La herramienta versátil para la investigación y la creación de prototipos con resolución variable y una gran selección de módulos para una fácil personalización

  • Product Description

  • La herramienta de litografía láser DWL 66+ es un generador de patrones de escritura directa de alta resolución. Como herramienta polifacética, la DWL 66+ es ideal para investigación y desarrollo (I+D) en microelectrónica, MEMS, microfluidos, sensores, sustratos no estándar, envasado avanzado… prácticamente cualquier aplicación académica que requiera la fabricación de microestructuras. El DWL 66+ destaca por su modo de exposición en escala de grises, que crea complejas microestructuras 2,5D, como microópticas para aplicaciones móviles, elementos ópticos difractivos (DOE), hologramas generados por ordenador y superficies estructuradas.

    Es un sistema altamente flexible y personalizable que se adapta con precisión a los requisitos de tus aplicaciones. Entre las principales características del DWL 66+ se encuentran un modo de alta resolución, alineación frontal y posterior, calibración de posición absoluta y un sistema de carga automática.

    La herramienta de litografía láser DWL 66+ es un generador de patrones de escritura directa de alta resolución. Como herramienta polifacética, la DWL 66+ es ideal para investigación y desarrollo (I+D) en microelectrónica, MEMS, microfluidos, sensores, sustratos no estándar, envasado avanzado… prácticamente cualquier aplicación académica que requiera la fabricación de microestructuras. El DWL 66+ destaca por su modo de exposición en escala de grises, que crea complejas microestructuras 2,5D, como microópticas para aplicaciones móviles, elementos ópticos difractivos (DOE), hologramas generados por ordenador y superficies estructuradas.

    Es un sistema altamente flexible y personalizable que se adapta con precisión a los requisitos de tus aplicaciones. Entre las principales características del DWL 66+ se encuentran un modo de alta resolución, alineación frontal y posterior, calibración de posición absoluta y un sistema de carga automática.

  • Product Highlights

  • Calidad de la exposición

    Uniformidad CD 60 nm; rugosidad de los bordes 50 nm; alineación 2ª capa 500 nm; compensación autofoco 80 µm

    Litografía en escala de grises

    Hasta 1024 niveles de gris; software específico GenISys BEAMER para optimizar la exposición de geometrías complejas

    Versatilidad

    Elección de 6 modos de escritura con 2 longitudes de onda láser; 3 regímenes de exposición en escala de grises; mayor cantidad de módulos adicionales disponibles, incluidas opciones de automatización
  • Available Modules

  • 6 Modos de escritura

    Características mínimas de 300 nm a 4 µm

    Longitud de onda de exposición

    Láser de diodo a 375 nm o 405 nm

    Autoenfoque

    Autoenfoque neumático u óptico para una exposición perfecta de muestras pequeñas (menos de 10 mm)

    Sustrato variable

    Tamaño de 3 mm a 230 mm

    2 modos de escala de grises

    Hasta 1024 niveles de gris y un software específico GenISys BEAMER para optimizar la exposición de geometrías complejas

    Opción de alta precisión

    Diversas medidas técnicas para mejorar la estabilidad térmica y la precisión de posición del sistema de coordenadas de la etapa. Especificaciones mejoradas para la alineación de la 2ª capa: 350 nm

    Cargador automático

    Manipulación de máscaras de hasta 7″ y sustratos de hasta 8″. Segunda estación de casetes opcional. Prealineador y escáner de obleas disponibles

    Forma libre básica (BFF)

    Exposiciones en sustratos no planos con características de hasta 3 μm. Las aplicaciones típicas son microestructuras sobre lentes convexas o cóncavas

    Modo de exploración vectorial

    Dibuja estructuras y formas formadas por líneas curvas en las que se requieran contornos suaves

La herramienta de litografía láser DWL 66+ es un generador de patrones de escritura directa de alta resolución. Como herramienta polifacética, la DWL 66+ es ideal para investigación y desarrollo (I+D) en microelectrónica, MEMS, microfluidos, sensores, sustratos no estándar, envasado avanzado… prácticamente cualquier aplicación académica que requiera la fabricación de microestructuras. El DWL 66+ destaca por su modo de exposición en escala de grises, que crea complejas microestructuras 2,5D, como microópticas para aplicaciones móviles, elementos ópticos difractivos (DOE), hologramas generados por ordenador y superficies estructuradas.

