Mettez en valeur votre travail
La galerie d’images d’applications présente des micro- et nanostructures impressionnantes créées avec les systèmes Heidelberg Instruments. Des chercheurs du monde entier peuvent soumettre leurs images, montrant ainsi les capacités de nos outils dans la recherche avancée pour diverses applications.
Nous souhaitons mettre en avant les innovations remarquables dans des domaines tels que la nanotechnologie, le génie biomédical, les dispositifs quantiques, l’électronique flexible, la photonique et bien d’autres.
Les contributions sélectionnées sont mises en avant sur nos canaux marketing pour célébrer la créativité et les réalisations de nos utilisateurs et pour inspirer la communauté mondiale de la micro- et nanofabrication. Nous souhaitons également soutenir le travail au-delà de la promotion et chercher ensemble des mesures utiles.
Directives de soumission
- Téléchargez de 1 à 5 images et/ou une courte vidéo (<3 min) illustrant une application innovante.
- Les structures représentées doivent être créées avec un système Heidelberg Instruments actuel ou ancien.
- Les images doivent être libres de tout droit d’auteur.
- Les images peuvent être réalisées avec n’importe quel équipement (par exemple, caméras ou microscopes).
- Les images peuvent être légèrement retouchées si cela sert un but illustratif (par exemple, barre d’échelle ou nomination des éléments).
- Heidelberg Instruments aura le droit d’utiliser les images en ligne ou sous forme imprimée. Elles seront accompagnées d’une référence choisie par le contributeur (nom de l’auteur et/ou institution).
- Les soumissions concernant différentes applications doivent être faites séparément.
Nous serions ravis de recevoir des images haute résolution qui aident à comprendre l’application, accompagnées d’une description claire et concise, incluant les dimensions de la structure, le processus de fabrication et les spécifications des substrats utilisés. Jetez un œil à la galerie ci-dessous pour trouver l’inspiration.
Après avoir soumis le formulaire, vous recevrez un e-mail avec des instructions supplémentaires sur la façon de télécharger vos images. Une fois tous les documents requis soumis, nous vous contacterons rapidement.
Merci pour votre soumission !
Métalens en silicium avec résolution sub-longueur d’onde pour optique plane haute performance par Nurten Koc (DWL 66+)
Image SEM en vue de dessus d’une métalens de 200 μm de diamètre. Bien que les nanoblocs soient identiques en forme et en taille, leur rotation et orientation varient, soulignant la flexibilité de conception inhérente à l’architecture de la métalens.
Métalens en silicium avec résolution sub-longueur d’onde pour optique plane haute performance par Nurten Koc (DWL 66+)
Image MEB en vue inclinée à 60° d’une métalens de 200 μm de diamètre. Bien que les nanoblocs soient identiques en forme et en taille, leur rotation et orientation varient, soulignant la flexibilité de conception inhérente à l’architecture de la métalens.
Fabrication de nanofils de silicium (Si NWs) monocristallins suspendus de moins de 300 nm pour capteurs de nouvelle génération haute performance par Basit Ali (DWL 66+)
Réseau de nanofils de silicium avec la même dimension critique en plan, fabriqué sur substrat Si. Trois longueurs différentes (5, 10, 15 micromètres) sont définies, démontrant le motif de nanofils à fort rapport d’aspect.
Fabrication de nanofils de silicium (Si NWs) monocristallins suspendus de moins de 300 nm pour capteurs de nouvelle génération haute performance par Basit Ali (DWL 66+)
Gros plan d’un nanofil de silicium avec une dimension critique en plan de 250 nm et une épaisseur de 150 nm, reliant des MEMS de 5000 nm d’épaisseur à ses extrémités. Le nanofil et les ancrages MEMS sont fabriqués monolithiquement.
Fabrication de nanofils de silicium (Si NWs) monocristallins suspendus de moins de 300 nm pour capteurs de nouvelle génération haute performance par Basit Ali (DWL 66+)
Réseau de nanofils de silicium avec différentes dimensions critiques, fabriqué sur substrat Si. La CD minimale disponible en plan de 250 nm, avec une longueur de nanofil d’un ordre de grandeur supérieur, démontre le motif de nanofil Si 1D à fort rapport d’aspect.
