Muestra tu trabajo
La Galería de Imágenes de Aplicaciones muestra impresionantes micro- y nanoestructuras creadas con los sistemas de Heidelberg Instruments. Investigadores de todo el mundo pueden contribuir con sus imágenes, demostrando las capacidades de nuestras herramientas en la investigación avanzada para diversas aplicaciones.
Queremos resaltar las notables innovaciones que se están llevando a cabo en campos como la nanotecnología, la ingeniería biomédica, los dispositivos cuánticos, la electrónica flexible, la fotónica y muchos más.
Las contribuciones seleccionadas se destacan en nuestros canales de marketing para celebrar la creatividad y los logros de nuestros usuarios e inspirar a la comunidad global de micro- y nanofabricación. Además, buscamos apoyar el trabajo más allá de la promoción e intentaremos encontrar medidas útiles de manera conjunta.
Guía de envío
- Sube de 1 a 5 imágenes y/o un video corto (< 3 min) que ilustre una aplicación innovadora.
- Las estructuras mostradas deben haber sido creadas con cualquier sistema actual o anterior de Heidelberg Instruments.
- Las imágenes deben estar libres de derechos de autor de terceros.
- Las imágenes pueden haberse tomado con cualquier equipo (por ejemplo, cámaras o microscopios).
- Las imágenes pueden editarse ligeramente cuando tenga un propósito ilustrativo (por ejemplo, barra de escala o denominación de elementos).
- Heidelberg Instruments tendrá el derecho de utilizar las imágenes en línea o en formato impreso. Estas se asociarán con una referencia elegida por el remitente (nombre del autor y/o institución).
- Las contribuciones múltiples que correspondan a distintas aplicaciones deben realizarse por separado.
Agradeceríamos recibir imágenes en alta resolución que ayuden a comprender la aplicación, junto con una descripción clara y concisa que incluya las dimensiones de la estructura, el proceso de fabricación y las especificaciones de los sustratos utilizados. Eche un vistazo a la galería que aparece a continuación para inspirarse.
Después de enviar el formulario de participación, recibirás un correo electrónico con instrucciones adicionales sobre cómo subir tus imágenes. Una vez que se hayan enviado todos los materiales requeridos, nos pondremos en contacto contigo en breve.
¡Gracias por tu participación!
Metalente de silicio con resolución sub-longitud de onda para óptica plana de alto rendimiento por Nurten Koc (DWL 66+)
Imagen SEM superior de una metalente con un diámetro de 200 μm. Aunque los nanobloques son idénticos en forma y tamaño, su rotación y orientación varían entre sí, lo que subraya la flexibilidad de diseño inherente a la arquitectura de la metalente.
Metalente de silicio con resolución sub-longitud de onda para óptica plana de alto rendimiento por Nurten Koc (DWL 66+)
Imagen SEM en vista inclinada a 60° de una metalente con un diámetro de 200 μm. Aunque los nanobloques son idénticos en forma y tamaño, su rotación y orientación varían entre sí, lo que subraya la flexibilidad de diseño inherente a la arquitectura de la metalente.
Fabricación de nanohilos de silicio (Si NWs) monocristalinos suspendidos de menos de 300 nm para sensores de alto rendimiento de próxima generación por Basit Ali (DWL 66+)
Matriz de nanohilos de silicio con la misma dimensión crítica en plano, fabricada sobre sustrato de Si. Se han definido tres longitudes diferentes (5, 10, 15 micrómetros), demostrando el patrón de nanohilos de alta relación de aspecto.
Fabricación de nanohilos de silicio (Si NWs) monocristalinos suspendidos de menos de 300 nm para sensores de alto rendimiento de próxima generación por Basit Ali (DWL 66+)
Primer plano de un nanohilo de silicio con una dimensión crítica en plano de 250 nm y un grosor de 150 nm, que conecta MEMS de 5000 nm de grosor en sus extremos. Tanto el nanohilo como los anclajes MEMS se fabrican de forma monolítica.
Fabricación de nanohilos de silicio (Si NWs) monocristalinos suspendidos de menos de 300 nm para sensores de alto rendimiento de próxima generación por Basit Ali (DWL 66+)
Matriz de nanohilos de silicio con diferentes dimensiones críticas, fabricada sobre sustrato de Si. La CD mínima disponible en plano de 250 nm, con una longitud de nanohilo un orden de magnitud mayor, demuestra el patrón de nanohilo de Si 1D de alta relación de aspecto.
