DWL 66+ Sistema de litografía láser

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La herramienta definitiva para la investigación litográfica

  • Descripción del producto

  • El DWL 66+ ofrece una versatilidad sin igual, capacidades de escala de grises de nivel profesional y la resolución más alta de cualquier sistema láser de escritura directa del mercado.

    Como sistema muy versátil, el DWL 66+ está diseñado para I+D y la creación de prototipos rápidos en MEMS, microelectrónica, microfluidos, sensores, óptica, fotónica, fotovoltaica, ciencias de los materiales, dispositivos cuánticos… prácticamente cualquier aplicación que requiera la fabricación de microestructuras.

    Características clave

    • Modo de alta resolución con un tamaño mínimo de la característica de 200 nm: Nuestro modo de escritura XR ofrece una combinación insuperable de resolución, calidad y velocidad.
    • Escala de grises con 65.536 niveles: Permite exposiciones en escala de grises con una calidad de superficie excepcional en resistencias de hasta 150 µm de grosor.
    • Configuración del sistema totalmente personalizable: 30 años de desarrollo continuo y más de 400 unidades instaladas hacen del DWL 66+ el sistema más versátil y probado del mercado.

    Lleva tu litografía óptica a un nuevo nivel

    El DWL 66+ no es sólo un sustituto de tu alineador de máscaras: es una mejora que ofrece un nuevo nivel de precisión, resolución y fidelidad de la estructura. Este sistema sin máscara reducirá drásticamente el tiempo necesario para desarrollar nuevos dispositivos y ofrecerá nuevas posibilidades.

    • Cambios de diseño instantáneos: Modifica tu archivo CAD y empieza a exponer inmediatamente. Sin costes, esfuerzo, tiempo de espera ni riesgos de seguridad relacionados con las máscaras.
    • Compatibilidad con diversos sustratos: El DWL 66+ expone no sólo en chips u obleas estándar, sino en sustratos de cualquier material, tamaño, grosor o forma, incluidas las superficies curvas.
    • Reduce la carga de trabajo de tu sistema de litografía de haz electrónico: En muchos casos, el DWL 66+ puede realizar exposiciones que antes requerían un sistema de litografía de haz electrónico, liberando tu haz electrónico para tareas más exigentes.

    Calidad de exposición sin concesiones

    El DWL 66+ está diseñado para I+D, pero incorpora tecnologías principales de nuestros sistemas de producción industrial para garantizar el máximo nivel de precisión y reproducibilidad.

    • Entorno controlado: El sistema DWL 66+ incluye una caja de flujo laminar para minimizar la contaminación por partículas y garantizar la estabilidad térmica durante las exposiciones.
    • Control de posición interferométrico: Un interferómetro de alta resolución en combinación con una corrección de la posición del haz en tiempo real garantiza la precisión de colocación del patrón y la fidelidad de la estructura.
    • Sistema de autoenfoque en tiempo real: El DWL 66+ incluye el sistema de autoenfoque óptico habitual, pero está mejorado con un sistema de autoenfoque secundario propio que funciona independientemente de la respuesta óptica. Esto permite un enfoque preciso incluso en sustratos transparentes o de baja reflectividad.

    Combinación optimizada de calidad y productividad

    El DWL 66+ no compromete la calidad de la exposición para aumentar el rendimiento. La velocidad de escritura se especifica para el ajuste de calidad más alto y el tiempo de escritura no dependerá del factor de relleno, la forma o el número de estructuras dentro del área de exposición.

    • Modos de escritura intercambiables: Cambia fácilmente entre los modos de escritura para optimizar la resolución y el rendimiento de tu aplicación.
    • Software y hardware propios: La intuitiva interfaz de usuario, combinada con la preparación optimizada del diseño y la rápida conversión de datos, permite un flujo de trabajo rápido desde la configuración hasta la exposición.
    • Automatización total: El funcionamiento de la DWL 66+ puede automatizarse por completo, con alineación automática por delante o por detrás y un sistema de manipulación de casete a casete.

