Capteurs

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Les dispositifs d'écriture directe de Heidelberg Instruments redéfinissent la conception des capteurs avec une flexibilité et une précision inégalées.

  • Description

  • Les graveurs directs de Heidelberg Instruments permettent une grande précision, ce qui les rend appropriés pour les capteurs avec des détails fins et des géométries complexes (séries VPG & DWL). Ils peuvent travailler avec une grande variété de matériaux, y compris les polymères, les métaux et les céramiques. Cette flexibilité est avantageuse pour créer des capteurs avec diverses couches fonctionnelles et optimiser les propriétés des matériaux pour des applications de détection spécifiques.

    Les systèmes de lithographie sans masque sont des outils précieux pour le prototypage rapide de capteurs. Les chercheurs et les ingénieurs peuvent rapidement itérer et tester différentes configurations de capteurs sans devoir procéder à des changements de masque fastidieux ou à des configurations de lithographie complexes(VPG 300 DI, série MLA).

    La lithographie thermique par sonde à balayage avec des capacités de résolution aussi fines que 20 nm a le potentiel d’augmenter la sensibilité du capteur fabriqué. Elle ouvre de nouvelles possibilités pour le développement de capteurs sophistiqués et d’autres technologies à l’échelle nanométrique.

  • Requirements

  • Solutions

  • Recouvrement précis

    en utilisant des marques d’alignement ou non. La couche structurée fonctionnelle peut être utilisée comme référence (NanoFrazor, µMLA, MLA 150).

    Résolution ultra-haute (15 nm) sans correction de l'effet de proximité

    (NanoFrazor)

    Haute résolution

    Taille minimale des caractéristiques 300 nm (DWL 66+) 500 nm (VPG 300 DI)

    Plusieurs longueurs d'onde disponibles

    entre 355 nm et 405 nm (rédacteurs directs)

Les graveurs directs de Heidelberg Instruments permettent une grande précision, ce qui les rend appropriés pour les capteurs avec des détails fins et des géométries complexes (séries VPG & DWL). Ils peuvent travailler avec une grande variété de matériaux, y compris les polymères, les métaux et les céramiques. Cette flexibilité est avantageuse pour créer des capteurs avec diverses couches fonctionnelles et optimiser les propriétés des matériaux pour des applications de détection spécifiques.

Les systèmes de lithographie sans masque sont des outils précieux pour le prototypage rapide de capteurs. Les chercheurs et les ingénieurs peuvent rapidement itérer et tester différentes configurations de capteurs sans devoir procéder à des changements de masque fastidieux ou à des configurations de lithographie complexes(VPG 300 DI, série MLA).

La lithographie thermique par sonde à balayage avec des capacités de résolution aussi fines que 20 nm a le potentiel d’augmenter la sensibilité du capteur fabriqué. Elle ouvre de nouvelles possibilités pour le développement de capteurs sophistiqués et d’autres technologies à l’échelle nanométrique.

Recouvrement précis

en utilisant des marques d’alignement ou non. La couche structurée fonctionnelle peut être utilisée comme référence (NanoFrazor, µMLA, MLA 150).

Résolution ultra-haute (15 nm) sans correction de l'effet de proximité

(NanoFrazor)

Haute résolution

Taille minimale des caractéristiques 300 nm (DWL 66+) 500 nm (VPG 300 DI)

Plusieurs longueurs d'onde disponibles

entre 355 nm et 405 nm (rédacteurs directs)

