L'outil polyvalent pour la recherche et le prototypage avec une résolution variable et une large sélection de modules pour une personnalisation aisée.

  • Description du produit

  • L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.

    Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.

    L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.

    Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.

  • Points forts du produit

  • Qualité de l'exposition

    Uniformité CD 60 nm ; rugosité des bords 50 nm ; alignement de la deuxième couche 500 nm ; compensation autofocus 80 µm

    Lithographie en niveaux de gris

    Jusqu’à 1024 niveaux de gris ; logiciel GenISys BEAMER dédié pour optimiser l’exposition de géométries complexes

    Polyvalence

    Choix de 6 modes d’écriture avec 2 longueurs d’onde laser ; 3 régimes d’exposition en niveaux de gris ; le plus grand nombre de modules supplémentaires disponibles, y compris des options d’automatisation.
  • Modules disponibles

  • 6 Modes d'écriture

    Caractéristiques minimales de 300 nm à 4 µm

    Longueur d'onde d'exposition

    Laser à diode à 375 nm ou 405 nm

    Autofocus

    Air-gauge ou autofocus optique pour une exposition parfaite des petits échantillons (moins de 10 mm)

    Substrat variable

    Taille de 3 mm à 230 mm

    2 modes de niveaux de gris

    Jusqu’à 1024 niveaux de gris et un logiciel dédié GenISys BEAMER pour optimiser l’exposition de géométries complexes

    Option haute précision

    Diverses mesures techniques visant à améliorer la stabilité thermique et la précision de la position du système de coordonnées de la scène. Spécifications améliorées pour l’alignement de la deuxième couche : 350 nm

    Chargeur automatique

    Manipulation de masques jusqu’à 7″ et de substrats jusqu’à 8″. Deuxième station de cassette en option. Pré-alignement et scanner de gaufrettes disponibles

    Forme libre de base (BFF)

    Expositions sur des substrats non plans avec des caractéristiques allant jusqu’à 3 μm. Les applications typiques sont les microstructures sur le dessus des lentilles convexes ou concaves

    Mode de balayage vectoriel

    Modèles de structures et de formes constituées de lignes courbes lorsque des contours lisses sont requis

L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.

Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.

L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.

Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.

Qualité de l'exposition

Uniformité CD 60 nm ; rugosité des bords 50 nm ; alignement de la deuxième couche 500 nm ; compensation autofocus 80 µm

Lithographie en niveaux de gris

Jusqu’à 1024 niveaux de gris ; logiciel GenISys BEAMER dédié pour optimiser l’exposition de géométries complexes

Polyvalence

Choix de 6 modes d’écriture avec 2 longueurs d’onde laser ; 3 régimes d’exposition en niveaux de gris ; le plus grand nombre de modules supplémentaires disponibles, y compris des options d’automatisation.

6 Modes d'écriture

Caractéristiques minimales de 300 nm à 4 µm

Longueur d'onde d'exposition

Laser à diode à 375 nm ou 405 nm

Autofocus

Air-gauge ou autofocus optique pour une exposition parfaite des petits échantillons (moins de 10 mm)

Substrat variable

Taille de 3 mm à 230 mm

2 modes de niveaux de gris

Jusqu’à 1024 niveaux de gris et un logiciel dédié GenISys BEAMER pour optimiser l’exposition de géométries complexes

Option haute précision

Diverses mesures techniques visant à améliorer la stabilité thermique et la précision de la position du système de coordonnées de la scène. Spécifications améliorées pour l’alignement de la deuxième couche : 350 nm

Chargeur automatique

Manipulation de masques jusqu’à 7″ et de substrats jusqu’à 8″. Deuxième station de cassette en option. Pré-alignement et scanner de gaufrettes disponibles

Forme libre de base (BFF)

Expositions sur des substrats non plans avec des caractéristiques allant jusqu’à 3 μm. Les applications typiques sont les microstructures sur le dessus des lentilles convexes ou concaves

Mode de balayage vectoriel

Modèles de structures et de formes constituées de lignes courbes lorsque des contours lisses sont requis

Applications clients

Pourquoi les clients choisissent nos systèmes

"Commander une machine DWL 66+ à l'époque de la pandémie de Corona était un grand défi. Il s'est transformé en avantage. L'installation s'est faite à temps. Grâce à la formation à distance, nous nous sommes rapidement familiarisés avec la lithographie en niveaux de gris, nous avons développé des connaissances de base sur les processus avec l'aide de trois étudiants en licence et nous nous sommes lancés dans nos premiers projets industriels, ce qui nous a permis d'acquérir une expérience concrète et de nous faire une idée des capacités de notre nouvel outil. Pendant cette période, nous avons eu un échange intensif avec Heidelberg Instruments qui nous a permis d'aller au-delà des bases de la lithographie 3D. Il est donc facile de dire que le choix du DWL 66+ était la bonne chose à faire, et qu'il complète bien les autres techniques de lithographie que nous utilisons à l'Institut Paul Scherrer.