    El DWL 66+ ofrece una versatilidad sin igual, capacidades de escala de grises de nivel profesional y la resolución más alta de cualquier sistema láser de escritura directa del mercado.

    Como sistema muy versátil, el DWL 66+ está diseñado para I+D y la creación de prototipos rápidos en MEMS, microelectrónica, microfluidos, sensores, óptica, fotónica, fotovoltaica, ciencias de los materiales, dispositivos cuánticos… prácticamente cualquier aplicación que requiera la fabricación de microestructuras.

    Características clave

    • Modo de alta resolución con un tamaño mínimo de la característica de 200 nm: Nuestro modo de escritura XR ofrece una combinación insuperable de resolución, calidad y velocidad.
    • Escala de grises con 65.536 niveles: Permite exposiciones en escala de grises con una calidad de superficie excepcional en resistencias de hasta 150 µm de grosor.
    • Configuración del sistema totalmente personalizable: 30 años de desarrollo continuo y más de 400 unidades instaladas hacen del DWL 66+ el sistema más versátil y probado del mercado.

    Lleva tu litografía óptica a un nuevo nivel

    El DWL 66+ no es sólo un sustituto de tu alineador de máscaras: es una mejora que ofrece un nuevo nivel de precisión, resolución y fidelidad de la estructura. Este sistema sin máscara reducirá drásticamente el tiempo necesario para desarrollar nuevos dispositivos y ofrecerá nuevas posibilidades.

    • Cambios de diseño instantáneos: Modifica tu archivo CAD y empieza a exponer inmediatamente. Sin costes, esfuerzo, tiempo de espera ni riesgos de seguridad relacionados con las máscaras.
    • Compatibilidad con diversos sustratos: El DWL 66+ expone no sólo en chips u obleas estándar, sino en sustratos de cualquier material, tamaño, grosor o forma, incluidas las superficies curvas.
    • Reduce la carga de trabajo de tu sistema de litografía de haz electrónico: En muchos casos, el DWL 66+ puede realizar exposiciones que antes requerían un sistema de litografía de haz electrónico, liberando tu haz electrónico para tareas más exigentes.

    Calidad de exposición sin concesiones

    El DWL 66+ está diseñado para I+D, pero incorpora tecnologías principales de nuestros sistemas de producción industrial para garantizar el máximo nivel de precisión y reproducibilidad.

    • Entorno controlado: El sistema DWL 66+ incluye una caja de flujo laminar para minimizar la contaminación por partículas y garantizar la estabilidad térmica durante las exposiciones.
    • Control de posición interferométrico: Un interferómetro de alta resolución en combinación con una corrección de la posición del haz en tiempo real garantiza la precisión de colocación del patrón y la fidelidad de la estructura.
    • Sistema de autoenfoque en tiempo real: El DWL 66+ incluye el sistema de autoenfoque óptico habitual, pero está mejorado con un sistema de autoenfoque secundario propio que funciona independientemente de la respuesta óptica. Esto permite un enfoque preciso incluso en sustratos transparentes o de baja reflectividad.

    Combinación optimizada de calidad y productividad

    El DWL 66+ no compromete la calidad de la exposición para aumentar el rendimiento. La velocidad de escritura se especifica para el ajuste de calidad más alto y el tiempo de escritura no dependerá del factor de relleno, la forma o el número de estructuras dentro del área de exposición.

    • Modos de escritura intercambiables: Cambia fácilmente entre los modos de escritura para optimizar la resolución y el rendimiento de tu aplicación.
    • Software y hardware propios: La intuitiva interfaz de usuario, combinada con la preparación optimizada del diseño y la rápida conversión de datos, permite un flujo de trabajo rápido desde la configuración hasta la exposición.
    • Automatización total: El funcionamiento de la DWL 66+ puede automatizarse por completo, con alineación automática por delante o por detrás y un sistema de manipulación de casete a casete.

    > 400 sistemas instalados

  • Productos destacados

  • La Resolución más Alta del Mercado

    Alcanza un tamaño mínimo de característica de 200 nm.

    Capacidad avanzada de Escala de grises

    Ofrece hasta 65.536 niveles de gris, con el apoyo de un potente software de diseño.

