plate réalisée à ce jour. Le soutien et la collaboration de Heidelberg Instruments sont très appréciés, en particulier pour l'amélioration continue des processus de lithographie.
Dr. Rajesh Menon, Professeur
Université de l'Utah
Salt Lake City, USA
"Dans notre institut, DWL 66+ représente une technologie de transition entre la photolithographie classique avec masque, qui peut permettre un débit élevé, et la lithographie par faisceau d'électrons, qui garantit une très haute résolution mais est un processus de structuration lent. C'est précisément dans ce domaine que le DWL 66+ représente un complément aux processus de structuration existants. DWL 66+ nous permet de produire en interne notre propre masque de verre pour la photolithographie conventionnelle, de réaliser des prototypages et de traiter des structures de l'ordre du sub-µm avec une grande surface totale dans un temps acceptable."
Sascha de Wall, chercheur associé et chef de groupe
Institute of Micro Production Technology
Leibniz University Hanover
Hanovre, Allemagne
"Le DWL 66+ est un outil très flexible et polyvalent qui permet d'utiliser des substrats de toutes tailles et formes ainsi qu'un libre choix de matériaux. Pour une entreprise comme XRnanotech, qui propose des solutions sur mesure s'écartant souvent des demandes "normales", c'est un grand avantage. Cet outil est essentiel pour un grand nombre de nos produits existants, tels que les arrêts de faisceaux centraux et les membranes en nitrure de silicium, mais il offre également de nombreuses nouvelles possibilités dans le domaine de la micro-optique".
Florian Döring, PDG et fondateur
XRnanotech
Villigen, Suisse
Données techniques
Mode écriture | XR | I | II | III | IV | V |
---|---|---|---|---|---|---|
Taille minimale de l'objet [μm] | 0.2 | 0.6 | 0.8 | 1 | 2 | 4 |
Lignes et espaces minimaux [μm] | 0.3 | 0.8 | 1 | 1.5 | 3 | 5 |
Grille d'adresse [nm] | 5 | 10 | 25 | 50 | 100 | 200 |
Rugosité des bords [nm] | 50 | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 |
CD Uniformité du (dimension critique) [nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 250 | 400 |
Alignement de la 2ème couche sur 5 x 5 mm² [nm] | 250 | 250 | 250 | 250 | 350 | 500 |
Alignement de la 2ème couche sur 100 x 100 mm² [nm] | 500 | 500 | 500 | 500 | 800 | 1000 |
Alignement arrière [nm] | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode (405 nm) | 3.5 | 13 | 40 | 150 | 600 | 2000 |
Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode UV (375 nm) | 2.5 | 10 | 30 | 110 | ||
Grille de pixels en x et y [nm] | 50 | 100 | 250 | 500 | 1000 | 2000 |
Vitesse de numérisation [mm/s] | 1800 | 3600 | 4500 | 9000 | 18000 | 36000 |
Caractéristiques du système | |
---|---|
Source lumineuse | Laser à diode de 405 nm ou 375 nm |
Dimensions du substrat | Variable : 5 x 5 mm² à 9″ x 9″ | Personnalisable sur demande |
Épaisseur du substrat | 0 à 12 mm |
Zone d'exposition maximale | 200 x 200 mm² |
Chambre environnementale | Stabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4 |
Autofocus en temps réel | Autofocus optique ou autofocus à jauge d'air |
Plage de compensation de l'autofocus | 80 μm |
Mode standard ou avancé Niveaux de gris | 128 ou 32 768 niveaux de gris respectivement |
Mode vectoriel | Permet d'écrire des lignes sans raccordement |
Vue d'ensemble de l'appareil photo | Le champ de vision de 13 x 10 mm² facilite l'alignement sur les marques et la navigation sur le substrat |
Alignement arrière (optionnel) | Permet d'aligner les expositions sur les structures au dos du substrat |
Options avancées - Amélioration des performances | |
Système de coordonnées de haute précision | Comprend l'étalonnage de la plaque d'or et la surveillance du climat : Alignement du second niveau sur 100 x 100 mm² amélioré à 350 nm |
Mode professionnel Niveaux de gris | 65 536 niveaux de gris, logiciel de conversion de données professionnel |
Système de chargement automatique | Manipulation de masques jusqu'à 7" et de plaquettes jusqu'à 8" avec deux stations de transport, un pré-aligneur et un scanner de plaquettes. |
Dimensions du système de la version standard | |
Largeur × profondeur × hauteur | 1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (unité de lithographie uniquement) |
Poids | 1000 kg (unité de lithographie uniquement) |
Exigences en matière d'installation | |
Électricité | 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A |
Air comprimé | 6 - 10 bars |
Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions individuelles du processus et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.