Relación de aspecto elevada

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Relaciones de aspecto de hasta 40:1 en SU-8

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  • Las áreas de aplicación, como los MEMS y la microfluídica, suelen requerir microestructuras con una elevada relación de aspecto. Nuestros sistemas de litografía de escritura directa pueden exponer directamente capas gruesas de resistivo, como el SU-8, manteniendo una pared lateral vertical. Esto es posible ajustando la pupila de entrada de la lente, lo que aumenta la DoF, reduciendo así la apertura numérica que permite alcanzar relaciones de aspecto de hasta 40:1. A continuación, se pueden producir características con una resolución lateral y una relación de aspecto ultraelevadas mediante la amplificación del grabado con RIE.

Las áreas de aplicación, como los MEMS y la microfluídica, suelen requerir microestructuras con una elevada relación de aspecto. Nuestros sistemas de litografía de escritura directa pueden exponer directamente capas gruesas de resistivo, como el SU-8, manteniendo una pared lateral vertical. Esto es posible ajustando la pupila de entrada de la lente, lo que aumenta la DoF, reduciendo así la apertura numérica que permite alcanzar relaciones de aspecto de hasta 40:1. A continuación, se pueden producir características con una resolución lateral y una relación de aspecto ultraelevadas mediante la amplificación del grabado con RIE.

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These high aspect ratio pillars with a diameter of 10 µm were patterned on the MLA 150.
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High-resolution features written 35nm deep into PPA using the NanoFrazor Explore and amplified to 4 µm depth in Si using two reactive ion etching steps. (Courtesy LMIS1 at EPFL, publication Lisunova MEE 2017)
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800 µm thick SU-8 resist was exposed in one step using the MLA 150. The depth of field was optimized to achieve straight vertical walls over the full film thickness.
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Exposure of 10 µm thick resist (AZ 9260) with 2 µm and 4 µm lines and spaces. (Courtesy of CMi EPFL)
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Ultra-high resolution features with high aspect ratio in Si. The structures were written only a few nanometer deep into PPA with a NanoFrazor Explore. Using sequential infiltration synthesis processes and hard masks, the structures could be etched deep into Si while maintaining smooth walls. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)
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Suitable Systems

NanoFrazor tabletop

NanoFrazor

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Versátil y modular herramienta que combina Sonda de exploración térmica Litografía, Directo Sublimación Láser Directa avanzada automatización para corte-vanguardia I+D.

DWL 66+

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Nuestro sistema más versátil para investigación y creación de prototipos, con resolución variable y amplia selección de opciones.

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