    Alto rendimiento

    Expone una oblea de 15 cm en tan sólo 10 minutos.

    Tecnología probada

    400 sistemas instalados en todo el mundo.

  • Módulos disponibles

  • 6 Modos de escritura

    Los tamaños mínimos de la característica, de 200 nm a 4 µm, te permiten optimizar el rendimiento de tu aplicación.

    3 Modos de Escala de grises

    Hasta 65.536 niveles de gris, potente software de diseño e interfaz de software GenISys BEAMER.

    Longitud de onda de exposición

    Láser de diodo a 375 nm o 405 nm.

    Sistema de autoenfoque dual

    Incluye tanto un autoenfoque óptico como un sistema neumático patentado, que garantiza un enfoque perfecto sobre cualquier sustrato, incluidos los materiales transparentes o de baja reflectividad.

    Manipulación flexible de sustratos

    Admite tamaños del sustrato desde piezas de 3 mm hasta obleas de 230 mm.

    Opción de alineación de alta precisión

    Mejora la estabilidad térmica y el posicionamiento para las aplicaciones más exigentes, consiguiendo una precisión de alineación de la segunda capa de 350 nm.

    Módulo de exposición de forma libre

    Permite exposiciones en sustratos no planos (p. ej., lentes convexas/cóncavas) con tamaños de rasgo de hasta 3 µm.

    Modo de exposición vectorial

    Ideal para modelar estructuras y formas que requieren curvas y contornos suaves y continuos.

    Cargador totalmente automático

    Manipulación automatizada de casete a casete para máscaras de hasta 7 pulgadas y obleas de hasta 8 pulgadas. También hay disponibles una segunda estación de casetes, un prealineador y un escáner de obleas opcionales.

El DWL 66+ ofrece una versatilidad sin igual, capacidades de escala de grises de nivel profesional y la resolución más alta de cualquier sistema láser de escritura directa del mercado.

Como sistema muy versátil, el DWL 66+ está diseñado para I+D y la creación de prototipos rápidos en MEMS, microelectrónica, microfluidos, sensores, óptica, fotónica, fotovoltaica, ciencias de los materiales, dispositivos cuánticos… prácticamente cualquier aplicación que requiera la fabricación de microestructuras.

Características clave

  • Modo de alta resolución con un tamaño mínimo de la característica de 200 nm: Nuestro modo de escritura XR ofrece una combinación insuperable de resolución, calidad y velocidad.
  • Escala de grises con 65.536 niveles: Permite exposiciones en escala de grises con una calidad de superficie excepcional en resistencias de hasta 150 µm de grosor.
  • Configuración del sistema totalmente personalizable: 30 años de desarrollo continuo y más de 400 unidades instaladas hacen del DWL 66+ el sistema más versátil y probado del mercado.

Lleva tu litografía óptica a un nuevo nivel

El DWL 66+ no es sólo un sustituto de tu alineador de máscaras: es una mejora que ofrece un nuevo nivel de precisión, resolución y fidelidad de la estructura. Este sistema sin máscara reducirá drásticamente el tiempo necesario para desarrollar nuevos dispositivos y ofrecerá nuevas posibilidades.

  • Cambios de diseño instantáneos: Modifica tu archivo CAD y empieza a exponer inmediatamente. Sin costes, esfuerzo, tiempo de espera ni riesgos de seguridad relacionados con las máscaras.
  • Compatibilidad con diversos sustratos: El DWL 66+ expone no sólo en chips u obleas estándar, sino en sustratos de cualquier material, tamaño, grosor o forma, incluidas las superficies curvas.
  • Reduce la carga de trabajo de tu sistema de litografía de haz electrónico: En muchos casos, el DWL 66+ puede realizar exposiciones que antes requerían un sistema de litografía de haz electrónico, liberando tu haz electrónico para tareas más exigentes.

Calidad de exposición sin concesiones

El DWL 66+ está diseñado para I+D, pero incorpora tecnologías principales de nuestros sistemas de producción industrial para garantizar el máximo nivel de precisión y reproducibilidad.

