Alta y Ultra Alta Resolución

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300 nm con Litografía Óptica y 15 nm con Litografía Térmica de Sonda de Barrido

  • Description

  • La resolución puede ser mucho más que el tamaño de rasgo más pequeño posible. Dependiendo de la aplicación, el factor decisivo para una alta resolución puede ser la densidad del rasgo, las restricciones en la geometría, la rugosidad de los bordes de línea o la uniformidad del CD.

    En la litografía de ultra alta resolución, para resoluciones inferiores a 100 nm de tamaño, el proceso real de elección de la resistencia y el grabado, así como la funcionalidad de la metrología, se convierten en factores críticos.

    Las especificaciones que proporcionamos para nuestros sistemas de litografía son conservadoras y fácilmente alcanzables durante la aceptación in situ, lo que significa que los resultados de exposición de nuestros sistemas podrían ser mejores de lo que se anuncia (como se muestra en algunos ejemplos).

    Nos esforzamos por llevar la tecnología a los límites físicos de la resolución. Nuestros sistemas ópticos pueden alcanzar dimensiones de hasta 300 nm, mientras que nuestro sistema de litografía de sonda de barrido térmico NanoFrazor puede lograr tamaños de rasgo aislado de 15 nm utilizando las puntas calentadas ultraafiladas.

La resolución puede ser mucho más que el tamaño de rasgo más pequeño posible. Dependiendo de la aplicación, el factor decisivo para una alta resolución puede ser la densidad del rasgo, las restricciones en la geometría, la rugosidad de los bordes de línea o la uniformidad del CD.

En la litografía de ultra alta resolución, para resoluciones inferiores a 100 nm de tamaño, el proceso real de elección de la resistencia y el grabado, así como la funcionalidad de la metrología, se convierten en factores críticos.

Las especificaciones que proporcionamos para nuestros sistemas de litografía son conservadoras y fácilmente alcanzables durante la aceptación in situ, lo que significa que los resultados de exposición de nuestros sistemas podrían ser mejores de lo que se anuncia (como se muestra en algunos ejemplos).

Nos esforzamos por llevar la tecnología a los límites físicos de la resolución. Nuestros sistemas ópticos pueden alcanzar dimensiones de hasta 300 nm, mientras que nuestro sistema de litografía de sonda de barrido térmico NanoFrazor puede lograr tamaños de rasgo aislado de 15 nm utilizando las puntas calentadas ultraafiladas.

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The 300 nm wide channel waveguide coupled to a ring resonator with a radius of 3 µm was written using the high-resolution write mode HiRes on the DWL 66+. Submicron waveguides, resonators and similar microstructures are used in optoelectronics to guide or study electromagnetic radiation. This design was created with the “Nanolithography Toolbox”, K.C. Balram et al., J. Res. natl. Inst. Stand. 121, pp. 464-475 (2016).
The 300 nm wide channel waveguide coupled to a ring resonator with a radius of 3 µm was written using the high-resolution write mode HiRes on the DWL 66+. Submicron waveguides, resonators and similar microstructures are used in optoelectronics to guide or study electromagnetic radiation. This design was created with the “Nanolithography Toolbox”, K.C. Balram et al., J. Res. natl. Inst. Stand. 121, pp. 464-475 (2016).
A tilted SEM image of nested L-structures etched into silicon. (Courtesy of IBM Research Zurich & Heidelberg Instruments Nano)
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A triangular array of alumina dots with diameter of approximately 16 nm was patterned via the high-resolution lift-off process. (Courtesy of Heidelberg Instruments Nano)
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A SEM image of a 20 nm gap in between two metal electrodes patterned by NanoFrazor and transferred via the high-resolution lift-off process. (Courtesy of Heidelberg Instruments Nano)
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Densely packed gold pillars for plasmonic applications. The PPA resist all around the pillars was removed by the heated NanoFrazor tip. Ar ion beam etching was applied to transfer the pillars into a 20 nm Au film.
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Lines and spaces with 13.8 nm half-pitch and 2.3 nm LER (3 sigma) in Si. The structures have been etched by reactive ion etching around 50 nm deep into Si from features written into PPA resist by NanoFrazor lithography. (Publication by Ryu et al., ACS Nano, 2017)
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Narrow and broader lines contacted to electrodes prepared by electron beam lithography. The pattern was deposited via the high-resolution lift-off process. (Courtesy of Bojun Cheng, ETH Zurich & Heidelberg Instruments Nano)
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500 nm lines and spaces patterned with the DWL 66+ and etched into a chrome photo mask.
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An ultra-high resolution lift-off process was applied after NanoFrazor lithography in PPA to deposit well defined ellipses made of SiO2 on top of a granular magnetic material.
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Gap between two metal electrodes made with NanoFrazor lithography in PPA resist and a simple lift-off process.
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NanoFrazor lithography at its (current) limits. The NanoFrazor AFM image shows inlets with 8.7 nm half-pitch written 2-4 nm deep into PPA. (Pattern transfer was not demonstrated yet at this high feature density PPA structures.)
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High-resolution asymmetrical rings transferred into a gold film via ion beam etching. (Courtesy of Heidelberg Instruments Nano)
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