Système de piégeage microfluidique monocellulaire pour étudier la dynamique d’une cellule immunitaire T unique par Wei-Che Chang (MLA 150)
Vue d’ensemble du piège monocellulaire multiplexé sur la plaquette de silicium. Image microscopique d’un réseau cellulaire avec 200 pièges monocellulaires.
Système de piégeage microfluidique monocellulaire pour étudier la dynamique d’une cellule immunitaire T unique par Wei-Che Chang (MLA 150)
Image rapprochée du piège monocellulaire multiplexé sur la plaquette de silicium. Le piège est fabriqué par la méthode de lithographie à double exposition (DEL).
Système de piégeage microfluidique monocellulaire pour étudier la dynamique d’une cellule immunitaire T unique par Wei-Che Chang (MLA 150)
Image microscopique d’une cellule Jurkat unique capturée dans la puce microfluidique fabriquée en PDMS. Les cellules de cette expérience ont été marquées avec le colorant CellTrackerTM Green CMFDA. L’image a été acquise par microscopie confocale.
Recuit laser en écriture directe en niveaux de gris de films minces magnétiques par Lauren Riddiford (DWL 66+)
Motif en niveaux de gris utilisée comme entrée pour l’exposition.
Recuit laser en écriture directe en niveaux de gris de films minces magnétiques par Lauren Riddiford (DWL 66+)
Sortie du design après exposition sur un film magnétique. Les zones claires présentent une aimantation orientée hors du plan, tandis que les zones sombres n’ont aucune composante d’aimantation hors du plan.
Dispositifs GaN : réseau de ponts d’air en or fabriqué par Shonkho Shuvro (µPG501)
Ponts d’air en or électrodéposés sur Si, fabriqués après un procédé de lithographie double impliquant le reflux de résine.
Dispositifs GaN : réseau de ponts d’air en or fabriqué par Shonkho Shuvro (µPG501)
Ponts d’air en or électrodéposés sur Si, fabriqués après un procédé de lithographie double impliquant le reflux de résine.
Nanotopographies en niveaux de gris combinant t-SPL et nanoimpression pour la nanoélectronique 2D par Berke Erbas & Xia Liu (NanoFrazor)
Une monocouche de MoS₂ cultivée par CVD sur SiO₂ à motifs en niveaux de gris a été structurée en canaux FET 2D, avec des électrodes source et drain ajoutées par métallisation lift-off.
Nanotopographies en niveaux de gris combinant t-SPL et nanoimpression pour la nanoélectronique 2D par Berke Erbas & Xia Liu (NanoFrazor)
Des nanopatrons sinusoïdaux en SiO₂ de haute précision (pas de 400 nm, profondeur de 100–150 nm) ont été amplifiés à partir de polymères, tout en maintenant des surfaces lisses pour des applications de nanoimpression ou de contrainte de matériaux 2D.
Nanotopographies en niveaux de gris combinant t-SPL et nanoimpression pour la nanoélectronique 2D par Berke Erbas & Xia Liu (NanoFrazor)
Une monocouche exfoliée de MoS₂ est transférée sur un oxyde de grille conçu avec des ondes sinusoïdales modulées en deux dimensions, induisant une contrainte dans le matériau atomiquement mince.
Dispositif microfluidique pour la biologie synthétique créé à partir d’un moule SU-8 par Kei Ikemori et le Prof. Yuichi Wakamoto (µMLA)
Des microchambres fabriquées en PDMS à l’aide d’un moule SU-8 provenant d’un µMLA ont hébergé des E. coli fluorescents avec des circuits génétiques synthétiques. La fluorescence coopérative a formé un motif ondulé autour du logo Heidelberg Instruments.
Réseaux optiques sur puces atomiques pour étendre les fonctions microtechnologiques et créer un laboratoire quantique intégré par Sascha de Wall (DWL 66+)
Pour les systèmes compacts de condensat de Bose-Einstein, un réseau optique nanostructuré — gravé dans le Si après avoir été structuré avec un DWL 66+ et revêtu d’Al — crée un piège magnéto-optique à réseau qui simplifie les dispositifs de refroidissement des atomes.
Fabrication de nano-circuits semi-conducteurs en MoS₂ par Giorgio Zambito (NanoFrazor)
Nano-circuit en MoS₂ en forme de logo DIFILab, fabriqué avec un NanoFrazor Scholar. La cartographie AFM conductrice montre une conductivité bien définie à l’échelle nanométrique, soulignant le potentiel des TMD 2D pour la nanoélectronique.