  • Entorno controlado: El sistema DWL 66+ incluye una caja de flujo laminar para minimizar la contaminación por partículas y garantizar la estabilidad térmica durante las exposiciones.
  • Control de posición interferométrico: Un interferómetro de alta resolución en combinación con una corrección de la posición del haz en tiempo real garantiza la precisión de colocación del patrón y la fidelidad de la estructura.
  • Sistema de autoenfoque en tiempo real: El DWL 66+ incluye el sistema de autoenfoque óptico habitual, pero está mejorado con un sistema de autoenfoque secundario propio que funciona independientemente de la respuesta óptica. Esto permite un enfoque preciso incluso en sustratos transparentes o de baja reflectividad.

Combinación optimizada de calidad y productividad

El DWL 66+ no compromete la calidad de la exposición para aumentar el rendimiento. La velocidad de escritura se especifica para el ajuste de calidad más alto y el tiempo de escritura no dependerá del factor de relleno, la forma o el número de estructuras dentro del área de exposición.

  • Modos de escritura intercambiables: Cambia fácilmente entre los modos de escritura para optimizar la resolución y el rendimiento de tu aplicación.
  • Software y hardware propios: La intuitiva interfaz de usuario, combinada con la preparación optimizada del diseño y la rápida conversión de datos, permite un flujo de trabajo rápido desde la configuración hasta la exposición.
  • Automatización total: El funcionamiento de la DWL 66+ puede automatizarse por completo, con alineación automática por delante o por detrás y un sistema de manipulación de casete a casete.

El DWL 66+ ofrece una versatilidad sin igual, capacidades de escala de grises de nivel profesional y la resolución más alta de cualquier sistema láser de escritura directa del mercado.

Como sistema muy versátil, el DWL 66+ está diseñado para I+D y la creación de prototipos rápidos en MEMS, microelectrónica, microfluidos, sensores, óptica, fotónica, fotovoltaica, ciencias de los materiales, dispositivos cuánticos… prácticamente cualquier aplicación que requiera la fabricación de microestructuras.

Características clave

  • Modo de alta resolución con un tamaño mínimo de la característica de 200 nm: Nuestro modo de escritura XR ofrece una combinación insuperable de resolución, calidad y velocidad.
  • Escala de grises con 65.536 niveles: Permite exposiciones en escala de grises con una calidad de superficie excepcional en resistencias de hasta 150 µm de grosor.
  • Configuración del sistema totalmente personalizable: 30 años de desarrollo continuo y más de 400 unidades instaladas hacen del DWL 66+ el sistema más versátil y probado del mercado.

Lleva tu litografía óptica a un nuevo nivel

El DWL 66+ no es sólo un sustituto de tu alineador de máscaras: es una mejora que ofrece un nuevo nivel de precisión, resolución y fidelidad de la estructura. Este sistema sin máscara reducirá drásticamente el tiempo necesario para desarrollar nuevos dispositivos y ofrecerá nuevas posibilidades.

  • Cambios de diseño instantáneos: Modifica tu archivo CAD y empieza a exponer inmediatamente. Sin costes, esfuerzo, tiempo de espera ni riesgos de seguridad relacionados con las máscaras.
  • Compatibilidad con diversos sustratos: El DWL 66+ expone no sólo en chips u obleas estándar, sino en sustratos de cualquier material, tamaño, grosor o forma, incluidas las superficies curvas.
  • Reduce la carga de trabajo de tu sistema de litografía de haz electrónico: En muchos casos, el DWL 66+ puede realizar exposiciones que antes requerían un sistema de litografía de haz electrónico, liberando tu haz electrónico para tareas más exigentes.

Calidad de exposición sin concesiones

El DWL 66+ está diseñado para I+D, pero incorpora tecnologías principales de nuestros sistemas de producción industrial para garantizar el máximo nivel de precisión y reproducibilidad.