Application images

mr-DWL exposed with a DWL 66+ with 405nm wavelength; comb of lines with varying lengths (linewidth & gap 50 µm)
mr-DWL exposed with a DWL 66+ with 405nm wavelength; comb of lines with varying lengths (linewidth & gap 50 µm)
Fabrication of sensor and digital circuits as part of the research made in the direction of flexible electronics. Multi-Layer thin-film transistor made of six different materials. (Courtesy of Instituto Politécnico Nacional (IPN), Mexico)
Fabrication of sensor and digital circuits as part of the research made in the direction of flexible electronics. Multi-Layer thin-film transistor made of six different materials. (Courtesy of Instituto Politécnico Nacional (IPN), Mexico)
Pattern exposed in AZ positive resist (~3µm) aligned to a pattern structured in a wafer. The structured wafer contains a stack of three metals.
Pattern exposed in AZ positive resist (~3µm) aligned to a pattern structured in a wafer. The structured wafer contains a stack of three metals.
Part of Bolometer, 500nm gap in 700nm AZ MIR 701 positive resist. Courtesy of Tian Yuan Global Corp.
Part of Bolometer, 500nm gap in 700nm AZ MIR 701 positive resist. Courtesy of Tian Yuan Global Corp.
Part of Bolometer, 750nm gap in 700nm AZ MIR 701 positive resist. Courtesy of Tian Yuan Global Corp.
Part of Bolometer, 750nm gap in 700nm AZ MIR 701 positive resist. Courtesy of Tian Yuan Global Corp.
SQUID (Superconducting QUantum Interference Device) made with up to 18 layers process (Lift-off, plating, etching). Critical alignment requirements through thick layers. Yield increased by a factor 3 compared to mask aligners. (Courtesy of Kirchhoff Institute for Physics, Heidelberg)
SQUID (Superconducting QUantum Interference Device) made with up to 18 layers process (Lift-off, plating, etching). Critical alignment requirements through thick layers. Yield increased by a factor 3 compared to mask aligners. (Courtesy of Kirchhoff Institute for Physics, Heidelberg)
Overlay exposure of a 5x5 Matrix of image sensors in SiGe SPADs (Single Photon Avallanche Diode) (Courtesy of IMS Chips)
Overlay exposure of a 5x5 Matrix of image sensors in SiGe SPADs (Single Photon Avallanche Diode) (Courtesy of IMS Chips)
Line Detector in SiGe-SPADs (single photon avalanche diodes made of silicon-germanium) - SEM cross-section (Courtesy of IMS Chips)
Line Detector in SiGe-SPADs (single photon avalanche diodes made of silicon-germanium) - SEM cross-section (Courtesy of IMS Chips)
Structured photoresist of the Metal conductor tracks for SiGe-SPADs (single photon avalanche diodes made of silicon-germanium) (Courtesy of IMS Chips)
Structured photoresist of the Metal conductor tracks for SiGe-SPADs (single photon avalanche diodes made of silicon-germanium) (Courtesy of IMS Chips)
Freeform optic printed on-device: a EEL (Edge Emitting Laser), used for Beam Shaping in Sensors. (Courtesy of nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH)
Freeform optic printed on-device: a EEL (Edge Emitting Laser), used for Beam Shaping in Sensors. (Courtesy of nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH)
An SEM image of a 20 nm gap in between two metal electrodes patterned by NanoFrazor and transferred via a 3-layer lift-off process
An SEM image of a 20 nm gap in between two metal electrodes patterned by NanoFrazor and transferred via a 3-layer lift-off process

suitable Systems

MLA 150

  • Aligneur sans masque

L’outil sans masque le plus rapide pour le prototypage rapide, l’alternative aux aligneurs de masques. Parfait pour la lithographie binaire standard.

Aligneur sans masque de table µMLA

µMLA

  • Aligneur sans masque

Aligneur de table configurable et compact, sans masque, avec modules de balayage matriciel et d’exposition vectorielle.

DWL 66+

  • Système de lithographie par laser à écriture directe

Notre système le plus polyvalent pour la recherche et le prototypage avec une résolution variable et un large choix d’options.

NanoFrazor tabletop

NanoFrazor

  • Système de lithographie par sonde à balayage thermique

Polyvalent et modulaire outil combiner Sonde de balayage thermique Lithographie, la sublimation sublimation laser directe et l’automatisation l’automatisation pour de pointede pointe. R&D.

VPG+ 200, VPG+ 400 et VPG+ 800

  • Générateur de volume

Outils de production puissants pour les photomasques et les microstructures standard dans les résines i-line.

VPG 300 DI Imagerie directe sans masque

VPG 300 DI

  • Pas à pas sans masque

Imageur direct sans masque pour les microstructures de haute précision et de haute résolution.

Rédacteur de masques pour semi-conducteurs ULTRA

ULTRA

  • Rédacteur de masques laser

Outil spécialement conçu pour produire des photomasques semi-conducteurs matures.

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