Dr. Helmut Schift, chef du groupe "Advanced Nano Manufacturing"
Institut Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suisse

"Ayant obtenu de bons résultats avec le µPG 101 (ancêtre du µMLA) pour la fabrication d'éléments optiques diffractifs difficiles, nous avons équipé notre laboratoire d'un DWL 66+ en 2021. Cet outil est plus rapide, dispose d'une plus grande zone d'écriture et offre une bonne stabilité pour le modelage en niveaux de gris à haute résolution. Il nous a permis de fabriquer la plus grande lentille plate réalisée à ce jour. Le soutien et la collaboration de Heidelberg Instruments sont très appréciés, en particulier pour l'amélioration continue des processus de lithographie".

Dr. Rajesh Menon, Professeur
Université de l'Utah
Salt Lake City, USA

"Dans notre institut, le DWL 66+ représente une technologie de transition entre la photolithographie classique à base de masque, qui permet un débit élevé, et la lithographie par faisceau d'électrons, qui garantit une très haute résolution mais est un processus de structuration lent. C'est précisément ici que le DWL 66+ représente un complément aux processus de structuration existants. Le DWL 66+ nous permet de produire en interne notre propre masque de verre pour la photolithographie conventionnelle, de réaliser des prototypes et de traiter des structures de l'ordre du sub-µm avec une grande surface totale dans des délais acceptables".

Sascha de Wall, chercheur associé, chef de groupe
Institut des technologies de microproduction
Université Leibniz de Hanovre
Hanovre, Allemagne

Données techniques

Mode écritureHiResIIIIIIIVV
Performance en matière d'écriture
Taille minimale de l'objet [μm]0.30.60.8124
Lignes et espaces minimaux [μm]0.50.811.535
Grille d'adresse [nm]5102550100200
Rugosité des bords [3σ, nm]50507080110160
Uniformité CD [3σ, nm]607080130250400
Alignement de la 2ème couche sur 5 x 5 mm² [nm]250250250250350500
Alignement de la 2ème couche sur 100 x 100 mm² [nm]500500500500 8001000
Alignement arrière [nm]100010001000100010001000
Avec laser à diode (405 nm)
Vitesse d'écriture [mm²/min] 313401506002000
Temps d'exposition pour une surface de 100 x 100 mm² [min]300074025572207
Avec laser à diode UV (375 nm)
Vitesse d'écriture [mm²/min] 21030110
Temps d'exposition pour une surface de 100 x 100 mm² [min]50001015350100
Caractéristiques du système
Source lumineuseLaser à diode de 405 nm ou 375 nm
Dimensions du substratVariable : 5 x 5 mm² à 9″ x 9″ | Personnalisable sur demande
Épaisseur du substrat0 à 12 mm
Zone d'exposition maximale200 x 200 mm²
Boîte à flux à température contrôléeStabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4
Autofocus en temps réelAutofocus optique ou autofocus à jauge d'air
Plage de compensation de l'autofocus80 μm
Mode niveaux de gris standard ou avancé128 / 256 niveaux de gris respectivement
Mode vectorielPermet d'écrire des lignes sans piqûre
Vue d'ensemble de l'appareil photoLe champ de vision de 8 x 10 mm² facilite l'alignement sur les marques et la navigation sur le substrat
Alignement arrière (optionnel)Permet d'aligner les expositions sur les structures au dos du substrat
Options avancées - Amélioration des performances
Système de coordonnées de haute précisionComprend l'étalonnage de la plaque d'or et la surveillance du climat : 2e couche alignement jusqu'à 350 nm
Mode professionnel en niveaux de gris1024 niveaux de gris, logiciel professionnel de conversion de données
Système de chargement automatiqueManipulation de masques jusqu'à 7" et de plaquettes jusqu'à 8" avec deux stations de transport, un pré-aligneur et un scanner de plaquettes.
Dimensions du système de la version standard
Largeur × profondeur × hauteur1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (unité de lithographie uniquement)
Poids1000 kg (unité de lithographie uniquement)
Exigences en matière d'installation
Électricité230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A
Air comprimé6 - 10 bars

Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions individuelles du processus et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.

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