  • Entorno controlado: El sistema DWL 66+ incluye una caja de flujo laminar para minimizar la contaminación por partículas y garantizar la estabilidad térmica durante las exposiciones.
  • Control de posición interferométrico: Un interferómetro de alta resolución en combinación con una corrección de la posición del haz en tiempo real garantiza la precisión de colocación del patrón y la fidelidad de la estructura.
  • Sistema de autoenfoque en tiempo real: El DWL 66+ incluye el sistema de autoenfoque óptico habitual, pero está mejorado con un sistema de autoenfoque secundario propio que funciona independientemente de la respuesta óptica. Esto permite un enfoque preciso incluso en sustratos transparentes o de baja reflectividad.

Combinación optimizada de calidad y productividad

El DWL 66+ no compromete la calidad de la exposición para aumentar el rendimiento. La velocidad de escritura se especifica para el ajuste de calidad más alto y el tiempo de escritura no dependerá del factor de relleno, la forma o el número de estructuras dentro del área de exposición.

  • Modos de escritura intercambiables: Cambia fácilmente entre los modos de escritura para optimizar la resolución y el rendimiento de tu aplicación.
  • Software y hardware propios: La intuitiva interfaz de usuario, combinada con la preparación optimizada del diseño y la rápida conversión de datos, permite un flujo de trabajo rápido desde la configuración hasta la exposición.
  • Automatización total: El funcionamiento de la DWL 66+ puede automatizarse por completo, con alineación automática por delante o por detrás y un sistema de manipulación de casete a casete.

> 400 sistemas instalados

La Resolución más Alta del Mercado

Alcanza un tamaño mínimo de característica de 200 nm.

Capacidad avanzada de Escala de grises

Ofrece hasta 65.536 niveles de gris, con el apoyo de un potente software de diseño.

Alto rendimiento

Expone una oblea de 15 cm en tan sólo 10 minutos.

Tecnología probada

400 sistemas instalados en todo el mundo.

6 Modos de escritura

Los tamaños mínimos de la característica, de 200 nm a 4 µm, te permiten optimizar el rendimiento de tu aplicación.

3 Modos de Escala de grises

Hasta 65.536 niveles de gris, potente software de diseño e interfaz de software GenISys BEAMER.

Longitud de onda de exposición

Láser de diodo a 375 nm o 405 nm.

Sistema de autoenfoque dual

Incluye tanto un autoenfoque óptico como un sistema neumático patentado, que garantiza un enfoque perfecto sobre cualquier sustrato, incluidos los materiales transparentes o de baja reflectividad.

Manipulación flexible de sustratos

Admite tamaños del sustrato desde piezas de 3 mm hasta obleas de 230 mm.

Opción de alineación de alta precisión

Mejora la estabilidad térmica y el posicionamiento para las aplicaciones más exigentes, consiguiendo una precisión de alineación de la segunda capa de 350 nm.

Módulo de exposición de forma libre

Permite exposiciones en sustratos no planos (p. ej., lentes convexas/cóncavas) con tamaños de rasgo de hasta 3 µm.

Modo de exposición vectorial

Ideal para modelar estructuras y formas que requieren curvas y contornos suaves y continuos.

Cargador totalmente automático

Manipulación automatizada de casete a casete para máscaras de hasta 7 pulgadas y obleas de hasta 8 pulgadas. También hay disponibles una segunda estación de casetes, un prealineador y un escáner de obleas opcionales.