Sistema de atrapamiento microfluídico de célula única para estudiar la dinámica de una célula inmunitaria T individual por Wei-Che Chang (MLA 150)
Vista general de la trampa monocelular múltiple en la oblea de silicio. Imagen microscópica de una matriz celular con 200 trampas monocelulares.
Sistema de atrapamiento microfluídico de célula única para estudiar la dinámica de una célula inmunitaria T individual por Wei-Che Chang (MLA 150)
Imagen en primer plano de la trampa monocelular múltiple en la oblea de silicio. La trampa se fabrica mediante el método de litografía de doble exposición (DEL).
Sistema de atrapamiento microfluídico de célula única para estudiar la dinámica de una célula inmunitaria T individual por Wei-Che Chang (MLA 150)
Imagen microscópica de una célula Jurkat única capturada en el chip microfluídico fabricado en PDMS. Las células en este experimento fueron marcadas con el tinte CellTrackerTM Green CMFDA. La imagen se obtuvo mediante microscopía confocal.Imagen obtenida mediante microscopía confocal.
Recocido láser de escritura directa en escala de grises de películas magnéticas delgadas por Lauren Riddiford (DWL 66+)
Diseño en escala de grises utilizado como entrada para la exposición
Recocido láser de escritura directa en escala de grises de películas magnéticas delgadas por Lauren Riddiford (DWL 66+)
Salida del diseño tras la exposición en una película magnética. Las regiones claras tienen magnetización orientada fuera del plano, mientras que las regiones oscuras no tienen componente de magnetización fuera del plano.
Dispositivos GaN: matriz de puentes de aire de oro fabricada por Shonkho Shuvro (µPG501)
Puentes de aire de oro electrodepositados sobre Si, fabricados tras un proceso de litografía doble que implica el reflujo de resina.
Dispositivos GaN: matriz de puentes de aire de oro fabricada por Shonkho Shuvro (µPG501)
Puentes de aire de oro electrodepositados sobre Si, fabricados tras un proceso de litografía doble que implica el reflujo de resina.
Nanotopografías en escala de grises que combinan t-SPL y nanoimpresión para nanoelectrónica 2D por Berke Erbas y Xia Liu (NanoFrazor)
Una monocapa de MoS₂ cultivada por CVD sobre SiO₂ con patrón en escala de grises se estructuró en canales FET 2D, con electrodos de fuente y drenaje añadidos mediante metalización por lift-off.
Nanotopografías en escala de grises que combinan t-SPL y nanoimpresión para nanoelectrónica 2D por Berke Erbas y Xia Liu (NanoFrazor)
Patrones sinusoidales de SiO₂ de alta precisión (paso de 400 nm, profundidad de 100–150 nm) se amplificaron a partir de polímeros, manteniendo superficies lisas para aplicaciones de nanoimpresión o tensión de materiales 2D.
Nanotopografías en escala de grises que combinan t-SPL y nanoimpresión para nanoelectrónica 2D por Berke Erbas y Xia Liu (NanoFrazor)
Una monocapa exfoliada de MoS₂ se transfiere sobre un óxido de compuerta diseñado con ondas sinusoidales moduladas en dos dimensiones, induciendo tensión en el material atómicamente delgado.
Dispositivo microfluídico para biología sintética creado a partir de un molde SU-8 por Kei Ikemori y el Prof. Yuichi Wakamoto (µMLA)
Microcámaras fabricadas en PDMS utilizando un molde SU-8 de un µMLA alojaron E. coli fluorescentes con circuitos genéticos sintéticos. La fluorescencia cooperativa formó un patrón ondulado alrededor del logotipo de Heidelberg Instruments.
Redes ópticas en chips atómicos para ampliar funciones microtecnológicas y crear un laboratorio cuántico integrado por Sascha de Wall (DWL 66+)
Para sistemas compactos de condensado de Bose-Einstein, una red óptica nanostructurada — diseñada con un DWL 66+, grabada en Si y recubierta con Al — crea una trampa magneto-óptica de red que simplifica los sistemas de enfriamiento de átomos.
Fabricación de nano-circuitos semiconductores de MoS₂ por Giorgio Zambito (NanoFrazor)
Nano-circuito de MoS₂ con forma del logotipo de DIFILab, fabricado con un NanoFrazor Scholar. El mapeo AFM conductivo muestra una conductividad bien definida a escala nanométrica, destacando el potencial de los TMD 2D para la nanoelectrónica.
