L'outil ultime de recherche en lithographie

  • Description du produit

  • La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.

    En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.

    Caractéristiques clés

    • Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
    • Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
    • Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.

    Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique

    Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.

    • Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
    • Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
    • Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.

    Une qualité d’exposition sans compromis

    Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.

    • Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
    • Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
    • Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.

    Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité

    Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.

    • Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
    • Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
    • Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.

    La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.

    En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.

    Caractéristiques clés

    • Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
    • Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
    • Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.

    Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique

    Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.

    • Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
    • Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
    • Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.

    Une qualité d’exposition sans compromis

    Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.

    • Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
    • Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
    • Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.

    Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité

    Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.

    • Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
    • Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
    • Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.

    > 400 systèmes installés

  • Points forts du produit

  • Résolution la plus élevée du marché

    Permet d’obtenir une taille minimale des motifs de 200 nm.

    Capacité avancée de niveaux de gris

    Offre jusqu’à 65 536 niveaux de gris, avec l’aide d’un puissant logiciel de conception.

    Haut débit

    Expose une gaufre de 6 pouces en seulement 10 minutes.

    Une technologie éprouvée

    400 systèmes installés dans le monde.
  • Modules disponibles

  • 6 Modes d'écriture

    Des tailles minimales des motifs de 200 nm à 4 µm vous permettent d’optimiser les performances de votre application.

    3 Niveaux de gris

    Jusqu’à 65 536 niveaux de gris, logiciel de conception puissant et interface logicielle GenISys BEAMER.

    Longueur d'onde d'exposition

    Laser à diode à 375 nm ou 405 nm.

    Double système autofocus

    Comprend à la fois un autofocus optique et un système pneumatique exclusif, garantissant une mise au point parfaite sur n’importe quel substrat, y compris les matériaux transparents ou à faible réflectivité.

    Manipulation de substrats souples

    S’adapte à des tailles de substrat allant de pièces de 3 mm à des plaquettes de 230 mm.

    Option d'alignement de haute précision

    Améliore la stabilité thermique et le positionnement pour les applications les plus exigeantes, en atteignant une précision d’alignement de la seconde couche de 350 nm.

    Module d'exposition aux formes libres

    Permet des expositions sur des substrats non plans (par exemple, des lentilles convexes/concaves) avec des tailles des motifs allant jusqu’à 3 µm.

    Mode d'exposition vectorielle

    Idéal pour modeler des structures et des formes qui nécessitent des courbes et des contours lisses et continus.

    Chargeur entièrement automatique

    Manipulation automatisée de cassette à cassette pour les masques jusqu « à 7 pouces et les plaquettes jusqu » à 8 pouces. Une deuxième station de cassette, un pré-aligneur et un scanner de gaufrettes sont également disponibles en option.

La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.

En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.

Caractéristiques clés

  • Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
  • Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
  • Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.

Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique

Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.

  • Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
  • Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
  • Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.

Une qualité d’exposition sans compromis

Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.

  • Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
  • Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
  • Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.

Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité

Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.

  • Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
  • Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
  • Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.

La DWL 66+ offre une polyvalence inégalée, des capacités de niveaux de gris de qualité professionnelle et la plus haute résolution de tous les systèmes laser à écriture directe du marché.

En tant que système très polyvalent, le DWL 66+ est conçu pour la R&D et le prototypage rapide dans les domaines des MEMS, de la microélectronique, de la microfluidique, des capteurs, de l’optique, de la photonique, de la photovoltaïque, des sciences des matériaux, des dispositifs quantiques – pratiquement toute application nécessitant la fabrication de microstructures.

Caractéristiques clés

  • Mode haute résolution avec une taille minimale des motifs de 200 nm : Notre Vitesse d’écriture XR offre une combinaison inégalée de résolution, de qualité et de vitesse.
  • Expositions en niveaux de gris avec 65 536 niveaux : Permet des expositions en niveaux de gris avec une qualité de surface exceptionnelle dans des résines jusqu « à 150 µm d » épaisseur.
  • Configuration du système entièrement personnalisable : 30 ans de développement continu et plus de 400 unités installées font du DWL 66+ le système le plus polyvalent et le plus éprouvé du marché.

Donnez une nouvelle dimension à la lithographie optique

Le DWL 66+ n’est pas un simple remplacement de votre Aligneur de masque – c’est une mise à niveau qui offre un nouveau niveau de précision, de résolution et de fidélité de la structure. Ce système sans masque réduira considérablement le temps nécessaire au développement de nouveaux dispositifs et offrira de nouvelles possibilités.

  • Modifications instantanées de la conception : Modifiez votre fichier CAO et commencez à exposer immédiatement. Pas de coûts, d’efforts, de temps d’attente ou de risques de sécurité liés aux masques.
  • Compatibilité avec divers substrats : Le DWL 66+ expose non seulement sur des puces ou des plaquettes standard, mais aussi sur des substrats de n’importe quel matériau, taille, épaisseur ou forme – y compris des surfaces incurvées.
  • Réduisez la charge de travail de votre système de lithographie par faisceaux d’électrons : Dans de nombreux cas, la DWL 66+ peut réaliser des expositions qui nécessitaient auparavant un système de lithographie par faisceaux d’électrons, libérant ainsi votre faisceau d’électrons pour des tâches plus exigeantes.