Aplicaciones para clientes

Redes difractivas blazed con ángulos variables de 10 a 70 grados.
Redes difractivas blazed con ángulos variables de 10 a 70 grados.
Anillos concéntricos con un ancho de línea de aproximadamente 200 nm y un paso de 700 nm en un fotoprotector positivo.
Anillos concéntricos con un ancho de línea de aproximadamente 200 nm y un paso de 700 nm en un fotoprotector positivo.
Llevando los límites al extremo con el modo de escritura XR – líneas y espacios con un paso de 400 nm.
Llevando los límites al extremo con el modo de escritura XR – líneas y espacios con un paso de 400 nm.
Actuador de peine radial expuesto en una resina mr-DWL de 80 µm de grosor.
Actuador de peine radial expuesto en una resina mr-DWL de 80 µm de grosor.
Línea aislada expuesta con el modo de escritura XR en una resina de 300 nm de grosor.
Línea aislada expuesta con el modo de escritura XR en una resina de 300 nm de grosor.
Mitad de una lente de Fresnel cóncava de 1 mm de diámetro.
Mitad de una lente de Fresnel cóncava de 1 mm de diámetro.
Elemento óptico difractivo (DOE) con píxeles de 2 µm de ancho en una resina de 4 µm de grosor.
Elemento óptico difractivo (DOE) con píxeles de 2 µm de ancho en una resina de 4 µm de grosor.
Anillos concéntricos con un ancho de línea de aproximadamente 200 nm y un paso de 700 nm.
Anillos concéntricos con un ancho de línea de aproximadamente 200 nm y un paso de 700 nm.
Llevando los límites al extremo con el modo de escritura XR: se puede lograr un espacio de 100 nm entre características expuestas con parámetros de proceso optimizados.
Llevando los límites al extremo con el modo de escritura XR: se puede lograr un espacio de 100 nm entre características expuestas con parámetros de proceso optimizados.
Logotipo de Fraunhofer sobre una pared lateral grabada de 500 µm de altura con una inclinación de 55°. Cortesía de Oliver Haverbeck y Jens Rodenbach, Fraunhofer IMM.
Logotipo de Fraunhofer sobre una pared lateral grabada de 500 µm de altura con una inclinación de 55°. Cortesía de Oliver Haverbeck y Jens Rodenbach, Fraunhofer IMM.
Crestas de 225 nm de ancho y 850 nm de alto con un paso de 2 µm tras la exposición de los espacios intermedios.
Crestas de 225 nm de ancho y 850 nm de alto con un paso de 2 µm tras la exposición de los espacios intermedios.
Relieve artístico de pez en una resina de 60 µm de grosor.
Relieve artístico de pez en una resina de 60 µm de grosor.
Combinación de una matriz de microlentes con un diámetro de 20 µm, un axicón de vórtice de Fresnel con ángulos de 22° a 45°, y el logotipo de Heidelberg Instruments en una resina de 10 µm de grosor.
Combinación de una matriz de microlentes con un diámetro de 20 µm, un axicón de vórtice de Fresnel con ángulos de 22° a 45°, y el logotipo de Heidelberg Instruments en una resina de 10 µm de grosor.

Por qué los clientes eligen nuestros sistemas

“Pedir una máquina DWL 66+ durante la época de la pandemia de Corona fue un gran reto. Se convirtió en una ventaja. La instalación se realizó a tiempo. Mediante formación a distancia, aprendimos rápidamente sobre Litografía en escala de grises, desarrollamos conocimientos básicos del proceso con la ayuda de tres estudiantes de licenciatura, y nos lanzamos a nuestros primeros proyectos industriales que nos dieron experiencia real y una visión de la capacidad de nuestra nueva herramienta. Durante este tiempo, mantuvimos un intenso intercambio con Heidelberg Instruments que fue decisivo para ir más allá de los fundamentos de la litografía 3D. Por tanto, es fácil afirmar que elegir el DWL 66+ fue lo correcto, y se complementa bien con las demás técnicas litográficas a las que nos dedicamos en el Instituto Paul Scherrer.”

Dr. Helmut Schift, Jefe del Grupo de Nano Fabricación Avanzada
Instituto Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suiza

“Tras haber tenido un buen éxito con la µPG 101 (antepasada de la µMLA) para fabricar elementos difractivo-ópticos difíciles, en 2021 equipamos nuestro laboratorio con una DWL 66+. Esta herramienta es más rápida, tiene un área de escritura mayor y proporciona una buena estabilidad para la creación de patrones en escala de grises de alta resolución. Nos permitió fabricar la lente plana más grande fabricada hasta la fecha. Agradecemos enormemente el apoyo y la colaboración de Heidelberg Instruments, sobre todo para mejorar continuamente los procesos litográficos.”

Dr. Rajesh Menon, Profesor
Universidad de Utah
Salt Lake City, EE.UU.

