DWL 66+
L'outil polyvalent pour la recherche et le prototypage avec une résolution variable et une large sélection de modules pour une personnalisation aisée.
-
Description du produit
-
L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.
Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.
L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.
Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.
-
Points forts du produit
-
Qualité de l'exposition
Uniformité CD 60 nm ; rugosité des bords 50 nm ; alignement de la deuxième couche 500 nm ; compensation autofocus 80 µmLithographie en niveaux de gris
Jusqu’à 1024 niveaux de gris ; logiciel GenISys BEAMER dédié pour optimiser l’exposition de géométries complexesPolyvalence
Choix de 6 modes d’écriture avec 2 longueurs d’onde laser ; 3 régimes d’exposition en niveaux de gris ; le plus grand nombre de modules supplémentaires disponibles, y compris des options d’automatisation. -
Modules disponibles
-
6 Modes d'écriture
Caractéristiques minimales de 300 nm à 4 µmLongueur d'onde d'exposition
Laser à diode à 375 nm ou 405 nmAutofocus
Air-gauge ou autofocus optique pour une exposition parfaite des petits échantillons (moins de 10 mm)Substrat variable
Taille de 3 mm à 230 mm2 modes de niveaux de gris
Jusqu’à 1024 niveaux de gris et un logiciel dédié GenISys BEAMER pour optimiser l’exposition de géométries complexesOption haute précision
Diverses mesures techniques visant à améliorer la stabilité thermique et la précision de la position du système de coordonnées de la scène. Spécifications améliorées pour l’alignement de la deuxième couche : 350 nmChargeur automatique
Manipulation de masques jusqu’à 7″ et de substrats jusqu’à 8″. Deuxième station de cassette en option. Pré-alignement et scanner de gaufrettes disponiblesForme libre de base (BFF)
Expositions sur des substrats non plans avec des caractéristiques allant jusqu’à 3 μm. Les applications typiques sont les microstructures sur le dessus des lentilles convexes ou concavesMode de balayage vectoriel
Modèles de structures et de formes constituées de lignes courbes lorsque des contours lisses sont requis
L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.
Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.
L’outil de lithographie laser DWL 66+ est un générateur de modèles à écriture directe haute résolution. Polyvalent, le DWL 66+ est idéal pour la recherche et le développement (R&D) en microélectronique, MEMS, microfluidique, capteurs, substrats non standard, emballages avancés – pratiquement toute application académique nécessitant la fabrication de microstructures. Le DWL 66+ se distingue par son mode d’exposition en niveaux de gris qui permet de créer des microstructures 2,5D complexes telles que des micro-optiques pour applications mobiles, des éléments optiques diffractifs (DOE), des hologrammes générés par ordinateur et des surfaces structurées.
Il s’agit d’un système hautement flexible et personnalisable qui répond précisément aux exigences de vos applications. Parmi les principales caractéristiques du DWL 66+ figurent un mode haute résolution, l’alignement avant et arrière, l’étalonnage de la position absolue et un système de chargement automatique.
Qualité de l'exposition
Lithographie en niveaux de gris
Polyvalence
6 Modes d'écriture
Longueur d'onde d'exposition
Autofocus
Substrat variable
2 modes de niveaux de gris
Option haute précision
Chargeur automatique
Forme libre de base (BFF)
Mode de balayage vectoriel
Applications clients
Pourquoi les clients choisissent nos systèmes
"Commander une machine DWL 66+ à l'époque de la pandémie de Corona était un grand défi. Il s'est transformé en avantage. L'installation s'est faite à temps. Grâce à la formation à distance, nous nous sommes rapidement familiarisés avec la lithographie en niveaux de gris, nous avons développé des connaissances de base sur les processus avec l'aide de trois étudiants en licence et nous nous sommes lancés dans nos premiers projets industriels, ce qui nous a permis d'acquérir une expérience concrète et de nous faire une idée des capacités de notre nouvel outil. Pendant cette période, nous avons eu un échange intensif avec Heidelberg Instruments qui nous a permis d'aller au-delà des bases de la lithographie 3D. Il est donc facile de dire que le choix du DWL 66+ était la bonne chose à faire, et qu'il complète bien les autres techniques de lithographie que nous utilisons à l'Institut Paul Scherrer.