Une qualité d’exposition sans compromis

Le DWL 66+ est conçu pour la R&D, mais il intègre les technologies principales de nos systèmes de production industrielle afin de garantir le plus haut niveau de précision et de reproductibilité.

  • Environnement contrôlé : Le système DWL 66+ comprend une boîte à flux laminaire pour minimiser la contamination par les particules et assurer la stabilité thermique pendant les expositions.
  • Contrôle de position interférométrique : Un interféromètre à haute résolution associé à une précision de la position du faisceau en temps réel garantit la précision du placement du motif et la fidélité de la structure.
  • Système autofocus en temps réel : Le DWL 66+ comprend le système d’autofocus optique courant, mais il est amélioré par un système d’autofocus secondaire exclusif qui fonctionne indépendamment du retour optique. Cela permet une mise au point précise, même sur des substrats transparents ou à faible réflectivité.

Combinaison optimisée de la qualité et de la productivité

Le DWL 66+ ne fait aucun compromis sur la qualité d’exposition pour augmenter le débit. La vitesse d « écriture est spécifiée pour le réglage de qualité le plus élevé et le temps d » écriture ne dépend pas du facteur de remplissage, de la forme ou du nombre de structures dans la zone d’insolation.

  • Modes d « écriture interchangeables : Passez facilement d’un mode d » écriture à l’autre pour optimiser la résolution et le débit de votre application.
  • Logiciel et matériel propriétaires : L’interface utilisateur intuitive, combinée à une préparation optimisée de la conception et à une conversion rapide des données, permet un flux de travail rapide, de la configuration à l’exposition.
  • Automatisation complète : Le fonctionnement de la DWL 66+ peut être entièrement automatisé avec un alignement automatique de l’avant ou de l’arrière et un système de manipulation de cassette à cassette.

> 400 systèmes installés

Résolution la plus élevée du marché

Permet d’obtenir une taille minimale des motifs de 200 nm.

Capacité avancée de niveaux de gris

Offre jusqu’à 65 536 niveaux de gris, avec l’aide d’un puissant logiciel de conception.

Haut débit

Expose une gaufre de 6 pouces en seulement 10 minutes.

Une technologie éprouvée

400 systèmes installés dans le monde.

6 Modes d'écriture

Des tailles minimales des motifs de 200 nm à 4 µm vous permettent d’optimiser les performances de votre application.

3 Niveaux de gris

Jusqu’à 65 536 niveaux de gris, logiciel de conception puissant et interface logicielle GenISys BEAMER.

Longueur d'onde d'exposition

Laser à diode à 375 nm ou 405 nm.

Double système autofocus

Comprend à la fois un autofocus optique et un système pneumatique exclusif, garantissant une mise au point parfaite sur n’importe quel substrat, y compris les matériaux transparents ou à faible réflectivité.

Manipulation de substrats souples

S’adapte à des tailles de substrat allant de pièces de 3 mm à des plaquettes de 230 mm.

Option d'alignement de haute précision

Améliore la stabilité thermique et le positionnement pour les applications les plus exigeantes, en atteignant une précision d’alignement de la seconde couche de 350 nm.

Module d'exposition aux formes libres

Permet des expositions sur des substrats non plans (par exemple, des lentilles convexes/concaves) avec des tailles des motifs allant jusqu’à 3 µm.

Mode d'exposition vectorielle

Idéal pour modeler des structures et des formes qui nécessitent des courbes et des contours lisses et continus.

Chargeur entièrement automatique

Manipulation automatisée de cassette à cassette pour les masques jusqu « à 7 pouces et les plaquettes jusqu » à 8 pouces. Une deuxième station de cassette, un pré-aligneur et un scanner de gaufrettes sont également disponibles en option.

Applications clients

Pourquoi les clients choisissent nos systèmes

"Commander une machine DWL 66+ à l'époque de la pandémie de Corona était un grand défi. Il s'est transformé en avantage. L'installation s'est faite à temps. Grâce à la formation à distance, nous nous sommes rapidement familiarisés avec la lithographie en niveaux de gris, avons développé des connaissances de base sur les processus avec l'aide de trois étudiants en licence, et avons sauté dans nos premiers projets industriels qui nous ont permis d'acquérir une expérience réelle et d'avoir un aperçu de la capacité de notre nouvel outil. Pendant cette période, nous avons eu des échanges intensifs avec Heidelberg Instruments, ce qui nous a permis d'aller au-delà des bases de la lithographie 3D. Il est donc facile de dire que le choix du DWL 66+ était la bonne chose à faire, et qu'il complète bien les autres techniques de lithographie que nous poursuivons à l'Institut Paul Scherrer."