Es un sistema altamente flexible y personalizable que se adapta con precisión a los requisitos de tus aplicaciones. Entre las principales características del DWL 66+ se encuentran un modo de alta resolución, alineación frontal y posterior, calibración de posición absoluta y un sistema de carga automática.

La herramienta de litografía láser DWL 66+ es un generador de patrones de escritura directa de alta resolución. Como herramienta polifacética, la DWL 66+ es ideal para investigación y desarrollo (I+D) en microelectrónica, MEMS, microfluidos, sensores, sustratos no estándar, envasado avanzado… prácticamente cualquier aplicación académica que requiera la fabricación de microestructuras. El DWL 66+ destaca por su modo de exposición en escala de grises, que crea complejas microestructuras 2,5D, como microópticas para aplicaciones móviles, elementos ópticos difractivos (DOE), hologramas generados por ordenador y superficies estructuradas.

Es un sistema altamente flexible y personalizable que se adapta con precisión a los requisitos de tus aplicaciones. Entre las principales características del DWL 66+ se encuentran un modo de alta resolución, alineación frontal y posterior, calibración de posición absoluta y un sistema de carga automática.

Calidad de la exposición

Uniformidad CD 60 nm; rugosidad de los bordes 50 nm; alineación 2ª capa 500 nm; compensación autofoco 80 µm

Litografía en escala de grises

Hasta 1024 niveles de gris; software específico GenISys BEAMER para optimizar la exposición de geometrías complejas

Versatilidad

Elección de 6 modos de escritura con 2 longitudes de onda láser; 3 regímenes de exposición en escala de grises; mayor cantidad de módulos adicionales disponibles, incluidas opciones de automatización

6 Modos de escritura

Características mínimas de 300 nm a 4 µm

Longitud de onda de exposición

Láser de diodo a 375 nm o 405 nm

Autoenfoque

Autoenfoque neumático u óptico para una exposición perfecta de muestras pequeñas (menos de 10 mm)

Sustrato variable

Tamaño de 3 mm a 230 mm

2 modos de escala de grises

Hasta 1024 niveles de gris y un software específico GenISys BEAMER para optimizar la exposición de geometrías complejas

Opción de alta precisión

Diversas medidas técnicas para mejorar la estabilidad térmica y la precisión de posición del sistema de coordenadas de la etapa. Especificaciones mejoradas para la alineación de la 2ª capa: 350 nm

Cargador automático

Manipulación de máscaras de hasta 7″ y sustratos de hasta 8″. Segunda estación de casetes opcional. Prealineador y escáner de obleas disponibles

Forma libre básica (BFF)

Exposiciones en sustratos no planos con características de hasta 3 μm. Las aplicaciones típicas son microestructuras sobre lentes convexas o cóncavas

Modo de exploración vectorial

Dibuja estructuras y formas formadas por líneas curvas en las que se requieran contornos suaves

Customer applications

Why customers choose our systems

"Pedir una máquina DWL 66+ durante la época de la pandemia de Corona fue un gran reto. Se convirtió en una ventaja. La instalación se realizó a tiempo. Gracias a la formación a distancia, aprendimos rápidamente sobre litografía en escala de grises, desarrollamos conocimientos básicos del proceso con la ayuda de tres estudiantes de licenciatura, y nos lanzamos a nuestros primeros proyectos industriales que nos dieron experiencia real y una idea de la capacidad de nuestra nueva herramienta. Durante este tiempo, mantuvimos un intenso intercambio con Heidelberg Instruments que fue decisivo para ir más allá de los fundamentos de la litografía 3D. Por tanto, es fácil afirmar que elegir el DWL 66+ fue lo correcto, y se complementa bien con las demás técnicas litográficas a las que nos dedicamos en el Instituto Paul Scherrer."