Dr. Helmut Schift, chef du groupe "Advanced Nano Manufacturing"
Institut Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suisse
"Ayant obtenu de bons résultats avec le µPG 101 (ancêtre du µMLA) pour la fabrication d'éléments optiques diffractifs difficiles, nous avons équipé notre laboratoire d'un DWL 66+ en 2021. Cet outil est plus rapide, dispose d'une plus grande zone d'écriture et offre une bonne stabilité pour le modelage en niveaux de gris à haute résolution. Il nous a permis de fabriquer la plus grande lentille plate réalisée à ce jour. Le soutien et la collaboration de Heidelberg Instruments sont très appréciés, en particulier pour l'amélioration continue des processus de lithographie".
Dr. Rajesh Menon, Professeur
Université de l'Utah
Salt Lake City, USA
"Dans notre institut, le DWL 66+ représente une technologie de transition entre la photolithographie classique à base de masque, qui permet un débit élevé, et la lithographie par faisceau d'électrons, qui garantit une très haute résolution mais est un processus de structuration lent. C'est précisément ici que le DWL 66+ représente un complément aux processus de structuration existants. Le DWL 66+ nous permet de produire en interne notre propre masque de verre pour la photolithographie conventionnelle, de réaliser des prototypes et de traiter des structures de l'ordre du sub-µm avec une grande surface totale dans des délais acceptables".
Sascha de Wall, chercheur associé, chef de groupe
Institut des technologies de microproduction
Université Leibniz de Hanovre
Hanovre, Allemagne
Données techniques
Mode écriture | HiRes | I | II | III | IV | V |
---|---|---|---|---|---|---|
Performance en matière d'écriture | ||||||
Taille minimale de l'objet [μm] | 0.3 | 0.6 | 0.8 | 1 | 2 | 4 |
Lignes et espaces minimaux [μm] | 0.5 | 0.8 | 1 | 1.5 | 3 | 5 |
Grille d'adresse [nm] | 5 | 10 | 25 | 50 | 100 | 200 |
Rugosité des bords [3σ, nm] | 50 | 50 | 70 | 80 | 110 | 160 |
Uniformité CD [3σ, nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 250 | 400 |
Alignement de la 2ème couche sur 5 x 5 mm² [nm] | 250 | 250 | 250 | 250 | 350 | 500 |
Alignement de la 2ème couche sur 100 x 100 mm² [nm] | 500 | 500 | 500 | 500 | 800 | 1000 |
Alignement arrière [nm] | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
Avec laser à diode (405 nm) | ||||||
Vitesse d'écriture [mm²/min] | 3 | 13 | 40 | 150 | 600 | 2000 |
Temps d'exposition pour une surface de 100 x 100 mm² [min] | 3000 | 740 | 255 | 72 | 20 | 7 |
Avec laser à diode UV (375 nm) | ||||||
Vitesse d'écriture [mm²/min] | 2 | 10 | 30 | 110 | ||
Temps d'exposition pour une surface de 100 x 100 mm² [min] | 5000 | 1015 | 350 | 100 |
Caractéristiques du système | |
---|---|
Source lumineuse | Laser à diode de 405 nm ou 375 nm |
Dimensions du substrat | Variable : 5 x 5 mm² à 9″ x 9″ | Personnalisable sur demande |
Épaisseur du substrat | 0 à 12 mm |
Zone d'exposition maximale | 200 x 200 mm² |
Boîte à flux à température contrôlée | Stabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4 |
Autofocus en temps réel | Autofocus optique ou autofocus à jauge d'air |
Plage de compensation de l'autofocus | 80 μm |
Mode niveaux de gris standard ou avancé | 128 / 256 niveaux de gris respectivement |
Mode vectoriel | Permet d'écrire des lignes sans piqûre |
Vue d'ensemble de l'appareil photo | Le champ de vision de 8 x 10 mm² facilite l'alignement sur les marques et la navigation sur le substrat |
Alignement arrière (optionnel) | Permet d'aligner les expositions sur les structures au dos du substrat |
Options avancées - Amélioration des performances | |
Système de coordonnées de haute précision | Comprend l'étalonnage de la plaque d'or et la surveillance du climat : 2e couche alignement jusqu'à 350 nm |
Mode professionnel en niveaux de gris | 1024 niveaux de gris, logiciel professionnel de conversion de données |
Système de chargement automatique | Manipulation de masques jusqu'à 7" et de plaquettes jusqu'à 8" avec deux stations de transport, un pré-aligneur et un scanner de plaquettes. |
Dimensions du système de la version standard | |
Largeur × profondeur × hauteur | 1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (unité de lithographie uniquement) |
Poids | 1000 kg (unité de lithographie uniquement) |
Exigences en matière d'installation | |
Électricité | 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A |
Air comprimé | 6 - 10 bars |
Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions individuelles du processus et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.