“En nuestro instituto, el DWL 66+ representa una tecnología puente entre la fotolitografía clásica basada en máscara, que puede permitir un alto rendimiento, y la litografía por haz de electrones, que garantiza una resolución muy alta pero es un proceso de estructuración lento. Es precisamente aquí donde el DWL 66+ representa un complemento a los procesos de estructuración existentes. El DWL 66+ nos permite fabricar internamente nuestra propia máscara de vidrio para fotolitografía convencional, realizar prototipos y procesar estructuras en el rango de las submicras con una gran área total en un tiempo aceptable.”

Sascha de Wall, Investigador Asociado, Jefe de Grupo
Instituto de Tecnología de Microproducción
Universidad Leibniz de Hannover
Hannover, Alemania

"La DWL 66+ es una herramienta muy flexible y versátil que permite utilizar sustratos de cualquier tamaño y forma, así como una libre elección de materiales. Para una empresa como XRnanotech, que ofrece soluciones a medida que a menudo se desvían de las peticiones «normales», esto supone una gran ventaja. La herramienta es esencial para muchos de nuestros productos actuales, como los topes de haz central y las membranas de nitruro de silicio, pero también ofrece muchas posibilidades nuevas en el ámbito de la microóptica."

Dr. Florian Döring, Director General y Fundador
XRnanotech
Villigen, Suiza

Datos técnicos

Modo EscrituraXRIIIIIIIVV
Tamaño mínimo de la característica [μm]0.20.60.8124
Líneas y espacios mínimos [μm]0.30.811.535
Dirección Cuadrícula [nm]5102550100200
Rugosidad de los bordes [nm]50507080110160
Uniformidad de CD [nm]607080130250400
Alineación de la 2ª capa sobre 5 x 5 mm² [nm]250250250250350500
Alineación de la 2ª capa en 100 x 100 mm² [nm]500500500500 8001000
Alineación posterior [nm]100010001000100010001000
Velocidad de escritura [mm²/min] con láser de diodo (405 nm)313401506002000
Velocidad de escritura [mm²/min] con láser de diodo UV (375 nm)21030110
Cuadrícula de píxeles en x e y [nm]501002505001000 2000
Velocidad de escaneado [mm/s]18003600450090001800036000
Características del sistema
Fuente de luzLáser de diodo de 405 nm o 375 nm
Tamaños de sustratoVariable: 5 x 5 mm² a 9″ x 9″ | Personalizable bajo pedido
Espesor del sustrato0 a 12 mm
Área máxima de exposición200 x 200 mm
Cámara MedioambientalEstabilidad de temperatura ± 0,1°, entorno ISO 4
Enfoque automático en tiempo realAutoenfoque óptico o autoenfoque por calibre de aire
Rango de compensación del enfoque automático80 μm
Modo Escala de grises Estándar o Avanzado128 ó 32.768 niveles de gris respectivamente
Modo vectorialPermite escribir líneas libres de unión
Vista general CámaraEl campo de visión de 13 x 10 mm² facilita la alineación con las marcas y la navegación por el sustrato
Alineación trasera (opcional)Permite alinear las exposiciones con las estructuras de la cara posterior del sustrato
Opciones avanzadas - Mejoras de rendimiento
Sistema de coordenadas de alta precisiónIncluye calibración de la placa dorada y control climático: 2ª capa Alineación de más de 100 x 100 mm² mejorada a 350 nm
Modo Profesional Escala de grises65.536 niveles de gris, software profesional de conversión de datos
Sistema de carga automáticaManipulación de máscaras de hasta 7" y obleas de hasta 8" con dos estaciones portadoras, prealineador y escáner de obleas
Dimensiones del sistema de la versión estándar
Anchura × profundidad × altura1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (sólo unidad litográfica)
Peso1000 kg (sólo unidad litográfica)
Requisitos de instalación
Eléctrico230 VCA ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A
Aire comprimido6 - 10 bar

Ten en cuenta
Las especificaciones dependen de las condiciones individuales del proceso y pueden variar según la configuración del equipo. Velocidad de escritura depende del tamaño del píxel y del modo de escritura. El diseño y las especificaciones están sujetos a cambios sin previo aviso

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