Diseñado para producir fotomáscaras semiconductoras maduras
Customer applications
Technical Data
| Modo QX | Modo FX | |
|---|---|---|
| Rendimiento de escritura | ||
| Cuadrícula de direcciones [nm] | 4 | 10 |
| Rugosidad del borde de la línea [3σ, nm] | 20 | 40 |
| Precisión de posición [3σ, nm] | 40 | 80 |
| Superposición [3σ, nm] | 30 | 60 |
| Costura [3σ, nm] | 20 | 60 |
| Alineación 2ª capa [error máx / nm] | 100 | 100 |
| Uniformidad CD [3σ, nm] | 30 | 60 |
| Tamaño mínimo del rasgo [nm] | 500 | 700 |
| Velocidad de escritura [mm² / min] | 325 | 580 |
| Tiempo de escritura para 6″ x 6″ [min] | 75 | 45 |
| Operación | |
|---|---|
| Interfaz de usuario (software) | GUI conforme a SEMI |
| Área máxima de escritura | 228 x 228 mm² (otros bajo pedido) |
| Tamaño del sustrato | Máscaras de 4", 5", 6", 7" y 9" (más grandes y otros sustratos bajo pedido) |
| Características del sistema | |
| Óptica | Lente objetivo de 0,9 NA Óptica UV de baja distorsión Rutinas de calibración automática |
| Láser | Láser de estado sólido de alta potencia bombeado por diodos con una longitud de onda de 355 nm |
| Sistema de enfoque | Autoenfoque óptico en tiempo real |
| Alineación | Sistema de cámara Compensación de la distorsión Alineación global y campo a campo Detector de bordes |
| Ruta de datos | Compresión en tiempo real Concepto de hardware escalable Formatos de entrada: Todos los formatos estándar, por ejemplo GDSII y Jobdeck |
| Modulador espacial de luz | Frecuencia 350 kHz Velocidad de transmisión de datos 2,4 GB/s |
| Automatización | Manipulación totalmente automática de máscaras con dos estaciones portadoras de hasta 9"; protocolos SECS/GEM opcionales |
| Dimensiones del sistema | Sistema / Bastidor electrónico |
| Anchura [mm] | 2995 / 800 |
| Profundidad [mm] | 1652 / 650 |
| Altura [mm] | 2102 / 1800 |
| Peso [kg] | 3400 / 180 |
| Requisitos de instalación | |
| Eléctrico | 400 VCA ± 5%, 50/60 Hz, 16 A, 3 fases |
| Aire comprimido | 7 - 10 bar (sin aceite ni otros residuos) |
