La herramienta de litografía en escala de grises a nivel industrial
Aplicaciones para clientes
Por qué los clientes eligen nuestros sistemas
“Desde que nuestra instalación de sala blanca abierta Nanotechnology Hub de la Universidad de Kioto (Nano-hub) se puso en marcha en 2011, el DWL 2000 es una de las máquinas más populares para los usuarios de Nano-hub, tanto del mundo académico como de la industria. Cada año, más de 50 usuarios utilizan el DWL para litografía binaria y en escala de grises en escritura directa de fotomáscaras y obleas. Agradecemos al DWL su alto rendimiento para adoptar diversas peticiones de los usuarios y ampliar la capacidad de nuestras instalaciones desde semiconductores y MEMS hasta dispositivos microfluídicos y microsistemas fisiológicos.”
Datos técnicos
| Modo de escritura | I | II | III | IV | V |
|---|---|---|---|---|---|
| Rendimiento de escritura – Escala de grises | |||||
| Rejilla de píxeles escala de grises [nm] | 100 | 200 | 250 | 500 | 1000 |
| Velocidad de escritura con láser de diodo [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| Velocidad de escritura con láser de alta potencia [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| Dosis máxima [mJ/cm²] | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| Superposición [3σ, nm] (más de 8" x 8") | 300 | 300 | 300 | 300 | 300 |
| Tiempo de exposición DWL 4000 GS: Para 400 mm x 400 mm [horas] | 223 | 54 | 36 | 10 | 3 |
| Rendimiento de escritura – Binario | 5600 | 1400 | 900 | 225 | 50 |
| Tamaño mínimo de la característica [µm] | 0.5 | 0.7 | 0.8 | 1 | 2 |
| Líneas y espacios mínimos [µm] | 0.7 | 0.9 | 1 | 1.5 | 3 |
| Dirección Cuadrícula [nm] | 5 | 10 | 12.5 | 25 | 50 |
| Rugosidad del borde [3σ, nm] | 40 | 50 | 60 | 80 | 110 |
| Uniformidad CD [3σ, nm] | 60 | 70 | 80 | 130 | 180 |
| Registro [3σ, nm] | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Velocidad de escritura con láser de diodo [mm²/min] | 12 | 50 | 75 | 270 | 870 |
| Velocidad de escritura con láser de alta potencia [mm²/min] | 30 | 110 | 165 | 550 | 1600 |
| Características del sistema | |
|---|---|
| Fuente de luz | Láser de diodo o láser semiconductor de alta potencia de 405 nm |
| Tamaño máximo del sustrato | DWL 2000 GS: 9″ x 9″ / DWL 4000 GS: 17″ x 17″ |
| Grosor del sustrato | 0 a 12 mm |
| Área máxima de exposición | DWL 2000 GS: 200 x 200 mm² / DWL 4000 GS: 400 x 400 mm² |
| Caja de flujo de temperatura controlada | Estabilidad de temperatura ± 0,1°, entorno ISO 4 |
| Enfoque automático en tiempo real | Autoenfoque óptico o autoenfoque por calibre de aire |
| Rango de compensación del enfoque automático | 80 μm |
| Dimensiones del sistema | |
| Unidad litográfica (anchura × profundidad × altura); peso | 2605 mm × 1652 mm × 2102 mm; 3000 kg |
| Rack electrónico (anchura × profundidad × altura); peso | 800 mm × 650 mm × 1800 mm; 180 kg |
| Requisitos de instalación | |
| Eléctrico | 400 VCA ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A |
| Aire comprimido | 6 - 10 bar |
| Sala blanca | Se recomienda ISO 6 o superior |
