Relación de aspecto elevada

CONTACTO

Relaciones de aspecto de hasta 40:1 en SU-8

  • Descripción

  • Las áreas de aplicación, como los MEMS y la microfluídica, requieren a menudo microestructuras que tengan una elevada relación de aspecto. Nuestros sistemas de Litografía de escritura directa pueden exponer directamente capas gruesas de resistivo, como el SU-8, manteniendo una pared lateral vertical. Esto es posible ajustando la pupila de entrada del objetivo, lo que aumenta la DoF, reduciendo así la apertura numérica que permite conseguir relaciones de aspecto de hasta 40:1. Se pueden producir características con una resolución lateral y una relación de aspecto ultraaltas mediante la amplificación del grabado con RIE.

Las áreas de aplicación, como los MEMS y la microfluídica, requieren a menudo microestructuras que tengan una elevada relación de aspecto. Nuestros sistemas de Litografía de escritura directa pueden exponer directamente capas gruesas de resistivo, como el SU-8, manteniendo una pared lateral vertical. Esto es posible ajustando la pupila de entrada del objetivo, lo que aumenta la DoF, reduciendo así la apertura numérica que permite conseguir relaciones de aspecto de hasta 40:1. Se pueden producir características con una resolución lateral y una relación de aspecto ultraaltas mediante la amplificación del grabado con RIE.

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Características de alta resolución escritas a 35 nm de profundidad en PPA con el NanoFrazor Explore y amplificadas a 4 µm de profundidad en silicio mediante dos pasos de grabado iónico reactivo. (Cortesía de LMIS1 en EPFL, publicación Lisunova MEE 2017)
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Estructuras de ultra alta resolución con una alta relación de aspecto en silicio. Las estructuras se escribieron a solo unos pocos nanómetros de profundidad en PPA utilizando NanoFrazor Explore. Mediante procesos de síntesis por infiltración secuencial y máscaras duras, se grabaron profundamente en el silicio manteniendo paredes lisas.
Estructuras de ultra alta resolución con una alta relación de aspecto en silicio. Las estructuras se escribieron a solo unos pocos nanómetros de profundidad en PPA utilizando NanoFrazor Explore. Mediante procesos de síntesis por infiltración secuencial y máscaras duras, se grabaron profundamente en el silicio manteniendo paredes lisas. (Courtesy of imec, publication Marneffe et al. in ACS Nano 2018)

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