Litografía para semiconductores y fabricación de dispositivos

Impulsando la innovación en semiconductores: herramientas de litografía de precisión de Heidelberg Instruments

Los semiconductores se caracterizan por su capacidad de variar su conductividad eléctrica cuando están expuestos a factores externos como voltaje, calor o luz. Constituyen la base de los dispositivos electrónicos en la tecnología moderna. Los dispositivos semiconductores se construyen sobre obleas compuestas por una variedad de materiales. Algunas obleas consisten en un único elemento, como el silicio, mientras que otras incorporan una combinación de elementos, formando estructuras cristalinas complejas con propiedades electrónicas únicas, como ocurre en los semiconductores compuestos.

La fotolitografía es un proceso fundamental en la fabricación de semiconductores que utiliza máscaras o técnicas de escritura directa para transferir patrones precisos a las obleas. Desempeña un papel crucial en la definición de las estructuras complejas que constituyen la base de los circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores.

Heidelberg Instruments ofrece herramientas adecuadas para varios procesos críticos durante la fabricación de dispositivos basados en semiconductores, desde retículas que exigen alta precisión y gran uniformidad hasta exposiciones sin máscara de alto rendimiento con generación adaptativa de patrones. Estas herramientas de litografía láser ofrecen versatilidad al permitir la escritura directa sobre superficies recubiertas con fotoresist, facilitando la creación rápida de prototipos y la personalización. Su precisión de alineación respalda la producción de dispositivos multicapa y puede corregir desalineaciones y deformaciones de troqueles individuales. Esto también las hace adecuadas para el encapsulado de semiconductores.

Resistencias de alta calidad

Alta uniformidad y consistencia

Alto rendimiento

Compatibilidad con los procesos existentes

Precisión de alineación y superposición

Láser con excelente calidad TEM00

para fotoresistentes típicos de semiconductores (ULTRA y VPG+)

Control medioambiental:

sistema de metrología con autocalibrado

Medición interferométrica de la posición:

corrección del mapa del escenario en tiempo real

Alineación de segunda capa < 100 nm

(ULTRA)

Manejo de sustratos deformados

(MLA 300)

Imágenes de aplicaciones

Máscara de retícula 6025 sobre sustrato de cuarzo, para litografía de semiconductores — Cromo sobre placa de cuarzo con líneas y espacios escritos con ULTRA

Máster CMOS con capa de contactos personalizada, utilizado en aplicaciones de litografía de semiconductores — Capa de contactos personalizada sobre máster CMOS prefabricado: contacto en poli-Si (color claro) y contactos en pozos p-/n- (color oscuro) (VPG 300 DI)

Ejemplo de litografía para semiconductores: capa de contactos personalizada y líneas metalizadas sobre máster CMOS prefabricado (VPG 300 DI) — Capa de contactos personalizada y líneas metalizadas sobre máster CMOS prefabricado (VPG 300 DI)

Imagen SEM de estructuras creadas con IP3250 (1 µm), mediante litografía de semiconductores. Imagen cortesía de IMS Chips — Estructuras creadas con IP3250 (espesor de 1 µm) Imagen cortesía de IMS Chips

Parche de chip flexible, cortado por láser y separado de una oblea de 150 mm. Espesor total: 35–65 µm; espesor del chip ≈ 30 µm. Imagen cortesía de IMS Chips, fabricado mediante litografía de semiconductores. — Parche de chip flexible, cortado por láser, separado de una oblea de 150 mm (espesor total de capas: 35–65 µm, espesor del chip ≈ 30 µm) Image courtesy of IMS Chips

Vías con diámetros de 1 µm, 1.25 µm y 1.5 µm (exposición VPG⁺ sobre máscara de cromo), posibles aplicaciones en litografía de semiconductores — Vías con diámetros de 1 µm, 1.25 µm y 1.5 µm (exposición VPG⁺ sobre máscara de cromo)

Sistemas adecuados

MLA 300 Alineador sin máscara

Alineador sin máscara

Optimizada para una producción industrial flexible con la máxima precisión y una integración perfecta en las líneas de producción industrial.

VPG⁺ 200 / VPG⁺ 400 / VPG⁺ 800 Generadores de patrones de volumen

Generador de patrones de volumen

Potentes herramientas de producción para fotomáscaras y microestructuras estándar en resistivos i-line.

VPG 300 DI Stepper sin máscara

Paso a paso sin máscara

Captador directo de imágenes sin máscara para microestructuras de alta precisión y resolución.

ULTRA Escritor de máscaras de semiconductores

Escritor de máscaras láser

Una herramienta diseñada específicamente para producir fotomáscaras semiconductoras maduras.

Litografía para semiconductores y fabricación de dispositivos

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Resistencias de alta calidad

Alta uniformidad y consistencia

Alto rendimiento

Compatibilidad con los procesos existentes

Precisión de alineación y superposición

Láser con excelente calidad TEM00

Control medioambiental:

Medición interferométrica de la posición:

Alineación de segunda capa < 100 nm

Manejo de sustratos deformados

Resistencias de alta calidad

Alta uniformidad y consistencia

Alto rendimiento

Compatibilidad con los procesos existentes

Precisión de alineación y superposición

Láser con excelente calidad TEM00

Control medioambiental:

Medición interferométrica de la posición:

Alineación de segunda capa < 100 nm

Manejo de sustratos deformados

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Sistemas adecuados

MLA 300 Alineador sin máscara

VPG⁺ 200 / VPG⁺ 400 / VPG⁺ 800 Generadores de patrones de volumen

VPG 300 DI Stepper sin máscara

ULTRA Escritor de máscaras de semiconductores

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Resistencias de alta calidad

Alta uniformidad y consistencia

Alto rendimiento

Compatibilidad con los procesos existentes

Precisión de alineación y superposición

Láser con excelente calidad TEM00

Control medioambiental:

Medición interferométrica de la posición:

Alineación de segunda capa < 100 nm

Manejo de sustratos deformados

Resistencias de alta calidad

Alta uniformidad y consistencia

Alto rendimiento

Compatibilidad con los procesos existentes

Precisión de alineación y superposición

Láser con excelente calidad TEM00

Control medioambiental:

Medición interferométrica de la posición:

Alineación de segunda capa < 100 nm

Manejo de sustratos deformados

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