Dr. Helmut Schift, chef du groupe « Advanced Nano Fabrication »
Institut Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suisse

"Ayant eu un bon succès avec le µPG 101 (ancêtre du µMLA) pour fabriquer des éléments optiques diffractifs difficiles, nous avons équipé notre laboratoire d'un DWL 66+ en 2021. Cet outil est plus rapide, dispose d'une plus grande zone d'écriture et offre une bonne stabilité pour le modelage en niveaux de gris à haute résolution. Il nous a permis de fabriquer la plus grande lentille plate réalisée à ce jour. Le soutien et la collaboration de Heidelberg Instruments sont très appréciés, en particulier pour l'amélioration continue des processus de lithographie.

Dr. Rajesh Menon, Professeur
Université de l'Utah
Salt Lake City, USA

"Dans notre institut, DWL 66+ représente une technologie de transition entre la photolithographie classique avec masque, qui peut permettre un débit élevé, et la lithographie par faisceau d'électrons, qui garantit une très haute résolution mais est un processus de structuration lent. C'est précisément dans ce domaine que le DWL 66+ représente un complément aux processus de structuration existants. DWL 66+ nous permet de produire en interne notre propre masque de verre pour la photolithographie conventionnelle, de réaliser des prototypages et de traiter des structures de l'ordre du sub-µm avec une grande surface totale dans un temps acceptable."

Sascha de Wall, chercheur associé et chef de groupe
Institute of Micro Production Technology
Leibniz University Hanover
Hanovre, Allemagne

"Le DWL 66+ est un outil très flexible et polyvalent qui permet d'utiliser des substrats de toutes tailles et formes ainsi qu'un libre choix de matériaux. Pour une entreprise comme XRnanotech, qui propose des solutions sur mesure s'écartant souvent des demandes "normales", c'est un grand avantage. Cet outil est essentiel pour un grand nombre de nos produits existants, tels que les arrêts de faisceaux centraux et les membranes en nitrure de silicium, mais il offre également de nombreuses nouvelles possibilités dans le domaine de la micro-optique".

Florian Döring, PDG et fondateur
XRnanotech
Villigen, Suisse

Données techniques

Mode écritureXRIIIIIIIVV
Taille minimale de l'objet [μm]0.20.60.8124
Lignes et espaces minimaux [μm]0.30.811.535
Grille d'adresse [nm]5102550100200
Rugosité des bords [nm]50507080110160
CD Uniformité du (dimension critique) [nm]607080130250400
Alignement de la 2ème couche sur 5 x 5 mm² [nm]250250250250350500
Alignement de la 2ème couche sur 100 x 100 mm² [nm]500500500500 8001000
Alignement arrière [nm]100010001000100010001000
Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode (405 nm)3.513401506002000
Vitesse d'écriture [mm²/min] avec laser à diode UV (375 nm)2.51030110
Grille de pixels en x et y [nm]501002505001000 2000
Vitesse de numérisation [mm/s]18003600450090001800036000
Caractéristiques du système
Source lumineuseLaser à diode de 405 nm ou 375 nm
Dimensions du substratVariable : 5 x 5 mm² à 9″ x 9″ | Personnalisable sur demande
Épaisseur du substrat0 à 12 mm
Zone d'exposition maximale200 x 200 mm²
Chambre environnementaleStabilité de la température ± 0,1°, environnement ISO 4
Autofocus en temps réelAutofocus optique ou autofocus à jauge d'air
Plage de compensation de l'autofocus80 μm
Mode standard ou avancé Niveaux de gris128 ou 32 768 niveaux de gris respectivement
Mode vectorielPermet d'écrire des lignes sans raccordement
Vue d'ensemble de l'appareil photoLe champ de vision de 13 x 10 mm² facilite l'alignement sur les marques et la navigation sur le substrat
Alignement arrière (optionnel)Permet d'aligner les expositions sur les structures au dos du substrat
Options avancées - Amélioration des performances
Système de coordonnées de haute précisionComprend l'étalonnage de la plaque d'or et la surveillance du climat : Alignement du second niveau sur 100 x 100 mm² amélioré à 350 nm
Mode professionnel Niveaux de gris65 536 niveaux de gris, logiciel de conversion de données professionnel
Système de chargement automatiqueManipulation de masques jusqu'à 7" et de plaquettes jusqu'à 8" avec deux stations de transport, un pré-aligneur et un scanner de plaquettes.
Dimensions du système de la version standard
Largeur × profondeur × hauteur1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (unité de lithographie uniquement)
Poids1000 kg (unité de lithographie uniquement)
Exigences en matière d'installation
Électricité230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A
Air comprimé6 - 10 bars

Veuillez noter
Les spécifications dépendent des conditions individuelles du processus et peuvent varier en fonction de la configuration de l’équipement. La vitesse d’écriture dépend de la taille des pixels et du mode d’écriture. La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.

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