Dr. Helmut Schift, Jefe del Grupo de Nanofabricación Avanzada
Instituto Paul Scherrer (PSI)
Villigen, Suiza

"Tras haber tenido un buen éxito con la µPG 101 (antepasada de la µMLA) para fabricar elementos difractivo-ópticos difíciles, en 2021 equipamos nuestro laboratorio con una DWL 66+. Esta herramienta es más rápida, tiene un área de escritura mayor y proporciona una buena estabilidad para el patronaje en escala de grises de alta resolución. Nos permitió fabricar la lente plana más grande hecha hasta la fecha. Agradecemos enormemente el apoyo y la colaboración de Heidelberg Instruments, sobre todo para mejorar continuamente los procesos litográficos."

Dr. Rajesh Menon, Profesor
Universidad de Utah
Salt Lake City, EE.UU.

"En nuestro instituto, el DWL 66+ representa una tecnología puente entre la fotolitografía clásica basada en máscaras, que puede permitir un alto rendimiento, y la litografía por haz de electrones, que garantiza una resolución muy alta pero es un proceso de estructuración lento. Es precisamente aquí donde el DWL 66+ representa un complemento a los procesos de estructuración existentes. El DWL 66+ nos permite fabricar internamente nuestra propia máscara de vidrio para la fotolitografía convencional, realizar prototipos y procesar estructuras en el rango de las submicras con una gran área total en un tiempo aceptable."

Sascha de Wall, Investigador Asociado, Jefe de Grupo
Instituto de Tecnología de Microproducción
Universidad Leibniz de Hannover
Hannover, Alemania

Technical Data

Modo escrituraHiResIIIIIIIVV
Rendimiento de escritura
Tamaño mínimo de la característica [μm]0.30.60.8124
Líneas y espacios mínimos [μm]0.50.811.535
Dirección Cuadrícula [nm]5102550100200
Rugosidad del borde [3σ, nm]50507080110160
Uniformidad CD [3σ, nm]607080130250400
Alineación de la 2ª capa sobre 5 x 5 mm² [nm]250250250250350500
Alineación de la 2ª capa en 100 x 100 mm² [nm]500500500500 8001000
Alineación posterior [nm]100010001000100010001000
Con láser de diodo (405 nm)
Velocidad de escritura [mm²/min] 313401506002000
Tiempo de exposición para una superficie de 100 x 100 mm² [min]300074025572207
Con láser de diodo UV (375 nm)
Velocidad de escritura [mm²/min] 21030110
Tiempo de exposición para una superficie de 100 x 100 mm² [min]50001015350100
Características del sistema
Fuente de luzLáser de diodo de 405 nm o 375 nm
Tamaños de sustratoVariable: 5 x 5 mm² a 9″ x 9″ | Personalizable bajo pedido
Espesor del sustrato0 a 12 mm
Área máxima de exposición200 x 200 mm
Caja de flujo de temperatura controladaEstabilidad de temperatura ± 0,1°, entorno ISO 4
Enfoque automático en tiempo realAutoenfoque óptico o autoenfoque por calibre de aire
Rango de compensación del enfoque automático80 μm
Modo Escala de grises Estándar o Avanzado128 / 256 niveles de gris respectivamente
Modo vectorialPermite escribir líneas sin puntadas
Vista general CámaraEl campo de visión de 8 x 10 mm² facilita la alineación con las marcas y la navegación por el sustrato
Alineación trasera (opcional)Permite alinear las exposiciones con las estructuras de la cara posterior del sustrato
Opciones avanzadas - Mejoras de rendimiento
Sistema de coordenadas de alta precisiónIncluye calibración de la placa dorada y control climático: 2ª capa alineación hasta 350 nm
Modo Escala de grises profesional1024 niveles de gris, programa profesional de conversión de datos
Sistema de carga automáticaManipulación de máscaras de hasta 7" y obleas de hasta 8" con dos estaciones portadoras, prealineador y escáner de obleas
Dimensiones del sistema de la versión estándar
Anchura × profundidad × altura1300 mm × 1100 mm × 1950 mm (sólo unidad litográfica)
Peso1000 kg (sólo unidad litográfica)
Requisitos de instalación
Eléctrico230 VCA ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A
Aire comprimido6 - 10 bar

Ten en cuenta
Las especificaciones dependen de las condiciones individuales del proceso y pueden variar según la configuración del equipo. La velocidad de escritura depende del tamaño del píxel y del modo de escritura. El diseño y las especificaciones están sujetos a cambios sin previo aviso

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